FP75R12KT4
EconoPIM™3ModulmitschnellemTrench/FeldstoppIGBT4undEmitterControlled4DiodeundNTC
EconoPIM™3modulewithfastTrench/FieldstopIGBT4andEmitterControlled4diodeandNTC
VCES = 1200V
IC nom = 75A / ICRM = 150A
PotentielleAnwendungen
• Hilfsumrichter
• MedizinischeAnwendungen
• Motorantriebe
• Servoumrichter
PotentialApplications
• Auxiliaryinverters
• Medicalapplications
• Motordrives
• Servodrives
ElektrischeEigenschaften
• NiedrigeSchaltverluste
• NiedrigesVCEsat
• Tvjop=150°C
• VCEsatmitpositivemTemperaturkoeffizienten
ElectricalFeatures
• Lowswitchinglosses
• LowVCEsat
• Tvjop=150°C
• VCEsatwithpositivetemperaturecoefficient
MechanischeEigenschaften
• HoheLast-undthermischeWechselfestigkeit
• IntegrierterNTCTemperaturSensor
• Kupferbodenplatte
• Lötverbindungstechnik
• Standardgehäuse
MechanicalFeatures
• Highpowerandthermalcyclingcapability
• IntegratedNTCtemperaturesensor
• Copperbaseplate
• Soldercontacttechnology
• Standardhousing
ModuleLabelCode
BarcodeCode128
DMX-Code
Datasheet
www.infineon.com
ContentoftheCode
Digit
ModuleSerialNumber
ModuleMaterialNumber
ProductionOrderNumber
Datecode(ProductionYear)
Datecode(ProductionWeek)
1-5
6-11
12-19
20-21
22-23
PleasereadtheImportantNoticeandWarningsattheendofthisdocument
V3.0
2018-03-02
FP75R12KT4
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emittervoltage
Tvj = 25°C
VCES
Kollektor-Dauergleichstrom
ContinuousDCcollectorcurrent
TC = 95°C, Tvj max = 175°C
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
Repetitivepeakcollectorcurrent
tP = 1 ms
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterpeakvoltage
1200
V
IC nom
75
A
ICRM
150
A
VGES
+/-20
V
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emittersaturationvoltage
min.
IC = 75 A, VGE = 15 V
IC = 75 A, VGE = 15 V
IC = 75 A, VGE = 15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
VCE sat
typ.
max.
1,85
2,15
2,25
2,15
V
V
V
5,80
6,40
V
Gate-Schwellenspannung
Gatethresholdvoltage
IC = 2,40 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
Gateladung
Gatecharge
VGE = -15 / 15 V
QG
0,57
µC
InternerGatewiderstand
Internalgateresistor
Tvj = 25°C
RGint
10
Ω
Eingangskapazität
Inputcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cies
4,30
nF
Rückwirkungskapazität
Reversetransfercapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cres
0,16
nF
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emittercut-offcurrent
VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C
ICES
1,0
mA
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterleakagecurrent
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
IGES
100
nA
VGEth
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-ondelaytime,inductiveload
IC = 75 A, VCE = 600 V
VGE = -15 / 15 V
RGon = 1,1 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Anstiegszeit,induktiveLast
Risetime,inductiveload
IC = 75 A, VCE = 600 V
VGE = -15 / 15 V
RGon = 1,1 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-offdelaytime,inductiveload
IC = 75 A, VCE = 600 V
VGE = -15 / 15 V
RGoff = 1,1 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Fallzeit,induktiveLast
Falltime,inductiveload
IC = 75 A, VCE = 600 V
VGE = -15 / 15 V
RGoff = 1,1 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
EinschaltverlustenergieproPuls
Turn-onenergylossperpulse
IC = 75 A, VCE = 600 V, Lσ = 40 nH
di/dt = 2500 A/µs (Tvj = 150°C)
VGE = -15 / 15 V, RGon = 1,1 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
AbschaltverlustenergieproPuls
Turn-offenergylossperpulse
IC = 75 A, VCE = 600 V, Lσ = 40 nH
du/dt = 3600 V/µs (Tvj = 150°C)
VGE = -15 / 15 V, RGoff = 1,1 Ω
Kurzschlußverhalten
SCdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 800 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
proIGBT/perIGBT
0,16
0,17
0,17
µs
µs
µs
0,03
0,04
0,04
µs
µs
µs
0,34
0,43
0,45
µs
µs
µs
0,08
0,15
0,17
µs
µs
µs
Eon
3,10
6,60
7,65
mJ
mJ
mJ
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Eoff
4,20
6,40
7,20
mJ
mJ
mJ
tP ≤ 10 µs, Tvj = 150°C
ISC
270
A
td on
tr
td off
tf
RthJC
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT
Thermalresistance,casetoheatsink
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
Datasheet
5,20
2
0,390 K/W
0,130
-40
K/W
150
°C
V3.0
2018-03-02
FP75R12KT4
Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
VRRM
Tvj = 25°C
Dauergleichstrom
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
Repetitivepeakforwardcurrent
tP = 1 ms
Grenzlastintegral
I²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
V
IF
75
A
IFRM
150
A
I²t
960
A²s
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
2,15
VF
1,70
1,65
1,65
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
IRM
88,0
89,0
90,0
A
A
A
IF = 75 A, - diF/dt = 2500 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 600 V
VGE = -15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Qr
7,30
13,0
14,5
µC
µC
µC
IF = 75 A, - diF/dt = 2500 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 600 V
VGE = -15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Erec
2,65
4,60
5,65
mJ
mJ
mJ
Durchlassspannung
Forwardvoltage
IF = 75 A, VGE = 0 V
IF = 75 A, VGE = 0 V
IF = 75 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Rückstromspitze
Peakreverserecoverycurrent
IF = 75 A, - diF/dt = 2500 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 600 V
VGE = -15 V
Sperrverzögerungsladung
Recoveredcharge
AbschaltenergieproPuls
Reverserecoveryenergy
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
1200
proDiode/perdiode
RthJC
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode
Thermalresistance,casetoheatsink
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
V
V
V
0,620 K/W
0,205
-40
K/W
150
°C
Diode,Gleichrichter/Diode,Rectifier
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
Tvj = 25°C
VRRM
1600
V
DurchlassstromGrenzeffektivwertproChip
TC = 80°C
MaximumRMSforwardcurrentperchip
IFRMSM
80
A
GleichrichterAusgangGrenzeffektivstrom
MaximumRMScurrentatrectifieroutput
TC = 80°C
IRMSM
140
A
StoßstromGrenzwert
Surgeforwardcurrent
tp = 10 ms, Tvj = 25°C
tp = 10 ms, Tvj = 150°C
IFSM
600
470
A
A
Grenzlastintegral
I²t-value
tp = 10 ms, Tvj = 25°C
tp = 10 ms, Tvj = 150°C
I²t
1800
1100
A²s
A²s
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
Durchlassspannung
Forwardvoltage
Tvj = 150°C, IF = 75 A
VF
1,15
V
Sperrstrom
Reversecurrent
Tvj = 150°C, VR = 1600 V
IR
1,00
mA
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
proDiode/perdiode
RthJC
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode
Thermalresistance,casetoheatsink
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
Datasheet
3
0,650 K/W
0,215
-40
K/W
150
°C
V3.0
2018-03-02
FP75R12KT4
IGBT,Brems-Chopper/IGBT,Brake-Chopper
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emittervoltage
Tvj = 25°C
VCES
Kollektor-Dauergleichstrom
ContinuousDCcollectorcurrent
TC = 95°C, Tvj max = 175°C
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
Repetitivepeakcollectorcurrent
tP = 1 ms
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterpeakvoltage
1200
V
IC nom
50
A
ICRM
100
A
VGES
+/-20
V
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emittersaturationvoltage
min.
IC = 50 A, VGE = 15 V
IC = 50 A, VGE = 15 V
IC = 50 A, VGE = 15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
VCE sat
typ.
max.
1,85
2,15
2,25
2,15
V
V
V
5,80
6,40
V
Gate-Schwellenspannung
Gatethresholdvoltage
IC = 1,60 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
Gateladung
Gatecharge
VGE = -15 / 15 V
QG
0,38
µC
InternerGatewiderstand
Internalgateresistor
Tvj = 25°C
RGint
4,0
Ω
Eingangskapazität
Inputcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cies
2,80
nF
Rückwirkungskapazität
Reversetransfercapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cres
0,10
nF
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emittercut-offcurrent
VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C
ICES
1,0
mA
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterleakagecurrent
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
IGES
100
nA
VGEth
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-ondelaytime,inductiveload
IC = 50 A, VCE = 600 V
VGE = -15 / 15 V
RGon = 15 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Anstiegszeit,induktiveLast
Risetime,inductiveload
IC = 50 A, VCE = 600 V
VGE = -15 / 15 V
RGon = 15 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-offdelaytime,inductiveload
IC = 50 A, VCE = 600 V
VGE = -15 / 15 V
RGoff = 15 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Fallzeit,induktiveLast
Falltime,inductiveload
IC = 50 A, VCE = 600 V
VGE = -15 / 15 V
RGoff = 15 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
EinschaltverlustenergieproPuls
Turn-onenergylossperpulse
IC = 50 A, VCE = 600 V, Lσ = 20 nH
VGE = -15 / 15 V, RGon = 15 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
AbschaltverlustenergieproPuls
Turn-offenergylossperpulse
IC = 50 A, VCE = 600 V, Lσ = 20 nH
VGE = -15 / 15 V, RGoff = 15 Ω
Kurzschlußverhalten
SCdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 800 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
proIGBT/perIGBT
0,16
0,17
0,17
µs
µs
µs
0,03
0,04
0,04
µs
µs
µs
0,33
0,43
0,45
µs
µs
µs
0,08
0,15
0,17
µs
µs
µs
Eon
5,70
7,70
8,40
mJ
mJ
mJ
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Eoff
2,80
4,30
4,80
mJ
mJ
mJ
tP ≤ 10 µs, Tvj = 125°C
ISC
180
A
td on
tr
td off
tf
RthJC
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT
Thermalresistance,casetoheatsink
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
Datasheet
5,20
4
0,540 K/W
0,245
-40
K/W
150
°C
V3.0
2018-03-02
FP75R12KT4
Diode,Brems-Chopper/Diode,Brake-Chopper
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
VRRM
Tvj = 25°C
Dauergleichstrom
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
Repetitivepeakforwardcurrent
tP = 1 ms
Grenzlastintegral
I²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C
1200
V
IF
25
A
IFRM
50
A
I²t
90,0
80,0
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min.
A²s
A²s
typ.
max.
2,15
VF
1,75
1,75
1,75
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
IRM
39,0
40,0
41,0
A
A
A
IF = 25 A, - diF/dt = 1200 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 600 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Qr
2,40
4,10
4,40
µC
µC
µC
AbschaltenergieproPuls
Reverserecoveryenergy
IF = 25 A, - diF/dt = 1200 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 600 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Erec
0,90
1,50
1,70
mJ
mJ
mJ
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
proDiode/perdiode
Durchlassspannung
Forwardvoltage
IF = 25 A, VGE = 0 V
IF = 25 A, VGE = 0 V
IF = 25 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Rückstromspitze
Peakreverserecoverycurrent
IF = 25 A, - diF/dt = 1200 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 600 V
Sperrverzögerungsladung
Recoveredcharge
RthJC
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode
Thermalresistance,casetoheatsink
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
V
V
V
1,35 K/W
0,610
-40
K/W
150
°C
NTC-Widerstand/NTC-Thermistor
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
Nennwiderstand
Ratedresistance
TNTC = 25°C
AbweichungvonR100
DeviationofR100
TNTC = 100°C, R100 = 493 Ω
Verlustleistung
Powerdissipation
TNTC = 25°C
B-Wert
B-value
R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/50
3375
K
B-Wert
B-value
R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/80
3411
K
B-Wert
B-value
R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/100
3433
K
R25
∆R/R
5,00
-5
P25
kΩ
5
%
20,0
mW
AngabengemäßgültigerApplicationNote.
Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.
Datasheet
5
V3.0
2018-03-02
FP75R12KT4
Modul/Module
Isolations-Prüfspannung
Isolationtestvoltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
VISOL
2,5
kV
Cu
MaterialModulgrundplatte
Materialofmodulebaseplate
InnereIsolation
Internalisolation
Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140)
basicinsulation(class1,IEC61140)
Al2O3
Kriechstrecke
Creepagedistance
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
10,0
mm
Luftstrecke
Clearance
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
7,5
mm
VergleichszahlderKriechwegbildung
Comperativetrackingindex
CTI
> 200
min.
typ.
max.
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proModul/permodule
Thermalresistance,casetoheatsink
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
0,009
K/W
Modulstreuinduktivität
Strayinductancemodule
LsCE
40
nH
RCC'+EE'
RAA'+CC'
4,00
3,00
mΩ
Modulleitungswiderstand,AnschlüsseChip
Moduleleadresistance,terminals-chip
TC=25°C,proSchalter/perswitch
Lagertemperatur
Storagetemperature
Anzugsdrehmomentf.Modulmontage
Mountingtorqueformodulmounting
SchraubeM5-Montagegem.gültigerApplikationsschrift
ScrewM5-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
Gewicht
Weight
Datasheet
Tstg
-40
125
°C
M
3,00
6,00
Nm
G
6
300
g
V3.0
2018-03-02
FP75R12KT4
AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE)
VGE=15V
AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE)
Tvj=150°C
150
150
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
135
120
120
105
105
90
90
IC [A]
IC [A]
135
75
75
60
60
45
45
30
30
15
15
0
0,0
0,5
1,0
1,5
VGE = 19V
VGE = 17V
VGE = 15V
VGE = 13V
VGE = 11V
VGE = 9V
2,0
2,5 3,0
VCE [V]
3,5
4,0
4,5
0
5,0
ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch)
transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VGE)
VCE=20V
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5 3,0
VCE [V]
3,5
4,0
4,5
5,0
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
Eon=f(IC),Eoff=f(IC)
VGE=±15V,RGon=1.1Ω,RGoff=1.1Ω,VCE=600V
150
30
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
135
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 150°C
25
120
105
20
E [mJ]
IC [A]
90
75
15
60
10
45
30
5
15
0
5
Datasheet
6
7
8
9
VGE [V]
10
11
12
0
13
7
0
20
40
60
80
IC [A]
100
120
140
V3.0
2018-03-02
FP75R12KT4
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
Eon=f(RG),Eoff=f(RG)
VGE=±15V,IC=75A,VCE=600V
TransienterWärmewiderstandIGBT,Wechselrichter
transientthermalimpedanceIGBT,Inverter
ZthJC=f(t)
20
1
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 150°C
18
ZthJC : IGBT
16
14
ZthJC [K/W]
E [mJ]
12
10
0,1
8
6
4
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,0234 0,1287 0,1248 0,1131
τi[s]:
0,01
0,02
0,05
0,1
2
0
0
2
4
6
8
10 12
RG [Ω]
14
16
18
0,01
0,001
20
SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter
(RBSOA)
reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA)
IC=f(VCE)
VGE=±15V,RGoff=1.1Ω,Tvj=150°C
165
0,1
t [s]
1
10
DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch)
forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)
IF=f(VF)
150
150
135
135
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
120
IC, Modul
IC, Chip
120
0,01
105
105
IF [A]
IC [A]
90
90
75
75
60
60
45
45
30
30
15
15
0
0
Datasheet
200
400
600
800
VCE [V]
1000
1200
0
1400
8
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4
VF [V]
V3.0
2018-03-02
FP75R12KT4
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(IF)
RGon=1.1Ω,VCE=600V
SchaltverlusteDiode,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(RG)
IF=75A,VCE=600V
8
8
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
7
7
6
6
5
5
E [mJ]
E [mJ]
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
4
4
3
3
2
2
1
1
0
0
20
40
60
80
IF [A]
100
120
0
140
TransienterWärmewiderstandDiode,Wechselrichter
transientthermalimpedanceDiode,Inverter
ZthJC=f(t)
0
2
4
6
8
10 12
RG [Ω]
14
16
18
20
1,8
2,0
DurchlasskennliniederDiode,Gleichrichter(typisch)
forwardcharacteristicofDiode,Rectifier(typical)
IF=f(VF)
1
150
ZthJC : Diode
Tvj = 25°C
Tvj = 150°C
135
120
105
IF [A]
ZthJC [K/W]
90
0,1
75
60
45
30
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,0372 0,2046 0,1984 0,1798
τi[s]:
0,01
0,02
0,05
0,1
0,01
0,001
Datasheet
0,01
0,1
t [s]
1
15
0
10
9
0,0
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0 1,2
VF [V]
1,4
1,6
V3.0
2018-03-02
FP75R12KT4
AusgangskennlinieIGBT,Brems-Chopper(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Brake-Chopper(typical)
IC=f(VCE)
VGE=15V
DurchlasskennliniederDiode,Brems-Chopper(typisch)
forwardcharacteristicofDiode,Brake-Chopper(typical)
IF=f(VF)
100
45
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
90
40
80
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
35
70
30
60
IF [A]
IC [A]
25
50
20
40
15
30
10
20
5
10
0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
VCE [V]
3,0
3,5
0
4,0
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4
VF [V]
NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch)
NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical)
R=f(T)
100000
Rtyp
R[Ω]
10000
1000
100
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120 130 140
TNTC [°C]
Datasheet
10
V3.0
2018-03-02
FP75R12KT4
Schaltplan/Circuitdiagram
J
Gehäuseabmessungen/Packageoutlines
Datasheet
11
V3.0
2018-03-02
Trademarks
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Edition2018-03-02
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