SPE05S60T-C

SPE05S60T-A/C(1)规格书 华微斯帕克 Control Part S 智能功率模块(IPM), 600V/5A 3 相半桥驱动 主要功能及额定参数：  内置6个600V/5A IGBT和3个半桥栅极驱动  内置自举二极管  3个独立的IGBT源极副直流端用于变频器电流 检测的应用 特点： DIP23-FP SOP23-FP  信号高电平有效，兼容3.3V 和5V 的MCU  优化并采用了低电磁干扰设计  内置欠压保护  绝缘耐压：1500V  符合ROHS 应用：  小功率电机 产品名称 封装形式 打印名称  油烟机 SPE05S60T-A DIP23-FP SPE05S60T-A  风扇 SPE05S60T-C  空气净化器  洗碗机水泵 SPE05S60T-C SOP23-FP 模块内部电路图 图 1：内部电路图 吉林华微斯帕克电气有限公司 www.sinospm.com 1 / 10 文件编号：SPE3-TS-031 版本：2.0 修改日期：2018-11-22 SPE05S60T-A/C(1)规格书 管脚说明 图 2：管脚图 管脚描述 管脚编号 管脚名称 管脚描述 1 COM IC 公共电源接地 2 VB(U) U相高端IGBT驱动的偏压 3 VCC(U) U相IC和低端IGBT驱动的偏压 4 IN(UH) U相高端的信号输入 5 IN(UL) U相低端的信号输入 6 N.C 无连接 7 VB(V) V相高端IGBT驱动的偏压 8 VCC(V) V相IC和低端IGBT驱动的偏压 9 IN(VH) V相高端的信号输入 10 IN(VL) V相低端的信号输入 11 VTS 部分产品含VTS,实际情况根据产品特性而定 12 VB(W) W相高端IGBT驱动的偏压 13 VCC(W) W相IC和低端IGBT驱动的偏压 14 IN(WH) W相高端的信号输入 15 IN(WL) W相低端的信号输入 16 N.C 无连接 17 P 直流输入正端 18 U, VS(U) 高端IGBT驱动的U相偏压接地输出 19 NU U相的直流输入负端 20 NV V相的直流输入负端 21 V, VS(V) 高端IGBT驱动的V相偏压接地输出 22 NW W相的直流输入负端 23 W, VS(W) 高端IGBT驱动的W相偏压接地输出 吉林华微斯帕克电气有限公司 www.sinospm.com 2 / 10 文件编号：SPE3-TS-031 版本：2.0 修改日期：2018-11-22 SPE05S60T-A/C(1)规格书 最大额定值 逆变器部分 记号 参数 条件 额定值 单位 VCC 电源电压 应用于 P- NU, NV, NW 之间 450 V VCC(Surge) 电源电压（含浪涌） 应用于 P- NU, NV, NW 之间 500 V VCES 集电极-发射极之间电压 600 V ±IC 集电极电流 TC= 25°C, 5 A ±ICP 集电极电流（峰值） TC= 25°C, 脉冲宽度小于 1ms 12 A PC 集电极功耗 TC = 25°C， 单晶片 23 W TJ 结温 (见备注 1) -40~150 °C 备注1：IPM 功率晶片最大额定结温为150°C(@表面温度TC≤ 100°C)。然而,为了确保IPM 运行安全，结温应限定于 Tj(av) ≤ 125°C (@表面温度 Tc ≤ 100°C)。 控制部分 记号 参数 条件 额定值 单位 VCC 控制电源电压 施加在VCC和COM之间 20 V VBS 高端偏置电压 施加在VB和VS之间 20 V VIN 输入信号电压 施加在IN和COM之间 -0.5VCC+0.5 V 自举二极管部分 记号 VRRMB 参数 条件 最大重复反向电压 额定值 单位 600 V *IFB 正向电流 Tc = 25°C 1 A *IFPB 正向电流（峰值） Tc = 25°C，Under 1ms Pulse Width 2 A TJ 工作结温 -40~150 °C 额定值 单位 400 V -30 ~ 125 °C -40~125 °C 1500 Vrms 额定值 单位 整个系统 记号 VPN(PROT) TC 参数 自我保护电源电压限制 模块壳体工作温度 TSTG 存储温度 VISO 绝缘耐压 条件 VCC=VBS=13.5V~16.5V, TJ=125°C, 非重复 性, ＜2us -40°C≤TJ≤150°C 60Hz，正弦波，1分钟，连接基板到引脚 热阻 记号 Rth(j-c)Q Rth(j-c)F 参数 节点-壳体热阻（备注 2） 条件 逆变器工作条件下的单个IGBT 5.5 逆变器工作条件下的单个FRD 6.9 °C/W 备注2: 关于壳体温度（TC）的测量点，参见图4。 吉林华微斯帕克电气有限公司 www.sinospm.com 3 / 10 文件编号：SPE3-TS-031 版本：2.0 修改日期：2018-11-22 SPE05S60T-A/C(1)规格书 电气特性 TJ= 25°C,除非另有说明) 逆变部分 记号 参数 条件 VCE(SAT) 集电极-发射极间饱和电压 最小值 典型值 最大值 VD=VDB=15V, IC=5A, TJ=25°C, - 1.95 - VIN=5V IC=5A, TJ=125°C, - 2.3 - - 1.6 2.0 V TJ=25°C - - 7.5 uA TJ=125°C, - - 1 mA - 0.62 - - 0.13 - - 0.7 - - 0.06 - - 0.12 - VEC FWD正向电压 VIN= 0V, IC=-5A, ICES 集电极-发射极间漏电流 VCE=VCES tON TC(ON) tOFF 开关时间（备注3） TC(OFF) 单位 VPN= 300 V, VD= VDB= 15 V, IC=5 A VIN= 0 V ↔5 V, 电感负载 / Inductive Load trr Eon 开通损耗 IC = 5A，VCC = 400V，VD = VDB - 42 92 Eoff 关断损耗 = 15V，L=1mH，Tj= 25°C - 90 142 V uS uJ 备注 3：tON 和 tOFF 包括驱动 IC 内部传输延迟时间。 tC(ON) 和 tC(OFF) 是 IGBT 自身被内部给定门极驱动条件下的开关时间。 控制部分 记号 IQCC IQBS UVCCD UVCCR UVBSD UVBSR 参数 VCC 静态电流 VBS 静态电流 低端欠压保护（图 6） 高侧欠压保护（图 7） VTS HVIC温度检测电压输出 VIH 导通阈值电压 条件 最小值 典型值 最大值 单位 - 200 300 uA - 50 100 uA VCC 欠压保护检测电平 7.2 8.0 8.8 V VCC 欠压保护复位电平 8.0 8.8 9.8 V VBS 欠压保护检测电平 7.2 8.0 8.8 V VBS 欠压保护复位电平 8.0 8.8 9.8 V 650 700 750 mV - - 2.8 V 0.6 - - V VCC = 15V VIN = 0V VBS= 15V 施加在 VCC 和 COM 之间 施加在 VB(U)-U, VB(V)-V, VB(W)-W VIN = 0 VCC= 15 V, THVIC= 25°C (备注 4) VCC= 15 V, THVIC= 25°C 逻辑高电平 施加在 VIN 和 COM 之间 VIL 关断阈值电压 逻辑低电平 备注4: VTS只能用于模块的温度检测，但不能自动关闭IGBTs。 吉林华微斯帕克电气有限公司 www.sinospm.com 4 / 10 文件编号：SPE3-TS-031 版本：2.0 修改日期：2018-11-22 SPE05S60T-A/C(1)规格书 自举二极管部分 记号 参数 VFB 正向电压 条件 最小值 典型值 最大值 单位 IF= 0.1 A, TC= 25°C - 4.5 - V - 80 - ns 20 30 40 Ω 最小值 典型值 最大值 单位 - 300 400 V IF= 0.1 A, TC= 25°C trrB 反向恢复时间 IF= 0.1 A, TC= 25°C RBSD 串联电阻 VF1= 4V, VF2= 10V 推荐工作条件 记号 参数 条件 VPN 电源电压 施加在 P 和 N 之间 VCC 控制电源电压 施加在 VCC 和 COM 之间 13.5 15.0 16.5 V VBS 高端偏压 施加在 VB 和 VS 之间 13.5 15.0 16.5 V -1 - 1 V/us 2.8 - VCC V 0 - 0.6 V 1.0 - - us - - 20 KHz -5 - +5 V dVCC/dt, dVBS/dt 控制电源波动 VIN(ON) 输入导通阈值电压 VIN(OFF) 输入关断阈值电压 施加在 VIN 和 COM 之间 tdead 防止桥臂直通的死区时间 VCC = VBS = 13.5 ~ 16.5 V, Tj ≤150°C FPWM PWM 开关频率 Tj ≤150°C COM COM 电压波动 COM 和 NU, NV, NW 之间（包括浪涌） 图 3. 内置自举二极管特性（典型值） 吉林华微斯帕克电气有限公司 www.sinospm.com 5 / 10 文件编号：SPE3-TS-031 版本：2.0 修改日期：2018-11-22 SPE05S60T-A/C(1)规格书 图 4. VTS 温度曲线 注/Note: 部分产品含 VTS，实际情况根据产品特性而定。 图 5. 壳体温度测量 注/Note: 将热电偶贴在 IPM 封装（如果应用到，放在 IPM 封装和散热器中间）的散热片的顶部，以获得正确的温度测量数值。 吉林华微斯帕克电气有限公司 www.sinospm.com 6 / 10 文件编号：SPE3-TS-031 版本：2.0 修改日期：2018-11-22 SPE05S60T-A/C(1)规格书 图 6. 开关时间定义 图 7. 欠压保护（低端） 图 8. 欠压保护（高端） 吉林华微斯帕克电气有限公司 www.sinospm.com 7 / 10 文件编号：SPE3-TS-031 版本：2.0 修改日期：2018-11-22 SPE05S60T-A/C(1)规格书 图 9. 应用电路实例 注/Note: 1. 关于引脚的位置请参阅图1。 2. IPM产品和MCU的每个输入端的RC耦合（R5和C5，R4和C6）和C4，能有效地防止由浪涌噪声产生的错误的输入信号。 3. 由于位于COM和低端IGBT的源极端子之间，R3的压降会影响低端的开关性能和自举特性。为此稳态情况下的R3的压降应小 于1V。 4. 为避免浪涌电压和HVIC故障，接地线和输出端子之间的接线应短且粗。 5. 所有的滤波电容器应紧密连接到IPM产品，他们应当具有能够很好的阻挡高频纹波电流的特性。 吉林华微斯帕克电气有限公司 www.sinospm.com 8 / 10 文件编号：SPE3-TS-031 版本：2.0 修改日期：2018-11-22 SPE05S60T-A/C(1)规格书 外形封装图 SPE05S60T-A (DIP23-FP) 单位：mm 图 10：SPE05S60T-A 封装外形图 吉林华微斯帕克电气有限公司 www.sinospm.com 9 / 10 文件编号：SPE3-TS-031 版本：2.0 修改日期：2018-11-22 SPE05S60T-A/C(1)规格书 SPE05S60T-C(SOP23-FP) 单位：mm 图 11：SPE05S60T-C 封装外形图 温馨提示： 处理废弃电子产品，应当符合国家有关资源综合利用、环境保护、劳动安全和保障人体健康的要求。 请按当地规定处理，不可将它们作为生活垃圾处理。 修改记录 版本 制定者 修改日期 修改内容 第1版 陈浩 2018-8-17 初始版本 第2版 陈浩 2018-11-22 VTS引脚上贴附NTC 吉林华微斯帕克电气有限公司 www.sinospm.com 10 / 10 文件编号：SPE3-TS-031 版本：2.0 修改日期：2018-11-22