TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FP35R12W2T4
EasyPIM™ModulmitschnellemTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlled4DiodeundNTC
EasyPIM™modulewithfastTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlled4diodeandNTC
VorläufigeDaten/PreliminaryData
VCES = 1200V
IC nom = 35A / ICRM = 70A
TypischeAnwendungen
• Hilfsumrichter
• Klimaanlagen
• Motorantriebe
TypicalApplications
• AuxiliaryInverters
• AirConditioning
• MotorDrives
ElektrischeEigenschaften
• NiedrigeSchaltverluste
• TrenchIGBT4
• VCEsatmitpositivemTemperaturkoeffizienten
• NiedrigesVCEsat
ElectricalFeatures
• LowSwitchingLosses
• TrenchIGBT4
• VCEsatwithpositiveTemperatureCoefficient
• LowVCEsat
MechanischeEigenschaften
• Al2O3 Substrat mit kleinem thermischen
Widerstand
• KompaktesDesign
• Lötverbindungstechnik
• Robuste Montage durch integrierte
Befestigungsklammern
MechanicalFeatures
• Al2O3SubstratewithLowThermalResistance
• Compactdesign
• SolderContactTechnology
• Rugged mounting due to integrated mounting
clamps
ModuleLabelCode
BarcodeCode128
DMX-Code
preparedby:DK
dateofpublication:2013-10-03
approvedby:MB
revision:2.2
ContentoftheCode
Digit
ModuleSerialNumber
ModuleMaterialNumber
ProductionOrderNumber
Datecode(ProductionYear)
Datecode(ProductionWeek)
1-5
6-11
12-19
20-21
22-23
ULapproved(E83335)
1
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FP35R12W2T4
VorläufigeDaten
PreliminaryData
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emittervoltage
Tvj = 25°C
VCES
Kollektor-Dauergleichstrom
ContinuousDCcollectorcurrent
TC = 100°C, Tvj max = 175°C
TC = 25°C, Tvj max = 175°C
IC nom
IC
35
54
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
Repetitivepeakcollectorcurrent
tP = 1 ms
ICRM
70
A
Gesamt-Verlustleistung
Totalpowerdissipation
TC = 25°C, Tvj max = 175
Ptot
215
W
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterpeakvoltage
VGES
+/-20
V
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emittersaturationvoltage
min.
IC = 35 A, VGE = 15 V
IC = 35 A, VGE = 15 V
IC = 35 A, VGE = 15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Gate-Schwellenspannung
Gatethresholdvoltage
IC = 1,20 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
Gateladung
Gatecharge
V
1200
VCE sat
A
A
typ.
max.
1,85
2,15
2,25
2,25
V
V
V
VGEth
5,2
5,8
6,4
V
VGE = -15 V ... +15 V
QG
0,27
µC
InternerGatewiderstand
Internalgateresistor
Tvj = 25°C
RGint
0,0
Ω
Eingangskapazität
Inputcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cies
2,00
nF
Rückwirkungskapazität
Reversetransfercapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cres
0,07
nF
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emittercut-offcurrent
VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C
ICES
1,0
mA
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterleakagecurrent
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
IGES
400
nA
td on
0,025
0,025
0,025
µs
µs
µs
tr
0,013
0,016
0,018
µs
µs
µs
td off
0,24
0,295
0,31
µs
µs
µs
tf
0,115
0,17
0,20
µs
µs
µs
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-ondelaytime,inductiveload
IC = 35 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGon = 12 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Anstiegszeit,induktiveLast
Risetime,inductiveload
IC = 35 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGon = 12 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-offdelaytime,inductiveload
IC = 35 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGoff = 12 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Fallzeit,induktiveLast
Falltime,inductiveload
IC = 35 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGoff = 12 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
EinschaltverlustenergieproPuls
Turn-onenergylossperpulse
IC = 35 A, VCE = 600 V, LS = 35 nH
Tvj = 25°C
VGE = ±15 V, di/dt = 2500 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGon = 12 Ω
Tvj = 150°C
Eon
1,90
2,90
3,15
mJ
mJ
mJ
AbschaltverlustenergieproPuls
Turn-offenergylossperpulse
IC = 35 A, VCE = 600 V, LS = 35 nH
Tvj = 25°C
VGE = ±15 V, du/dt = 3600 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGoff = 12 Ω
Tvj = 150°C
Eoff
2,00
2,90
3,20
mJ
mJ
mJ
Kurzschlußverhalten
SCdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 900 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
ISC
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
proIGBT/perIGBT
RthJC
0,60
0,70 K/W
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT
Thermalresistance,casetoheatsink
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
0,60
K/W
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
-40
preparedby:DK
dateofpublication:2013-10-03
approvedby:MB
revision:2.2
2
tP ≤ 10 µs, Tvj = 150°C
130
150
A
°C
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FP35R12W2T4
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
Tvj = 25°C
Dauergleichstrom
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
Repetitivepeakforwardcurrent
tP = 1 ms
Grenzlastintegral
I²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C
VRRM
1200
V
IF
35
A
IFRM
70
A
I²t
240
220
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
1,65
1,65
1,65
2,15
A²s
A²s
Durchlassspannung
Forwardvoltage
IF = 35 A, VGE = 0 V
IF = 35 A, VGE = 0 V
IF = 35 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
VF
Rückstromspitze
Peakreverserecoverycurrent
IF = 35 A, - diF/dt = 2500 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 600 V
VGE = -15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
IRM
81,0
85,0
88,0
A
A
A
Sperrverzögerungsladung
Recoveredcharge
IF = 35 A, - diF/dt = 2500 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 600 V
VGE = -15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Qr
3,95
6,80
7,50
µC
µC
µC
AbschaltenergieproPuls
Reverserecoveryenergy
IF = 35 A, - diF/dt = 2500 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 600 V
VGE = -15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Erec
1,50
2,70
2,95
mJ
mJ
mJ
RthJC
0,80
0,90 K/W
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode
Thermalresistance,casetoheatsink
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
0,75
K/W
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
-40
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
proDiode/perdiode
V
V
V
150
°C
Diode,Gleichrichter/Diode,Rectifier
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
VRRM
1600
V
DurchlassstromGrenzeffektivwertproChip
TC = 100°C
MaximumRMSforwardcurrentperchip
IFRMSM
60
A
GleichrichterAusgangGrenzeffektivstrom
MaximumRMScurrentatrectifieroutput
TC = 100°C
IRMSM
60
A
StoßstromGrenzwert
Surgeforwardcurrent
tp = 10 ms, Tvj = 25°C
tp = 10 ms, Tvj = 150°C
IFSM
450
370
A
A
Grenzlastintegral
I²t-value
tp = 10 ms, Tvj = 25°C
tp = 10 ms, Tvj = 150°C
I²t
1000
685
A²s
A²s
Tvj = 25°C
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
VF
0,95
V
IR
1,00
mA
RthJC
1,05
1,15 K/W
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode
Thermalresistance,casetoheatsink
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
0,95
K/W
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
preparedby:DK
dateofpublication:2013-10-03
approvedby:MB
revision:2.2
Durchlassspannung
Forwardvoltage
Tvj = 150°C, IF = 35 A
Sperrstrom
Reversecurrent
Tvj = 150°C, VR = 1600 V
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
proDiode/perdiode
3
°C
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FP35R12W2T4
VorläufigeDaten
PreliminaryData
IGBT,Brems-Chopper/IGBT,Brake-Chopper
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emittervoltage
Tvj = 25°C
VCES
Kollektor-Dauergleichstrom
ContinuousDCcollectorcurrent
TC = 100°C, Tvj max = 175°C
TC = 25°C, Tvj max = 175°C
IC nom
IC
35
54
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
Repetitivepeakcollectorcurrent
tP = 1 ms
ICRM
70
A
Gesamt-Verlustleistung
Totalpowerdissipation
TC = 25°C, Tvj max = 175
Ptot
215
W
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterpeakvoltage
VGES
+/-20
V
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emittersaturationvoltage
min.
IC = 35 A, VGE = 15 V
IC = 35 A, VGE = 15 V
IC = 35 A, VGE = 15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Gate-Schwellenspannung
Gatethresholdvoltage
IC = 1,20 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
Gateladung
Gatecharge
V
1200
VCE sat
A
A
typ.
max.
1,85
2,15
2,25
2,25
V
V
V
VGEth
5,2
5,8
6,4
V
VGE = -15 V ... +15 V
QG
0,27
µC
InternerGatewiderstand
Internalgateresistor
Tvj = 25°C
RGint
0,0
Ω
Eingangskapazität
Inputcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cies
2,00
nF
Rückwirkungskapazität
Reversetransfercapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cres
0,07
nF
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emittercut-offcurrent
VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C
ICES
1,0
mA
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterleakagecurrent
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
IGES
400
nA
td on
0,07
0,07
0,07
µs
µs
µs
tr
0,045
0,05
0,057
µs
µs
µs
td off
0,28
0,44
0,45
µs
µs
µs
tf
0,115
0,175
0,205
µs
µs
µs
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-ondelaytime,inductiveload
IC = 35 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGon = 47 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Anstiegszeit,induktiveLast
Risetime,inductiveload
IC = 35 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGon = 47 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-offdelaytime,inductiveload
IC = 35 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGoff = 47 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Fallzeit,induktiveLast
Falltime,inductiveload
IC = 35 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGoff = 47 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
EinschaltverlustenergieproPuls
Turn-onenergylossperpulse
IC = 35 A, VCE = 600 V, LS = 35 nH
VGE = ±15 V
RGon = 47 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Eon
5,00
6,50
7,00
mJ
mJ
mJ
AbschaltverlustenergieproPuls
Turn-offenergylossperpulse
IC = 35 A, VCE = 600 V, LS = 35 nH
VGE = ±15 V
RGoff = 47 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Eoff
2,10
3,05
3,35
mJ
mJ
mJ
Kurzschlußverhalten
SCdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 900 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
tP ≤ 10 µs, Tvj = 150°C
ISC
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
proIGBT/perIGBT
RthJC
0,60
0,70 K/W
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT
Thermalresistance,casetoheatsink
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
0,60
K/W
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
-40
preparedby:DK
dateofpublication:2013-10-03
approvedby:MB
revision:2.2
4
130
150
A
°C
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FP35R12W2T4
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Diode,Brems-Chopper/Diode,Brake-Chopper
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
Tvj = 25°C
Dauergleichstrom
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
Repetitivepeakforwardcurrent
tP = 1 ms
Grenzlastintegral
I²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C
VRRM
1200
V
IF
10
A
IFRM
20
A
I²t
16,0
14,0
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
1,75
1,75
1,75
2,25
A²s
A²s
Durchlassspannung
Forwardvoltage
IF = 10 A, VGE = 0 V
IF = 10 A, VGE = 0 V
IF = 10 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
VF
Rückstromspitze
Peakreverserecoverycurrent
IF = 10 A, - diF/dt = 500 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 600 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
IRM
12,0
10,0
8,00
A
A
A
Sperrverzögerungsladung
Recoveredcharge
IF = 10 A, - diF/dt = 500 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 600 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Qr
0,90
1,70
1,90
µC
µC
µC
AbschaltenergieproPuls
Reverserecoveryenergy
IF = 10 A, - diF/dt = 500 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 600 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Erec
0,24
0,52
0,59
mJ
mJ
mJ
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
proDiode/perdiode
RthJC
1,75
1,95 K/W
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode
Thermalresistance,casetoheatsink
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
1,30
K/W
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
-40
150
min.
typ.
max.
R25
5,00
kΩ
∆R/R
-5
5
%
P25
20,0
mW
V
V
V
°C
NTC-Widerstand/NTC-Thermistor
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Nennwiderstand
Ratedresistance
TC = 25°C
AbweichungvonR100
DeviationofR100
TC = 100°C, R100 = 493 Ω
Verlustleistung
Powerdissipation
TC = 25°C
B-Wert
B-value
R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/50
3375
K
B-Wert
B-value
R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/80
3411
K
B-Wert
B-value
R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/100
3433
K
AngabengemäßgültigerApplicationNote.
Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.
preparedby:DK
dateofpublication:2013-10-03
approvedby:MB
revision:2.2
5
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FP35R12W2T4
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Modul/Module
Isolations-Prüfspannung
Isolationtestvoltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
InnereIsolation
Internalisolation
Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140)
basicinsulation(class1,IEC61140)
Al2O3
Kriechstrecke
Creepagedistance
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
11,5
6,3
mm
Luftstrecke
Clearance
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
10,0
5,0
mm
VergleichszahlderKriechwegbildung
Comperativetrackingindex
CTI
> 200
VISOL
kV
2,5
min.
typ.
max.
LsCE
30
nH
RCC'+EE'
RAA'+CC'
5,00
6,00
mΩ
Tstg
-40
125
°C
Anpresskraft für mech. Bef. pro Feder
mountig force per clamp
F
40
-
80
N
Gewicht
Weight
G
39
g
Modulstreuinduktivität
Strayinductancemodule
Modulleitungswiderstand,AnschlüsseChip
Moduleleadresistance,terminals-chip
TC=25°C,proSchalter/perswitch
Lagertemperatur
Storagetemperature
Der Strom im Dauerbetrieb ist auf 30A effektiv pro Anschlusspin begrenzt.
The current under continuous operation is limited to 30A rms per connector pin.
preparedby:DK
dateofpublication:2013-10-03
approvedby:MB
revision:2.2
6
TechnischeInformation/TechnicalInformation
FP35R12W2T4
IGBT-Module
IGBT-modules
VorläufigeDaten
PreliminaryData
AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE)
VGE=15V
AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE)
Tvj=150°C
70
70
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
65
60
55
55
50
50
45
45
40
40
IC [A]
IC [A]
60
35
35
30
30
25
25
20
20
15
15
10
10
5
5
0
0,0
0,5
1,0
VGE = 19V
VGE = 17V
VGE = 15V
VGE = 13V
VGE = 11V
VGE = 9V
65
1,5
2,0
VCE [V]
2,5
3,0
3,5
0
4,0
0,0
1,0
2,0
3,0
4,0
5,0
VCE [V]
ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch)
transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VGE)
VCE=20V
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
Eon=f(IC),Eoff=f(IC)
VGE=±15V,RGon=12Ω,RGoff=12Ω,VCE=600V
70
10,0
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
65
60
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 150°C
9,0
55
8,0
50
7,0
45
6,0
E [mJ]
IC [A]
40
35
30
5,0
4,0
25
20
3,0
15
2,0
10
1,0
5
0
5
6
7
8
9
VGE [V]
10
11
12
0,0
13
0
10
20
30
40
IC [A]
preparedby:DK
dateofpublication:2013-10-03
approvedby:MB
revision:2.2
7
50
60
70
TechnischeInformation/TechnicalInformation
FP35R12W2T4
IGBT-Module
IGBT-modules
VorläufigeDaten
PreliminaryData
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
Eon=f(RG),Eoff=f(RG)
VGE=±15V,IC=35A,VCE=600V
TransienterWärmewiderstandIGBT,Wechselrichter
transientthermalimpedanceIGBT,Inverter
ZthJH=f(t)
14
10
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 150°C
12
ZthJH : IGBT
10
1
E [mJ]
ZthJH [K/W]
8
6
0,1
4
2
0
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,058 0,135 0,47 0,537
τi[s]:
0,0005 0,005 0,05 0,2
0
20
40
60
80
RG [Ω]
100
120
0,01
0,001
140
SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter
(RBSOA)
reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA)
IC=f(VCE)
VGE=±15V,RGoff=12Ω,Tvj=150°C
77
IC, Modul
IC, Chip
70
1
10
70
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
65
60
55
56
50
49
45
40
42
IF [A]
IC [A]
0,1
t [s]
DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch)
forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)
IF=f(VF)
63
35
35
30
28
25
21
20
15
14
10
7
0
0,01
5
0
200
400
600
800
VCE [V]
1000
1200
0
1400
0,0
0,5
1,0
1,5
VF [V]
preparedby:DK
dateofpublication:2013-10-03
approvedby:MB
revision:2.2
8
2,0
2,5
TechnischeInformation/TechnicalInformation
FP35R12W2T4
IGBT-Module
IGBT-modules
VorläufigeDaten
PreliminaryData
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(IF)
RGon=12Ω,VCE=600V
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(RG)
IF=35A,VCE=600V
5,0
4,0
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
3,5
4,0
3,0
2,5
E [mJ]
E [mJ]
3,0
2,0
2,0
1,5
1,0
1,0
0,5
0,0
0
10
20
30
40
50
60
0,0
70
0
20
40
IF [A]
TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter
transientthermalimpedanceDiode,Inverter
ZthJH=f(t)
60
80
RG [Ω]
100
120
140
DurchlasskennliniederDiode,Gleichrichter(typisch)
forwardcharacteristicofDiode,Rectifier(typical)
IF=f(VF)
10
70
ZthJH : Diode
Tvj = 25°C
Tvj = 150°C
65
60
55
50
40
IF [A]
ZthJH [K/W]
45
1
35
30
25
20
15
10
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,104 0,237 0,636 0,573
τi[s]:
0,0005 0,005 0,05 0,2
0,1
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
5
0
10
preparedby:DK
dateofpublication:2013-10-03
approvedby:MB
revision:2.2
9
0,2
0,4
0,6
0,8
VF [V]
1,0
1,2
1,4
TechnischeInformation/TechnicalInformation
FP35R12W2T4
IGBT-Module
IGBT-modules
VorläufigeDaten
PreliminaryData
AusgangskennlinieIGBT,Brems-Chopper(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Brake-Chopper(typical)
IC=f(VCE)
VGE=15V
DurchlasskennliniederDiode,Brems-Chopper(typisch)
forwardcharacteristicofDiode,Brake-Chopper(typical)
IF=f(VF)
70
20
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
65
60
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
18
55
16
50
14
45
12
IF [A]
IC [A]
40
35
30
10
8
25
20
6
15
4
10
2
5
0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
VCE [V]
3,0
3,5
0
4,0
100000
Rtyp
R[Ω]
10000
1000
0
20
40
60
80
100
TC [°C]
0,5
1,0
1,5
VF [V]
NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch)
NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical)
R=f(T)
100
0,0
120
140
160
preparedby:DK
dateofpublication:2013-10-03
approvedby:MB
revision:2.2
10
2,0
2,5
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FP35R12W2T4
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Schaltplan/circuit_diagram_headline
J
Gehäuseabmessungen/packageoutlines
In fin e o n
preparedby:DK
dateofpublication:2013-10-03
approvedby:MB
revision:2.2
11
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
FP35R12W2T4
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Nutzungsbedingungen
DieindiesemProduktdatenblattenthaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilung
derEignungdiesesProduktesfürIhreAnwendungsowiedieBeurteilungderVollständigkeitderbereitgestelltenProduktdatenfürdiese
AnwendungobliegtIhnenbzw.IhrentechnischenAbteilungen.
IndiesemProduktdatenblattwerdendiejenigenMerkmalebeschrieben,fürdiewireineliefervertraglicheGewährleistungübernehmen.Eine
solcheGewährleistungrichtetsichausschließlichnachMaßgabederimjeweiligenLiefervertragenthaltenenBestimmungen.Garantien
jeglicherArtwerdenfürdasProduktunddessenEigenschaftenkeinesfallsübernommen.DieAngabenindengültigenAnwendungs-und
MontagehinweisendesModulssindzubeachten.
SolltenSievonunsProduktinformationenbenötigen,dieüberdenInhaltdiesesProduktdatenblattshinausgehenundinsbesondereeine
spezifischeVerwendungunddenEinsatzdiesesProduktesbetreffen,setzenSiesichbittemitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroin
Verbindung(siehewww.infineon.com,Vertrieb&Kontakt).FürInteressentenhaltenwirApplicationNotesbereit.
AufgrunddertechnischenAnforderungenkönnteunserProduktgesundheitsgefährdendeSubstanzenenthalten.BeiRückfragenzudenin
diesemProduktjeweilsenthaltenenSubstanzensetzenSiesichbitteebenfallsmitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroinVerbindung.
SolltenSiebeabsichtigen,dasProduktinAnwendungenderLuftfahrt,ingesundheits-oderlebensgefährdendenoderlebenserhaltenden
Anwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirumMitteilung.Wirweisendaraufhin,dasswirfürdieseFälle
-diegemeinsameDurchführungeinesRisiko-undQualitätsassessments;
-denAbschlussvonspeziellenQualitätssicherungsvereinbarungen;
-diegemeinsameEinführungvonMaßnahmenzueinerlaufendenProduktbeobachtungdringendempfehlenund
gegebenenfallsdieBelieferungvonderUmsetzungsolcherMaßnahmenabhängigmachen.
Soweiterforderlich,bittenwirSie,entsprechendeHinweiseanIhreKundenzugeben.
InhaltlicheÄnderungendiesesProduktdatenblattsbleibenvorbehalten.
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Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers.
Changesofthisproductdatasheetarereserved.
preparedby:DK
dateofpublication:2013-10-03
approvedby:MB
revision:2.2
12
工商网监
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