Technische Information / Technical Information
Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode
46 DN 02 ... 06
N
Vorläufige Daten Preliminary data
VRRM VRSM IFRMSM IFAVM IFSM I²t 200, 400 600 250, 450 650 8000 V V V V A
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung non-repetitive peak reverse voltage Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert RMS forward current Dauergrenzstrom mean forward current Stoßstrom-Grenzwert surge forward current Grenzlastintegral I²t-value
T K = 118°C T vj = - 25°C...Tvj max
T vj = + 25°C...Tvj max
5100
A
T vj = 25°C, tp = 10ms T vj = Tvj max, tp = 10ms T vj = 25°C, tp = 10ms T vj = Tvj max, tp = 10ms
60 52 18,0 13,5
kA kA A²s*106 A²s*106
Charakteristische Werte / Characteristic values Durchlaßspannung forward voltage Schleusenspannung threshold voltage Ersatzwiderstand forward slope resistance Sperrstrom reverse current
T vj = Tvj max, iF = 14kA
vF V(TO) rT iR
max.
1,36
V
T vj = Tvj max
0,7
V mΩ
T vj = Tvj max
0,047
T vj = Tvj max, vR = VRRM
max.
60
mA
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case
Kühlfläche / cooling surface beidseitig / two-sided, Θ = 180°sin beidseitig / two-sided, DC Anode / anode, Θ = 180°sin Anode / anode, DC Kathode / cathode, Θ = 180°sin Kathode / cathode, DC
RthJC max. 0,00935 max. 0,00879 max. max. max. max. RthCK max. 0,0030 °C/W °C/W °C/W °C/W °C/W °C/W °C/W
Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink
Kühlfläche / cooling surface beidseitig / two-sided
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur max. junction temperature Betriebstemperatur operating temperature Lagertemperatur storage temperature
T vj max T c op T stg
180
°C
- 40...+180
°C
- 40...+180
°C
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Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode
46 DN 02 ... 06
N
Vorläufige Daten Preliminary data
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Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage case, see appendix Si-Elemente mit Druckkontakt Si-pellets with pressure contact Anpreßkraft clamping force Gewicht weight Kriechstrecke creepage distance Schwingfestigkeit vibration resistance
f = 50Hz
F
30...45
kN
G
typ.
102
g
mm
50
m/s²
Hinweis :
Wir empfehlen die Diode mit einem temperaturbeständigen O-Ring zu schützen.
Notice:
We recommend to protect the diode with a temperture resistant O-Rin g.
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. / This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. SZ-AM / 99-09-24, K.-A.Rüther A118/99 Seite/page 2
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Netz Gleichrichterdiode Rectifier Diode
46 DN 02 ... 06
N
4,1
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Z. Nr.: 1
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Netz Gleichrichterdiode Rectifier DiodeThyristor
46 DN 02 ... 06
N
Kühlung cooling
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes ZthJC für DC Analytical ementes of transient thermal impedance ZthJC for DC Pos.n 1
0,000017 0,000014
2
0,000150 0,000173
3
0,00105 0,00110
4
0,000413 0,004360
5
0,00093 0,01950
6
0,003475 0,092000
7
0,00275 0,28200
beidseitig two-sided anodenseitig anode-sided kathodenseitig cathode-sided
Rthn [°C/W]
τ n [s]
Rthn [°C/W]
τ n [s]
Rthn [°C/W]
τ n [s] =∑
n max
Analytische Funktion / analytical function : ZthJC =
Rthn ( 1 - EXP ( - t / τn ))
n=1
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Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode
46 DN 02 ... 06
N
18000 vT = A+B*iT+ln(iT+1)+√ iT Tvj = 25 °C 16000 A = 0,884 B =1,22746E-05 C = -2,603E-02 D = 5,4002E-03 = 0,63337 = 7,07695E-06 = -2,8199E-02 = 7,553E-03 Tvj = Tvj max
14000
12000
10000
iF [A]
8000 6000 4000 2000 0 0,6 0,8 1 1,2 1,4 1,6
vF[V]
Grenzdurchlaßkennlinien / Limiting 0n-state characteristics iF = f(vT) Tvj = Tvjmax Tvj = 25 °C
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Netz Gleichrichterdiode Rectifier Diode
46 DN 02 ... 06
N
0,009 DC
0,008
0,007
0,006
R (th) JC [°C/W]
0,005
0,004
0,003
0,002
0,001
0,000 0,001
0,01
0,1 t [s]
1
10
Transienter innerer Wärmewiderstand / Transient thermal impedance Z(th)JC = f(t), DC
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Z. Nr.: 3
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Netz Gleichrichterdiode Rectifier Diode
0,014
46 DN 06
N
0,012
0,01
0,008 ∆ RthJC [°C/W] 0,006 0,004 0,002 0 30 60 90 120 150 180
Θ [ °el]
Differenz zwischen den Wärmewiderständen für Pulsstrom und DC / Difference between the values of thermal for pulse current and DC Parameter: Stromkurvenform / Current waveform
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Netz Gleichrichterdiode Rectifier Diode
46 DN 02 ... 06
N
100.000
50.000 I TAV (vor) = 0A 2400A 2800A 3100 A 3400A 3600A
I T (OV) [A]
30.000
10.000 0,01
0,1
1 t [s]
10
100
Überstrom / Overload on-state current IF(OV) = f(t) Beidseitige verstärkte Kühlung / forced two-sided cooling K0.024 TA = 25°C, VL = 4 l/s Parameter: Vorlaststrom / pre-load current IFAV(vor)
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Gleichrichterdiode Rectifier Diode
46 DN 02 ... 06
N
1
0,9
0,8
0,7
∫i² dt (normiert)
0,6
0,5
0,4
0,3
0,2 0 1 2 3 4 5 tp [ms] Normiertes Grenzlastintegral als Funktion der Halbschwingungsdauer tp Normalized ∫i²dt rating as a function of the duration of a half-cycle tp
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6
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8
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10
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Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode 10.000
46 DN 02 ... 06
N
i FM = [A] 3200 1600 800 400 200 1.000 100
Qr [µAs] 100 10 0,1 1 10 -di/dt [A/µs] Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(-di/dt) Tvj = Tvjmax; VR = 0,5 VRRM; VRM = 0,8 VRRM Parameter: Durchlaßstrom / Foward current iFM Richtwert für obere Streubereichsgrenze / Upper limit of scatter range (standard value) Beschaltung: C = 1µf , R = 4 Ω
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100
1000
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Netz-Gleichrichterdiode Rectifier Diode 10.000 i FM = [A] 3200/1600 800 400 200 100
46 DN 02 ... 06
N
1.000
Qr [µAs] 100 10 0,1 1 10 -di/dt [A/µs] 100 1000
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(-di/dt) Tvj = Tvjmax; VR = 0,5 VRRM; VRM = 0,8 VRRM Parameter: Durchlaßstrom / Foward current iFM Richtwert für obere Streubereichsgrenze / Upper limit of scatter range (standard value) Beschaltung: 2,2 µF, R = 1,8 Ω
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