| SMIRF4N65T9RL | Sourcechips | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):650V;连续漏极电流(Id):4A;功率(Pd):50W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.3Ω@10V,2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):13.7nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):610pF@25V;反向传输电容(Crss@Vds):7pF@25V;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| SPT15N120F1T8TL | Sourcechips | SPT15N120F1T8TL | | | 获取价格 |
| 2SC5027T1TL | Sourcechips | 2SC5027T1TL | | | 获取价格 |
| SM4803APRL | Sourcechips | SM4803APRL | | | 获取价格 |
| SM4447APRL | Sourcechips | -30V P沟道MOSFET | | | 获取价格 |
| SM3402SRL | Sourcechips | MOS管 N-Channel VDS=30V VGS=±12V ID=4A Pd=1.4W SOT23-3 | | | 获取价格 |
| SM480T9RL | Sourcechips | 30V/25A单N功率MOSFET极低导通电阻RDS（on）@VGS=4。5无VPb铅镀层：符合ROHS | | | 获取价格 |
| SM2910T9RL | Sourcechips | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):50A; | | | 获取价格 |
| SM4185T9RL | Sourcechips | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):40A;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):13.5mΩ; | | | 获取价格 |
| 2N3773T3BL | Sourcechips | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):140V;集电极电流(Ic):16A;功率(Pd):150W;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):4V@16A,3.2A;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):15@8A,4V;特征频率(fT):-;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| SMIRF5N65T1TL | Sourcechips | 类型:-;漏源电压(Vdss):-;连续漏极电流(Id):-;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):-;阈值电压(Vgs(th)@Id):-;栅极电荷(Qg@Vgs):-;输入电容(Ciss@Vds):-;反向传输电容(Crss@Vds):-; | | | 获取价格 |
| TIP41CT1TL | Sourcechips | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):100V;集电极电流(Ic):6A;功率(Pd):65W;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1.5V@6A,600mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):15@3A,4V;特征频率(fT):3MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| SM418T9RL | Sourcechips | | | | 获取价格 |
| BU406DT9TL | Sourcechips | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):200V;集电极电流(Ic):7A;功率(Pd):65W;集电极截止电流(Icbo):-;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):1V@5A,800mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):70@2A,5V;特征频率(fT):30MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| SM4435PRL | Sourcechips | SM4435PRL | | | 获取价格 |
| SM4805PRL | Sourcechips | SM4805PRL | | | 获取价格 |
| SM454AT9RL | Sourcechips | SM454AT9RL | | | 获取价格 |
| SM4485PRL | Sourcechips | P沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：10A 功率(Pd)：3.1W SOP8_150MIL | | | 获取价格 |
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