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D-BYW36

D-BYW36

  • 厂商:

    DIOTEC(德欧泰克)

  • 封装:

  • 描述:

    D-BYW36 - Fast Silicon Rectifiers - Diotec Semiconductor

  • 数据手册
  • 价格&库存
D-BYW36 数据手册
D-BYW36, D-BYW38 D-BYW36, D-BYW38 Fast Silicon Rectifiers Schnelle Si-Gleichrichter Version 2008-01-18 Nominal Current Nennstrom Ø 2.6 -0.1 2A 600, 800 V DO-41 DO-204AL 0.4 g Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Plastic case Kunststoffgehäuse Weight approx. Gewicht ca. Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped and reeled Standard Lieferform gegurtet auf Rolle 6 2 .5 ±0.5 Typ e Ø 0.8±0.05 Dimensions - Maße [mm] Maximum ratings Type Typ D-BYW36 D-BYW38 Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] 600 1000 5 .1 -0.1 Grenzwerte Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] 600 1000 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur TA = 55°C f > 15 Hz TA = 25°C TA = 25°C IFAV IFRM IFSM i2t Tj TS 2 A 1) 10 A 1) 40/45 A 4.5 A2s -50...+150°C -50...+175°C 1 Valid if leads are kept at ambient temperature at distance of 10 mm from case Gültig wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 1 D-BYW36, D-BYW38 Characteristics Forward voltage Durchlass-Spannung Leakage current Sperrstrom Reverse recovery time Sperrverzug Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht umgebende Luft Tj = 25°C Tj = 25°C Tj = 100°C IF = 2 A VR = VRRM VR = VRRM VF IR IR trr RthA Kennwerte < 1.2 V < 5 µA < 50 µA < 250 ns < 45 K/W 1) IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to/auf IR = 0.25 A 120 [%] 100 102 [A] 10 Tj = 125°C 80 Tj = 25°C 60 1 40 10 20 IFAV 0 0 TA 50 100 150 [°C] IF 10-2 0.4 50a-(2a-1.1v) -1 VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8 Rated forward current versus ambient temperature Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) 1 Valid if leads are kept at ambient temperature at distance of 10 mm from case Gültig wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 2
D-BYW36 价格&库存

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