NTE54001

NTE54000 thru NTE54004 Silicon Controlled Rectifier (SCR) 55 Amp, TO220 Description: The NTE54000 thru NTE54004 are half−wave, unidirectional, gate−controlled silicon controlled rectifiers (SCR) packaged in a TO220 type case featuring glass−passivated junctions to ensure long− term reliability and perimeter stability. Features: D High Voltage Capability D High Surge Capability D Glass−Passivated Chip Absolute Maximum Ratings: (TA = +25°C, 60Hz with a resistive load unless otherwise specified) Repetitive Peak Off−State Voltage, VDRM NTE54000 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V NTE54001 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V NTE54002 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V NTE54003 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800V NTE54004 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1000V Repetitive Peak Reverse Voltage, VRRM NTE54000 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V NTE54001 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 400V NTE54002 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V NTE54003 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800V NTE54004 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1000V RMS On−State Current, IT(RMS) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 55A On−State Current, IT(AV) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35A Peak Surge (Non−Repetitive) On−State Current (More than One Full Cycle), ITSM 50Hz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 550A 60Hz . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 650A Peak Gate Current (10μs Max), IGM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4A Peak Gate−Power Dissipation (10μs Max), PGM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 40W Average Gate Power Dissipation, PG(AV) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 800mW Peak On−State Voltage (at Max. Rated RMS Current, TC = +25°C), VTM . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.8V RMS Surge (Non−Repetitive) On−State Current for Fusing (8.3ms), I2t . . . . . . . . . . . . . . 1750A2sec Lead Temperature (During soldering, 1/16” from case, 10sec max), TL . . . . . . . . . . . . . . . . . +230°C Operating Temperature Range, Toper . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −40° to +125°C Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . −40° to +150°C Typical Thermal Resistance, Junction−to−Case, RthJC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.5°C/W Electrical Characteristics: Parameter Symbol Peak Off−State Current NTE54000, NTE54001, NTE54002 IDRM, IRRM Test Conditions Min Typ − − 1.0 mA NTE54003 − − 1.5 mA NTE54004 − − 5.0 mA VDRM & VRRM = Max Rating, TC = +100°C Max Unit DC Holding Current IH Initial On−State Current = 400mA, Gate Open − − 60 mA DC Gate Trigger Current IGT VD = 12V, RL = 30Ω 5 − 40 mA DC Gate Trigger Voltage VGT VD = 12V, RL = 30Ω, TC = +25°C, Note 1 − − 1.5 V Gate Controlled Turn−On Time tgt IGT = 150mA, Min. Width = 15μs, Rise Time ≤ 0.1μs − − 2.5 μs Circuit Commutated Turn−Off Time tq IT = 2A, IGT = 200mA at Turn−On, Pulse Duration = 50μs, dv/dt = 20V/μs, di/dt = −30A/μs − − 35 μs 500 − − V/μs − − 175 A/μs Critical Rate of Rise of Off−State Voltage dv/dt TC = +100°C Max Rate of Rise of On−State Current di/dt IGT = 150mA, Rise Time ≤ 0.1μs Note 1. Minimum non−trigger VGT at +125°C is 0.2V. .420 (10.67) Max .110 (2.79) Tab .147 (3.75) Dia Max .500 (12.7) Max .250 (6.35) Max .500 (12.7) Min .070 (1.78) Max Cathode Gate .100 (2.54) Anode/Tab