SGT60N60FD1PN

SGT60N60FD1PN/P7 说明书 士兰微电子 60A、600V绝缘栅双极型晶体管 描述 C 2 SGT60N60FD1PN/P7 绝缘栅双极型晶体管采用场截止（Field Stop） 工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可应用于 UPS,SMPS G 1 以及 PFC 等领域。 3 特点 E  60A，600V，VCE(sat)(典型值)=2.2V@IC=60A  低导通损耗  快开关速度  高输入阻抗 1 1 23 TO-3P 23 TO-247-3L 命名规则 SGT 60 N 60 □□□ P□ 封装形式,如PN表示TO-3P封装形式; P7表示TO-247封装形式 IGBT系列 1,2,3… : 版本号 电流规格,60表示60A D : 封装快恢复二极管的器件 R : 集成续流二极管的器件 N : N Channel NE : N沟平面栅带ESD T : N沟槽栅 电压规格 : 60表示600V L : 低饱和压降器件 S : 标准器件 Q : 快速器件 F : 高速器件 UF : 超高速器件 产品规格分类 产 品 名 称 封装形式 打印名称 环保等级 包装 SGT60N60FD1PN TO-3P 60N60FD1 无铅 料管 SGT60N60FD1P7 TO-247-3L 60N60FD1 无铅 料管 极限参数(除非特殊说明，TC=25°C) 参 符 号 参数范围 单位 集电极-射极电压 VCE 600 V 栅极-射极电压 VGE ±20 V 集电极电流 数 TC=25°C TC=100°C 120 IC 60 A 集电极脉冲电流 ICM 180 A 耗散功率（TC=25°C） PD 321 W 工作结温范围 TJ -55～+150 °C 贮存温度范围 Tstg -55～+150 °C 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 版本号：1.3 共8页 第1页 SGT60N60FD1PN/P7 说明书 士兰微电子 热阻特性 参 数 符 号 参数范围 单位 芯片对管壳热阻（IGBT） RθJC 0.39 °C/W 芯片对管壳热阻（FRD） RθJC 1.10 °C/W 芯片对环境的热阻 RθJA 40 °C/W IGBT 电性参数(除非特殊说明，TC=25°C) 参 数 集射击穿电压 符 号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 BVCE VGE=0V, IC=250μA 600 -- -- V 集射漏电流 ICES VCE=600V, VGE=0V -- -- 200 μA 栅射漏电流 IGES VGE=20V, VCE=0V -- -- ±400 nA 4.0 5.0 6.5 V IC=60A,VGE=15V -- 2.2 2.7 V IC=60A,VGE=15V,TC=125°C -- 2.6 -- V 栅极开启电压 VGE(th) 饱和压降 VCE(sat) IC=250μA, VCE=VGE 输入电容 Cies VCE=30V -- 2850 -- 输出电容 Coes VGE=0V -- 294 -- 反向传输电容 Cres f=1MHz -- 85 -- 开启延迟时间 Td(on) -- 36 -- 开启上升时间 Tr VCE=400V -- 142 -- 关断延迟时间 Td(off) IC=60A -- 193 -- 关断下降时间 Tf Rg=10Ω -- 136 -- 导通损耗 Eon VGE=15V -- 3.72 -- 关断损耗 Eoff 感性负载 -- 1.77 -- 开关损耗 Est -- 5.49 -- 栅电荷 Qg -- 179 -- 发射极栅电荷 Qge -- 23 -- 集电极栅电荷 Qgc -- 100 -- 最小值 典型值 最大值 IF=30A, TC=25°C -- 1.9 2.6 IF=30A, TC=125°C -- 1.5 -- pF ns VCE = 400V, IC=60A, VGE = 15V mJ nC FRD 电性参数(除非特殊说明，TC=25°C) 参 数 二极管正向压降 符 号 VFM 测试条件 单位 V 二极管反向恢复时间 Trr IES=30A, dIES/dt=200A/μs -- 38 -- ns 二极管反向恢复电荷 Qrr IES=30A, dIES/dt=200A/μs -- 85 -- nC 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 版本号：1.3 共8页 第2页 SGT60N60FD1PN/P7 说明书 士兰微电子 典型特性曲线 图2. 传输特性 图1. 典型输出特性 180 VGE=20V TC=125°C TC=25°C VGE=15V 150 80 VGE=12V VGE=10V 120 集电极电流 – IC(A) 集电极电流 – IC(A) 100 VGE=8V 90 60 60 40 20 30 共射极VCE=20V 0 0 0 2 10 15 栅极-发射极电压 – VGE(V) 集电极-发射极电压 – VCE(V) 图4. 饱和电压 vs.栅极-发射极电压 图3. 典型饱和电压特性 20 180 集电极-发射极电压 – VCE(V) TC=125°C TC=25°C 150 集电极电流 – IC(A) 5 0 6 4 120 90 60 30 IC=30A_25°C IC=60A_25°C 16 IC=120A_25°C 12 8 4 共射极VGE=15V 0 0 0 2 4 4 6 8 20 16 栅极-发射极电压 – VGE(V) 集电极-发射极电压 – VCE(V) 图6. 饱和电压vs.壳温 图5. 饱和电压 vs.栅极-发射极电压 20 4 IC=30A_125°C 集电极-发射极电压 – VCE(V) 集电极-发射极电压 – VCE(V) 12 IC=60A_125°C IC=120A_125°C 16 12 8 4 IC=30A 3.5 IC=60A IC=120A 3 2.5 2 1.5 共射极VGE=15V 0 1 4 8 12 16 栅极-发射极电压 – VGE(V) 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 20 0 25 50 75 100 125 150 壳温– TC(°C) 版本号：1.3 共8页 第3页 SGT60N60FD1PN/P7 说明书 士兰微电子 典型特性曲线（续） 图7. 电容特性 图8. 栅极电荷 6000 15 Cies(pF) VC=100V 栅极-发射极电压 – VGE(V) Coes(pF) Cres(pF) 5000 C(pF) 4000 3000 2000 1000 共射极 VGE=0V,f=1MHz， TC=25°C 0 9 6 3 共射极TC=25°C 0 10 1 35 0 80 40 200 160 栅极电荷 – Qg(nC) 图9. 开启特性 vs.栅极电阻 图10. 关断特性 vs.栅极电阻 10000 共射极 VCC=400V,VGE=15V, 共射极 VCC=400V,VGE=15V, IC=60A,TC=25°C IC=60A,TC=25°C 开关时间(nS) 100 10 1000 100 Tdon (nS) Tdoff (nS) Tr (ns) Tf (ns) 10 1 0 10 20 30 40 50 0 20 10 30 40 50 栅极电阻 - Rg(Ω) 栅极电阻 - Rg(Ω) 图11. 开关损耗 vs. 栅极电阻 图12. 开启特性 vs.集电极电流 10 1000 共射极 VCC=400V,VGE=15V, 共射极 VCC=400V,VGE=15V, IC=60A,TC=25℃ RG=10Ω,TC=25℃ 5 开关时间(nS) 开关损耗 - E(mJ) 120 集电极-发射极电压 – VCE(V) 1000 开关时间(nS) VC=200V VC=300V 12 100 10 Eon(mJ) Eoff(mJ) Tdon (nS) Tr (ns) 1 1 0 10 20 30 栅极电阻 - Rg(Ω) 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 40 50 0 30 60 90 120 集电极电流 - IC(A) 版本号：1.3 共8页 第4页 SGT60N60FD1PN/P7 说明书 士兰微电子 典型特性曲线（续） 图14.开关特性vs. 集电极电流 图13.关断特性vs. 集电极电流 1000 100 共射极 VCC=400V,VGE=15V, 共射极 VCC=400V,VGE=15V, RG=10Ω,TC=25°C 开关损耗（mJ） 开关时间（ns） RG=10Ω,TC=25°C 100 10 1 Tdoff (nS) Eon(mJ) Tf (ns) Eoff(mJ) 10 0.1 0 20 40 60 80 100 0 120 图15.正向特性 60 80 120 100 图16.反向恢复时间vs. 正向电流 反向恢复时间- Trr(ns) 正向电流-IFM(A) 40 45 100 10 40 35 TC=125°C di/dt=100A/µs TC=25°C di/dt=200A/µs 1 30 0 0.5 1 1.5 2 10 2.5 20 30 40 50 60 正向电流 - IF(A) 正向电压-VFM(V) 图17.反向恢复电荷vs. 正向电流 图18.最大安全工作区域 100 103 80 集电极电流 - ICE(A) 反向恢复电荷- Qrr(nc) 20 集电极电流 - IC(A) 集电极电流 - IC(A) 60 40 20 102 0.1ms 1ms DC 101 10ms 100ms 100 di/dt=100A/µs di/dt=200A/µs 0 10 20 30 40 正向电流 - IF(A) 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 50 60 10-1 100 101 102 103 集电极-发射极电压 - VCE(V) 版本号：1.3 共8页 第5页 SGT60N60FD1PN/P7 说明书 士兰微电子 典型特性曲线（续） 图20.瞬态热阻抗-脉冲宽度 (FRD) 图19.瞬态热阻抗-脉冲宽度 (IGBT) 101 100 70% 热阻抗（标准化） 热阻抗（标准化） 101 50% 30% 10-1 10% 5% 2% 1% 10-2 0.5% 0.2% 10-3 10-6 100 70% 50% 30% 10-1 10% 5% 2% 1% 10-2 0.5% 0.2% 10-3 10-5 10-4 10-3 10-2 脉冲宽度(Sec) 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 10-1 100 -1 -2 100 10-6 10-5 10-4 10-3 10 10 101 102 脉冲宽度(Sec) 版本号：1.3 共8页 第6页 SGT60N60FD1PN/P7 说明书 士兰微电子 封装外形图 TO-3P 单位：mm 15.5±0.50 1.2～1.80 8.5～10.0 2.6～3.8 39.0～41.5 19.5～21.0 Φ 3.0～3.7 1.2～2.0 2.0±0.3 3.0±0.3 1.0±0.3 0.6±0.2 4.4～5.2 5.45TYP TO-247-3L 2.0±0.1 2.5±0.1 21.0±0.2 10.0±0.2 5.0±0.1 15.8±0.2 2.5±0.1 5.0±0.1 5.8±0.2 单位：mm 19.92±0.2 4.3MAX 6.2±0.2 1.96～2.06 1.16～1.26 0.59～0.66 2.41±0.1 2.96～3.06 5.44BSC 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 版本号：1.3 共8页 第7页 士兰微电子 SGT60N60FD1PN/P7 说明书 声明：  士兰保留说明书的更改权，恕不另行通知！客户在下单前应获取最新版本资料，并验证相关信息是否完整和最 新。  任何半导体产品特定条件下都有一定的失效或发生故障的可能，买方有责任在使用 Silan 产品进行系统设计和整 机制造时遵守安全标准并采取安全措施，以避免潜在失败风险可能造成人身伤害或财产损失情况的发生！  产品提升永无止境，我公司将竭诚为客户提供更优秀的产品！ 产品名称： SGT60N60FD1PN/P7 文档类型： 说明书 版 权： 杭州士兰微电子股份有限公司 公司主页： http: //www.silan.com.cn 版 本： 1.3 作 者： 殷资 作 者： 殷资 作 者： 殷资 作 者： 殷资 修改记录： 1. 版 修改 TO-247-3L 封装的材料信息 本： 1.2 修改记录： 1. 版 增加 TO-247-3L 封装形式 本： 1.1 修改记录： 1. 版 修改产品规格分类 本： 1.0 修改记录： 1. 正式发布版本 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 版本号：1.3 共8页 第8页