HP127W

PNP S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. 　 █ APPLICATIONS PNP Epitaxial Darlington Transistor. High DC Current Gain. Monolithic Construction with Built-In Base-Emitter Shunt Resistors. HP127W █ ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS（ Ta=25℃） T O-263 T stg ——Storage Temperature………………………… - 55~150 ℃ T j ——Junction Temperature………………………………… 150 ℃ PC——Collector Dissipation Tc=25℃） （ ……………………………65W PC——Collector Dissipation（Ta=25℃）……………………………2W VCBO —— Collector-Base Voltage ………………………………-100V VCEO——Collector-Emitter Voltage……………………………-100V VE B O —— Emitter -Base Voltage ……………………………… -5V IC——Collector Current DC） （ ………………………………………-5A IC——Collector Current（Pulse）……………………………………-8A Ib—— Base Current……………………………………………-120mA 1―Base， B 2―Collector， C 3―Emitter ， E █ ELECTRICAL CHARACTERISTICS（Ta=25℃） Symbol　 BVCBO BVCEO HFE　 Characteristics　 Collector-Base Breakdown Voltage Collector-Emitter Breakdown Voltage *DC Current Gain　 Min　 Typ　 Max　 Unit　 －１００　 －１００　 １０００　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 　 －２．０　 －４．０　 －２．５　 Ｖ　 Ｖ　 　 Ｖ　 Ｖ　 Ｖ　 Test Conditions　 IC=-1mA, IC=-5mA, I =0 E I =0　 B VCE=-3V, IC=-0.5A　 IC=-3A, IB=-12mA 　 IC=-3A, IB=-20mA 　 VCE=-3V, IC=-3A VCE(sat1)　 *Collector- Emitter Saturation Voltage 　 VCE(sat2)　 *Collector- Emitter Saturation Voltage 　 VBE(ON) ICEO ICBO IEBO Cob *Base-Emitter On Voltage Collector Cut-off Current Collector Cut-off Current Emitter Cut-off Current Output Capacitance －０．５　 ｍＡ　 VCB=-50V, IB=0 －０．２　 ｍＡ　 VCB=-100V, IE=0 －２．０　 ｍＡ　 VEB=-5V, IC=0 ３００　 ｐＦ　 VCB=-10V, IE=0， f=0.1ＭＨｚ *Pulse Test：PW≤300μｓ，Ｄｕｔｙ　ｃｙｃｌｅ≤2% PNP S I L I C O N T R A N S I S T O R Shantou Huashan Electronic Devices Co.,Ltd. 　 HP127W