BL75R02

BL75R02 512 位 EEPROM 射频识别 （RFID）芯片 一、概述 BL75R02 是一款远距离读写的射频识别芯片，可制作成电子标签或非接触卡，主要适 用于大中型物流、商品防盗防伪、工业控制、门禁系统、军事跟踪、路桥收费、畜牧养殖、 图书文档管理、特种设备和金融票据等领域。该芯片支持 ISO15693 射频接口，配合适当的 天线其有效作用距离可达 1.5m（门柱型线圈） ，具备防冲突功能，读写器能同时快速处理多 个芯片，支持 PHILIPS 公司、TI 公司 ISO15693 标准读卡机芯片。 片内 512 位 E2PROM，共分为 16 页（block） ，每页 4 字节 32 位.。其中 64 位为唯一序 列号，48 位用作特殊功能位（电子商品防盗功能 EAS、休眠功能 QUIET、应用类型识别 AFI 等） 32 位用于页锁定，其余为用户使用区。 ， 二、产品特点 1 射频接口 (支持 ISO15693 射频接口) 射频接口 • • • • • • • • • • • 2 能量和数据以无线方式传输 工作频率： 13.56MHz 读写距离： 1.5m（门柱型线圈） 读卡机到芯片的数据传输率：26.5Kbit/s（快速模式）或 1.66 Kbit/s（标准模式） 芯片到读卡机的数据传输率：26.5Kbit/s 帧校验方式： 16 位 CRC 校验 具备防冲突功能 电子商品防盗功能（EAS） 支持应用类型识别（AFI） 特有快速读写模式 写距离等于读距离 EEPROM • 512 位，共分 16 块，每块 4 字节即 32 位 • 数据保持时间大于 10 年 • 读写次数达大于 10 万次 3 安全性 安全性 • 每个芯片具有不可改写的唯一序列号（UID）供识别和加密 • 各数据块可单独锁定，数据一旦被锁定无法再被修改 • 芯片可通过自杀指令自行毁灭（根据客户要求） http://www.belling.com.cn -1Total 5 Pages 8/16/2006 BL75R02 512 位 EEPROM 射频识别 （RFID）芯片 三、功能描述 1 BL75R02 原理图 2 存储器结构 存储器结构 BL75R02 的存储器结构如下表所示。 512 位 EEPROM 共分为 16 块， 每块 4 字节 32 位。 块是最小的读写单位。每个字节的第 0 位和第 7 位分别为 LSB 和 MSB。 Byte0 Block 0 Block 1 Block 2 Block 3 Block 4 …… Block15 X X X X UID 0 UID 4 F0 X Family code Byte1 UID 1 UID 5 FF X Application ID Byte2 UID 2 UID 6 FF X X Byte3 UID 3 UID 7 FF X X 芯片唯一序 列号 写保护 特殊功能位 用户数据 表中列出了出厂时芯片的 EEPROM 中所存储的数据。其中，X 表示数据待定。 2.1 芯片唯一序列号（UID） 芯片唯一序列号（ 芯片唯一序列号在芯片制造过程中写入，并永不能被改写。UID 的计数方式为从 LSB1 到 MSB64，与字节中的位计数方式相反。UID 的格式如下表所示。 MSB 64 57 56 49 48 41 40 “01” UID 3 UID 2 芯片制造商序列号 UID 1 UID 0 UID 4 “E0” UID 7 UID 6 注册号 UID 5 LSB 1 http://www.belling.com.cn -2Total 5 Pages 8/16/2006 BL75R02 512 位 EEPROM 射频识别 （RFID）芯片 2.2 EAS 功能 EEPROM Block 3 的 Byte 0 的 bit0 和 bit1 用于 EAS 功能的设置，其格式如下表所示。 Block -3，Byte 0 MSB X X X X X QUIET X X EAS LSB X 当 bit1,0=1|1 时，EAS 功能被激活，标签（指利用该芯片制作的标签或非接触卡，下同） 在此状态下， 对读写器的 EAS 指令作出响应， 否则标签不会对读写器的 EAS 指令作出响应。 2.3 QUIET 功能 EEPROM Block 3 的 Byte 0 的 bit3 和 bit2 用于 QUIET 功能的设置，其格式如上表。 当 bit3,2=1|1 时，Quiet 功能被激活，标签在此状态下，不响应除 Reset Quiet Bit 和 EAS 以外的任何命令。 2.4 应用类型识别（AFI） 应用类型识别（ EEPROM Block 4 的 Byte 0（Family Code）和 Byte 1(Application ID)分别用作分类和 应用类型识别。当读写器发送的指令中包含 AFI 信息且不为全零时，标签会分别核对自己 的 Family Code 和 Application ID 是否和命令指定的 AFI 相同，如果相同则执行，否则不进 行任何操作。 2.5 写保护设置 写保护设置 EEPROM 的 Block 2 用作各 block 的写保护，该块中的 32 位数据分别对应 16 个 block （每个 block 用两位写保护位） ，映射关系如下表所示。 Block -2 Byte 0 MSB 对应数据 块号 3 2 Byte 2 MSB 对应数据 块号 11 10 9 LSB 8 MSB 15 14 13 1 LSB 0 MSB 7 6 Byte 3 LSB 12 5 Byte 1 LSB 4 写保护位被置为 0|0 后，将无法再置为 1|1，即数据 block 一旦被设置为只读，将永久性 被写禁止，写保护位不允许被置为 1|0 或 0|1。 3 指令概述 指令概述 3.1 防冲突/选择（Anti-collision/Select） 防冲突 射频作用区域内所有 unselected 的标签根据指令参数分应用类别在各自的 timeslot 中返 回它的 64 位序列号，未发生冲突的标签可由本 timeslot 的 quit 命令 selected，并且 timeslot 被固定。 http://www.belling.com.cn -38/16/2006 Total 5 Pages BL75R02 512 位 EEPROM 射频识别 （RFID）芯片 这里 selected 表示一种状态，芯片在收到 Anti-collision/Select 以及其后的 quit 命令后进 入 selected 状态。命令结束后的响应过程被划分为若干个时间段，规定标签只能在其中一个 时间段内响应命令，这个时间段称为该标签的 timeslot。标签具体在哪个时间段内响应由相 关命令参数以及 UID 决定。 3.2 选择读（Selected Read） 选择读（ 指定所有 selected 的标签在它们各自的 timeslot 中返回指定 block 一个或多个） （ 的数据。 3.3 非选择读（Unselected Read） 非选择读（ 所有 unselected 的标签将重新生成自己的 timeslot，根据指令参数分应用类别返回指定 block（一个或多个）中的数据。 3.4 页写（Write） 页写（ selected 的标签在各自的 timeslot 返回 64 位序列号，并由该 timeslot 的 quit 指令确认后 执行写操作，将缓冲区的数据写入指定 block。 3.5 终止（Halt） 终止（ selected 的标签在自己的 timeslot 返回 64 位序列号，并由该 timeslot 的 quit 指令确认后 进入 Halt 模式，不再响应任何指令直到下次上电复位。 3.6 唤醒（Reset QUIET bit） 唤醒（ 在对应的 QUIET 特殊功能位被置位的情况下，标签不响应除 EAS 和 Reset Quiet bit 外 的任何命令，处于休眠状态，直到特殊功能位被重新复位。quiet 特殊功能位只能由本命令 复位。 3.7 电子商品防盗（EAS） 电子商品防盗（ 在对应的 EAS 特殊功能位被置位的情况下，标签根据指令参数分应用类别返回 256 位特征 数据。 四、电参数 4.1 极限参数： 极限参数： 符号 符号 Tstg Tj VESD ImaxLA-LB 参数 参数 存储温度范围 结温 ESD 电压 最大输入峰值电流 -STD-883D 测试条件 测试条件 范围 范围 -55--- +140 -55 ----+140 ±2 ±80 单位 单位 °C °C kVpeak mApeak http://www.belling.com.cn -4Total 5 Pages 8/16/2006 BL75R02 512 位 EEPROM 射频识别 （RFID）芯片 4.2 工作参数： 工作参数： 符号 符号 Tamb Tjop ILA-LB VLA-LBrd VLA-LBwr VLA-LBfm fop 工作结温 输入电流 READ/EAS 的最小输入电压 WRITE 的最小输入电压 READ/EAS/WRITE 的 最 小 输入电压 工作频率 标准模式 标准模式 快速模式 13.553 ±2.4 ±2.6 ±2.9 13.560 参数 参数 工作环境温度 测试条件 测试条件 最小值 最小值 -25 -25 典型值 典型值 最大值 最大值 +70 +85 40 ±2.7 ±2.9 ±3.2 13.567 单位 单位 °C °C mArms Vpeak Vpeak Vpeak MHZ 电参数： 4.3 电参数： 符号 符号 Cres Pmin 参数 参数 输入电容 最小输入功率 输入信号的调制深度 调制脉冲宽度 调制脉冲宽度 EEPROM 数据保持时 间 EEPROM 擦写次数 测试条件 测试条件 VLA-LB=2Vrms VLA-LB=2Vrms m=(Vmax-Vmin)/ (Vmax+Vmin) 标准模式 m ≥ 10% 快速模式 m ≥ 10% Tamb≤ 55 °C 9 3.50 15.00 10 100 000 最小值 最小值 30.4 典型值 典型值 32 160 10 5.00 17.00 30 9.44 18.88 最大值 最大值 33.6 单位 单位 pF µW % µS µS m tpsm tpfm tret nwrite Years Cycles http://www.belling.com.cn -5Total 5 Pages 8/16/2006