TSK2520D2

TSK2520D2 TSK2520D2 Protectifiers® – LowVF-Rectifier with Overvoltage protection Protectifiers® – LowVF-Gleichrichter mit Überspannungs-Schutz Version 2009-05-08 0.4 4.5 ±0. 2 10.25 -0.1 4 Ty p e Typ Nominal Current Nennstrom Stand-off voltage Sperrspannung Plastic case Kunststoffgehäuse 1.3 25 A 20 V TO-263AB (D²PAK) 1.8 g 1 2 0.8 3 Weight approx. Gewicht ca. Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging in tubes Standard Lieferform in Stangen 0.4 5.08 1 4 Dimensions - Maße [mm] 3 Low forward losses, high reverse pulse power capability Niedrige Durchlass-Verluste, hohe Rückwärts-Pulsbelastbarkeit Maximum ratings and Charactistics (TJ = 25°C) Type Typ Stand-off voltage Sperrspannung VWM [V] TSK2520D2 20 Max. rev. current Max. Sperrstrom at/bei VWM ID [µA] 200 Grenz- und Kennwerte (TJ = 25°C) Breakdown voltage Abbruch-Spannung VBR min [V] 22 IT [mA] 5 Forward voltage Durchlass-Spannung VF [V] 1) IF = 5A < 0.45 IF = 25A < 0.55 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last Total steady state power dissipation Gesamtverlustleistung im Dauerbetrieb Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms Junction temperature – Sperrschichttemperatur ... in DC forward mode – bei Gleichstrom-Durchlassbetrieb Storage temperature – Lagerungstemperatur TC = 100°C TC = 100°C f > 15 Hz TA = 25°C TA = 25°C IFAV Ptot IFRM IFSM i2t Tj Tj TS 25 A 1) 25 W 60 A 1) 300/340 A 450 A2s -50...+150°C ≤ 200°C -50...+175°C 1 Both anode pins need to be connected – Beide Anodenanschlüsse müssen kontaktiert werden http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 1 TSK2520D2 Characteristics Leakage current – Sperrstrom ESD rating according to JESD22-A114 / contact discharge ESD-Festigkeit gemäß JESD22-A114 / Kontaktentladung Max. reverse peak pulse current Max. Impuls-Strom in Sperr-Richtung Max. reverse peak pulse current Max. Impuls-Strom in Sperr-Richtung Reverse recovery time Sperrverzug Thermal resistance junction to case Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse 10/1000µs pulse 2) 8/20µs pulse 3) Tj = 25°C Tj = 100°C C = 100pF TA = 25°C TA = 25°C IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to IR = 0.25 A VR = VWM VR = VWM R = 1.5kΩ IPPM IPPM trr RthC IR IR Kennwerte < 200 µA < 15 mA 20 kV 1) 18 A 1) 400 A 1) 4 ) < 1.5 K/W 120 [%] 100 102 [A] 10 80 1 60 40 10 20 IFAV 0 0 TC 50 100 150 [°C] -1 IF 10-2 Rated forward current vs. temp. of the case Zul. Richtstrom in Abh. v. d. Temp. Des Gehäuses 0 0.4 0.6 1.0 VF [V] Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) 1 2 3 4 Both anode pins need to be connected – Beide Anodenanschlüsse müssen kontaktiert werden See curve IPP = f (t) 10/1000µs – Siehe Kurve IPP = f (t) 10/1000µs See curve IPP = f (t) 8/20µs – Siehe Kurve IPP = f (t) 8/20µs Comparable to a Schottky diode – Vergleichbar einer Schottky-Diode http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG 2 TSK2520D2 tr = 10 µs 100 [%] 80 100 [%] 80 tr = 8 µs 60 PPPM/2 IPPM/2 60 PPPM/2 IPPM/2 40 IPP 20 PPP 0 0 40 IPP 20 PPP 1 2 3 [ms] 4 0 0 tP t 10/1000µs - pulse waveform 10/1000µs - Impulsform tP t 20 40 60 [µs] 8/20µs - pulse waveform 8/20µs - Impulsform © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 3