WPM2031-3/TR | Will Semiconductor Co. Ltd | 功率MOSFET 20V 600mA 495mΩ@4.5V,450mA 360mW 650mV@250uA 10.2pF@10V P Channel 74pF@10V 1.67nC@4.5V +150℃@(Tj) SOT-723 | | | 获取价格 |
WPM1485-6/TR | Will Semiconductor Co. Ltd | 单p通道,-12V, -7.4A,功率MOSFET | | | 获取价格 |
WL2810D30-4/TR | Will Semiconductor Co. Ltd | 低噪声,高PSRR,高速,CMOS LDO | | | 获取价格 |
WL2836D28-4/TR | Will Semiconductor Co. Ltd | 低噪声,高PSRR,高速,CMOS LDO | | | 获取价格 |
WNM3008-3/TR | Will Semiconductor Co. Ltd | 单n通道,30V, 3.1A,功率MOSFET | | | 获取价格 |
WNM3019-3/TR | Will Semiconductor Co. Ltd | 小信号n通道,50V, 0.2A, MOSFET | | | 获取价格 |
WPM3005-3/TR | Will Semiconductor Co. Ltd | MOSFETs P-Channel 30V 4.1A SOT-23-3L | | | 获取价格 |
ESD5302N-3/TR | Will Semiconductor Co. Ltd | 2线,单向,超低电容
瞬态电压抑制 | | | 获取价格 |
ESD5621W10-2/TR | Will Semiconductor Co. Ltd | 1线,单向,瞬态电压抑制器 | | | 获取价格 |
ESD5621W15-2/TR | Will Semiconductor Co. Ltd | 1线,单向,瞬态电压抑制器 | | | 获取价格 |
ESD5Z5V-2/TR | Will Semiconductor Co. Ltd | 1线,单向,瞬态电压抑制器 | | | 获取价格 |
WPT2E33-3/TR | Will Semiconductor Co. Ltd | 功率(Pd):3W 集射极击穿电压(Vceo):30V 集电极电流(Ic):3A 晶体管类型:PNP | | | 获取价格 |
WNM4002-3/TR | Will Semiconductor Co. Ltd | MOSFET SOT523 N-Channel ID=300mA | | | 获取价格 |
WL2801E33-5/TR | Will Semiconductor Co. Ltd | 低噪声、高PSRR、高速、CMOS LDO | | | 获取价格 |
ESD5304D-10/TR | Will Semiconductor Co. Ltd | TVS二极管 VRWM=5V VBR(Min)=7V VC=12V IPP=4A Ppk=48W DFN2510-10L | | | 获取价格 |
ESD9B5VL-2/TR | Will Semiconductor Co. Ltd | VRWM=5V VBR(Min)=5.8V VC=11V IPP=3A Ppk=33W FBP02C | | | 获取价格 |
ESD9N12BA-2/TR | Will Semiconductor Co. Ltd | VRWM=12V VBR(Min)=16.5V VC=18V IPP=5.5A Ppk=99W DFN1006-2L | | | 获取价格 |
WPM2341A-3/TR | Will Semiconductor Co. Ltd | P沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):4.3A 功率(Pd):1.7W | | | 获取价格 |
WNMD2167-6/TR | Will Semiconductor Co. Ltd | 类型:2个N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):5.7A;功率(Pd):900mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):21mΩ@4.5V,6.3A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1V@250μA; | | | 获取价格 |
WPT2F42-6/TR | Will Semiconductor Co. Ltd | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):30V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):1.2W;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@1A,2V; | | | 获取价格 |