| PBSS5350T,215 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):50V;集电极电流(Ic):2A;功率(Pd):540mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):80@3A,2V; | | | 获取价格 |
| CJK3407 | Rubycon Corporation | 类型:P沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):4.1A;功率(Pd):300mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):60mΩ@10V,4.1A; | | | 获取价格 |
| BC859B,215 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):30V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):250mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):220@2mA,5V; | | | 获取价格 |
| PMMT491A,215 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):250mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):300@500mA,5V; | | | 获取价格 |
| PBSS4021NT,215 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):20V;集电极电流(Ic):4.3A;功率(Pd):1.1W;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):300@2A,2V; | | | 获取价格 |
| PMV20ENR | Rubycon Corporation | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id):6A;功率(Pd):510mW；6.94W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):21mΩ@10V,6A; | | | 获取价格 |
| BST82,215 | Rubycon Corporation | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):190mA;功率(Pd):830mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):10Ω@150mA,5V; | | | 获取价格 |
| PBSS4160T,215 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):400mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@500mA,5V; | | | 获取价格 |
| BCW61D,215 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):32V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):250mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):380@2mA,5V; | | | 获取价格 |
| BF824,215 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):30V;集电极电流(Ic):25mA;功率(Pd):250mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):25@4mA,10V; | | | 获取价格 |
| BC850C,215 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):250mW;集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):200mV@100mA,5mA;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):520@2mA,5V;特征频率(fT):100MHz;工作温度:+150℃@(Tj); | | | 获取价格 |
| BSH111BKR | Rubycon Corporation | 类型:N沟道;漏源电压(Vdss):55V;连续漏极电流(Id):210mA;功率(Pd):302mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4Ω@4.5V,200mA; | | | 获取价格 |
| PBSS4120T,215 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):20V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):480mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):300@500mA,2V; | | | 获取价格 |
| BC860C,215 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):250mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):420@2mA,5V; | | | 获取价格 |
| PBHV8540T,215 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):400V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):300mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):10@300mA,10V; | | | 获取价格 |
| BF822,215 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):250V;集电极电流(Ic):50mA;功率(Pd):250mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):50@25mA,20V; | | | 获取价格 |
| BCX17,215 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):250mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@100mA,1V; | | | 获取价格 |
| BCX70K,235 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):45V;集电极电流(Ic):100mA;功率(Pd):250mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):380@2mA,5V; | | | 获取价格 |
| PBSS5160TVL | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):60V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):400mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@1mA,5V; | | | 获取价格 |
| PBHV9040T,215 | Rubycon Corporation | 晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):400V;集电极电流(Ic):250mA;功率(Pd):300mW;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):80@100mA,10V; | | | 获取价格 |
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