S2T

S2A ... S2Y S2A ... S2Y Surface Mount Silicon Rectifier Diodes Silizium-Gleichrichterdioden für die Oberflächenmontage Version 2010-12-06 Nominal Current – Nennstrom 5.4± 0.5 2.2± 0.2 2.1± 0.1 2A 50...2000 V ~ SMB ~ DO-214AA 0.1 g Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Plastic case Kunststoffgehäuse Weight approx. – Gewicht ca. Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped and reeled Standard Lieferform gegurtet auf Rolle 1.1 0.15 3.7± 0.1 Type Typ 5 ± 0.5 Dimensions - Maße [mm] Maximum ratings Type Typ S2A S2B S2D S2G S2J S2K S2M S2T S2W S2X S2Y Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] 50 100 200 400 600 800 1000 1300 1600 1800 2000 TT = 100°C f > 15 Hz TA = 25°C TA = 25°C IFAV IFRM IFSM i2t 2 Grenzwerte Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] 50 100 200 400 600 800 1000 1300 1600 1800 2000 2A 10 A 1) 50/55 A 12 A2s -50...+150°C -50...+150°C Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur TS Tj 1 Mounted on P.C. board with 50 mm2 copper pads at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 50 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 1 S2A ... S2Y Characteristics Forward voltage – Durchlass-Spannung Leakage current Sperrstrom Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft Thermal resistance junction to terminal Wärmewiderstand Sperrschicht − Anschluss Tj = 25°C Tj = 25°C Tj = 100°C IF = 2 A VR = VRRM VR = VRRM VF IR IR RthA RthT Kennwerte < 1.15 V < 5 µA < 100 µA < 50 K/W 1) < 15 K/W 120 [%] 100 102 [A] 10 Tj = 125°C 80 Tj = 25°C 60 1 40 10 20 IFAV 0 0 TT 50 100 150 [°C] IF 10-2 0.4 50a-(1a-1.1v) -1 VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8 Rated forward current vs. temp. of the terminals Zul. Richtstrom in Abh. v. d. Temp. der Terminals Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) 10 2 [A] 10 îF 1 1 10 102 [n] 103 Peak forward surge current versus number of cycles at 50 Hz Durchlaß-Spitzenstrom in Abh. von der Zahl der Halbwellen bei 50 Hz 1 Mounted on P.C. board with 50 mm2 copper pads at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 50 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 2