2SA1069

データ・シート シリコン・パワー・トランジスタ Silicon Power Transistor 2SA1069, 1069A PNP エピタキシアル形シリコン・トランジスタ 高速度スイッチング用 工業用  2SA1069,1069A は，高速度スイッチング用として開発された モールド・パワー・トランジスタで，スイッチング・レギュレータ， DC/DC コンバータ，高周波電力増幅機器などのドライバとして 最適です。 ★ オーダ情報 オーダ名称 2SA1069 TO-220AB 2SA1069A パッケージ 特  徴 ○ コレクタ飽和電圧が小さい。 ○ スイッチング速度が速い。 (TO-220AB) 絶対最大定格（TA = 25°C） 項 目 コレクタ – ベース間電圧 コレクタ – エミッタ間電圧 エミッタ – ベース間電圧 コレクタ電流（直流） コレクタ電流 (パルス) 略号 VCBO VCEO VEBO IC(DC) IC(pulse) PW ≦ 300 µs, Duty Cycle ≦ 10 % ベース電流（直流） 全損失 IB(DC) PT TC = 25°C TA = 25°C ジャンクション温度 保存温度 Tj Tstg −2.5 30 1.5 150 –55∼+150 A W W °C °C 条 件 2SA1069/2SA1069A −80 −60 / –80 −12 −5.0 −10 単位 V V V A A 本資料の内容は，予告なく変更することがありますので，最新のものであることをご確認の上ご使用ください。 資料番号 D14855JJ3V0DS00（第 3 版）  (旧資料番号 TC-5397A） 発行年月 May 2000 NS CP(K) 本文欄外の 印は，本版で改訂された主な箇所を示しています。 1988, 2000 2SA1069,1069A 電気的特性（TA = 25°C） 項 目 コレクタ – エミッタ間電圧 コレクタ – エミッタ間電圧 略号 VCEO(SUS) VCEX(SUS)1 条 件 IC = –3.0 A, IB1 = –0.3 A, L = 1 mH IC = –3.0 A, IB1 = –IB2 = – 0.3 A, VBE(OFF) = 5.0 V, L = 180 µH, Clamped コレクタ – エミッタ間電圧 VCEX(SUS)2 IC = –6.0 A, IB1 = –0.6 A, IB2 = 0.3 A, VBE(OFF) = 5.0 V, L = 180 µH, Clamped コレクタしゃ断電流 コレクタしゃ断電流 ICBO ICER VCB = –60 / –80 V, IE = 0 A VCE = –60 / –80 V, RBE = 51 Ω, TA = 125℃ コレクタしゃ断電流 コレクタしゃ断電流 ICEX1 ICEX2 VCE = –60 / –80 V, VBE(OFF) = 1.5V VCE = –60 / –80 V, VBE(OFF) = 1.5V, TA = 125℃ エミッタしゃ断電流 直流電流増幅率 直流電流増幅率 コレクタ飽和電圧 ベース飽和電圧 ターンオン時間 蓄積時間 下降時間 IEBO hFE1 hFE2 VCE(sat) VBE(sat) ton tstg tf VEB = –5.0 V, IC = 0 A VCE = –5.0 V, IC = –0.3 A VCE = –5.0 V, IC = –3.0 A IC = –3.0 A, IB = –0.3 A IC = –3.0 A, IB = –0.3 A IC = –3.0 A, RL = 17 Ω, IB1 = –IB2 = –0.3 A, VCC ≒ –50 V 測定回路図参照 注 注 注 2SA1069 / 2SA1069A MIN. –60/–80 –60/–80 TYP . MAX. 単位 V V –60/–80 V –10 –1.0 µA mA –10 –1.0 µA mA –10 40 40 200 –0.6 –1.5 0.5 2.5 0.5 µA V V 注 µs µs µs 注 パルス測定 PW ≦ 350 µs, Duty Cycle ≦ 2 % hFE 規格区分 捺印 hFE2 M 40∼80 L 60∼120 K 100∼200 スイッチング時間（ton，tstg，tf）測定回路 RL VIN IB1 T.U.T. IB2 コレクタ電流波形 PW PW ≒ 50 µs Duty Cycle ≦ 2 % VBB ≒ 5.0 V ton tstg tf 10 % IC VCC ベース電流波形 IB2 IB1 IC 90 % 2 データ・シート D14855JJ3V0DS00 2SA1069,1069A 特性曲線（TA = 25 °C） TOTAL POWER DISSIPATION vs. CASE TEMPERATURE 50 FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA −30 −10 IC(pulse) IC(DC) 1m s 10 m PW 30 100 µs 0µ s コレクタ電流 IC (A) 40 =3 0µ s 全損失 PT (W) 30 Di 100 m s ss s Lim ipa ite tion d −1 ited Lim S/b 20 10 −0.1 Single Pulse −0.03 −10 −1 2SA1069 2SA1069A 0 −25 0 50 100 150 −100 −1000 ケース温度 TC (˚C) コレクタ - エミッタ間電圧 VCE (V) DERATING CURVE OF SAFE OPERATING AREA TRANSIENT THERMAL RESISTANCE 10 VCE = −20 V ⊿Tj = 50 ˚C ディレーティング dT (%) 過渡熱抵抗 rth(j-c) (˚C/W) 100 80 60 40 20 0 s/b 1 D is Lim si ite pa d tio n Li m 0.1 ite d 0 50 100 150 0.01 0.01 0.1 1 10 100 ケース温度 TC (˚C) パルス幅 PW (ms) REVERSE BIAS SAFE OPERATING AREA −10 −8 −6 −4 −2 2SA1069 2SA1069A COLLECTOR CURRENT vs. COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE −5 −4 −3 −2 −1 −80 mA −90 mA −100 mA −70 mA −60 mA コレクタ電流 IC (A) コレクタ電流 IC (A) −50 mA −40 mA −30 mA −20 mA IB = −10 mA 0 0 −40 −80 −120 0 0 −1 −2 −3 −4 −5 コレクタ - エミッタ間電圧 VCE (V) コレクタ - エミッタ間電圧 VCE (V) データ・シート D14855JJ3V0DS00 3 2SA1069,1069A DC CURRENT GAIN vs. COLLECTOR CURRENT 1000 TA = 125˚C COLLECTOR AND BASE SATURATION VOLTAGE vs. COLLECTOR CURRENT −10 ベース飽和電圧 VBE(sat) (V)  コレクタ飽和電圧 VCE(sat) (V) VCE = −5.0 V パルス測定 75˚C 25˚C IC = 10 A・IB パルス測定 直流電流増幅率 hFE 100 −25˚C −1.0 VBE(sat) 10 −0.1 VCE(sat) 1 −0.01 −0.1 −1 −10 −0.01 −0.01 −0.1 −1 −10 コレクタ電流 IC (A) コレクタ電流 IC (A) TURN ON TIME, STORAGE TIME AND FALL TIME vs. COLLECTOR CURRENT 10 IC = 10・IB1 = −10・IB2 下降時間 tf (µ s) 蓄積時間 tstg (µ s) ターン・オン時間 ton (µ s) tstg 1.0 ton tf 0.1 0.01 −0.1 −0.5 −1 −5 −10 コレクタ電流 IC (A) 4 データ・シート D14855JJ3V0DS00 2SA1069,1069A ★ 外形図（単位：mm） TO-220AB (MP-25) 3.0±0.3 10.6 MAX. 10.0 4.8 MAX. φ 3.6±0.2 5.9 MIN. 1.3±0.2 4 123 6.0 MAX. 1.3±0.2 12.7 MIN. 15.5 MAX. 0.75±0.1 2.54 TYP. 0.5±0.2 2.54 TYP. 2.8±0.2 1.ベース 2.コレクタ 3.エミッタ 4.フィン(コレクタ) データ・シート D14855JJ3V0DS00 5 2SA1069,1069A 〔メ モ〕 6 データ・シート D14855JJ3V0DS00 2SA1069,1069A 〔メ モ〕 データ・シート D14855JJ3V0DS00 7 2SA1069,1069A •  本資料の内容は予告なく変更することがありますので，最新のものであることをご確認の上ご使用くだ さい。 •  文書による当社の承諾なしに本資料の転載複製を禁じます。 •  本資料に記載された製品の使用もしくは本資料に記載の情報の使用に際して，当社は当社もしくは第三 者の知的財産権その他の権利に対する保証または実施権の許諾を行うものではありません。上記使用に 起因する第三者所有の権利にかかわる問題が発生した場合，当社はその責を負うものではありませんの でご了承ください。 •  本資料に記載された回路，ソフトウエア，及びこれらに付随する情報は，半導体製品の動作例，応用例 を説明するためのものです。従って，これら回路・ソフトウエア・情報をお客様の機器に使用される場 合には，お客様の責任において機器設計をしてください。これらの使用に起因するお客様もしくは第三 者の損害に対して，当社は一切その責を負いません。 •  当社は品質，信頼性の向上に努めていますが，半導体製品はある確率で故障が発生します。当社半導体 製品の故障により結果として，人身事故，火災事故，社会的な損害等を生じさせない冗長設計，延焼対 策設計，誤動作防止設計等安全設計に十分ご注意願います。 •  当社は，当社製品の品質水準を「標準水準」，「特別水準」およびお客様に品質保証プログラムを指定 して頂く「特定水準」に分類しております。また，各品質水準は以下に示す用途に製品が使われること を意図しておりますので，当社製品の品質水準をご確認の上ご使用願います。   標準水準：コンピュータ，OA機器，通信機器，計測機器，AV機器，家電，工作機械，パーソナル機 器，産業用ロボット   特別水準：輸送機器（自動車，列車，船舶等），交通用信号機器，防災／防犯装置，各種安全装置， 生命維持を直接の目的としない医療機器   特定水準：航空機器，航空宇宙機器，海底中継機器，原子力制御システム，生命維持のための医療機 器，生命維持のための装置またはシステム等  当社製品のデータ・シート／データ・ブック等の資料で，特に品質水準の表示がない場合は標準水準製 品であることを表します。当社製品を上記の「標準水準」の用途以外でご使用をお考えのお客様は，必 ず事前に当社販売窓口までご相談頂きますようお願い致します。 M7 98.8 お問い合わせ先 【技術的なお問い合わせ先】 ＮＥＣ半導体テクニカルホットライン （電話：午前 9:00∼12:00，午後 1:00∼5:00） 電 話 FAX E-mail ： 044-548-8899 ： 044-548-7900 ： s-info@saed.tmg.nec.co.jp 【営業関係お問い合わせ先】 第一販売事業部 東 京 (03)3798-6106, 6107, 6108 名古屋 (052)222-2375 大 阪 (06)6945-3178, 3200, 3208, 3212 仙 台 (022)267-8740 郡 山 (024)923-5591 千 葉 (043)238-8116 第二販売事業部 東 京 (03)3798-6110, 6111, 6112 立 川 (042)526-5981, 6167 松 本 (0263)35-1662 静 岡 (054)254-4794 金 沢 (076)232-7303 松 山 (089)945-4149 第三販売事業部 東 京 (03)3798-6151, 6155, 6586, 1622, 1623, 6156 水 戸 (029)226-1702 広 島 (082)242-5504 高 崎 (027)326-1303 鳥 取 (0857)27-5313 太 田 (0276)46-4014 名古屋 (052)222-2170, 2190 福 岡 (092)261-2806 【資料の請求先】 上記営業関係お問い合わせ先またはNEC特約店へお申しつけください。 【インターネット電子デバイス・ニュース】 NECエレクトロンデバイスの情報がインターネットでご覧になれます。    URL アドレス）  http://www.ic.nec.co.jp/ （ C00.4