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WS2910

WS2910

  • 厂商:

    WINSEMI

  • 封装:

  • 描述:

    WS2910 - WS2910 通用高亮度LED驱动 - Shenzhen Winsemi Microelectronics Co., Ltd

  • 数据手册
  • 价格&库存
WS2910 数据手册
WS2910 WS2910 通用高亮度LED驱动 特点 ■ 单控开关LED的开关模式控制器 ■ 开环峰值电流模式控制 ■ 内部集成8~450V的线性调整器 ■ 可编程恒定频率或恒定关断时间工作模式 ■ 线性调光和PWM调光功能 ■ 工作时仅需极少外围元件 概述 WS2910是一款电流模式控制的 LED驱动IC。通 过改变RT 端电阻的接法, 2910可以分别工作在 恒频模式或者恒定 WS 关断时间模式。WS2910内部集 成8~450V的线性调整器, 保证系统可以在很宽的输 入电压范围内工作,无需外部输 入低电源电压。它 的 PWM 调光引脚,可以接受占空比为 0~100%,频 率高达数千赫兹的控制信号。另外,它的线性 应用领域 ■ DC/DC或AC/DC LED驱动 ■ RGB背光LED驱动 ■ 平板显示器背光 ■ 通用恒定电流源 ■ LED指示灯或装饰灯 ■ 充电器 调光 引脚,可以接受0~250mV的输入电压,用来线性调 节 LED电流。 WS2910适合用于降压LED驱动。由于WS2910 工作 在开环电流控制模式,因此,无需外部额外的 补偿,便可 达到很好的电流调整率。PWM调光响应 仅有电感的上升斜 率和 下降 斜率 限制 ,使其 具有 快 速上 升和 下降时间 。 WS2910仅需三个外部元件 不 包含功率级) ( 便可得到受控 的LED电流,使其成为低成本LED驱动的理想解决方案。 典型应用电路 WS Rev.1.0 July.2011 Copyright@W insemi Microelectronics Co., Ltd., All right reserved. WS2910 引脚定义和器件标识 S = SOP8 P: P = Pb-free package D: 芯片代码 V: 内部版本号 (可选 1-9) f: 工厂代码 Y: Year Code (1:2011; 2:2012……) WW: Week Code (1-52) WS2910SP Dvf YWW 引脚功能说明 引脚名 VIN CS GND GATE PWMD VDD LD RT 引脚号 1 2 3 4 5 6 7 8 引脚类型 电源输入 电流检测 地 驱动输出 PWM 调光 内部电源 线性调光 频率设定 直流电源输入引脚(8-450V)。 电流检测引脚用,通过外部的检测电阻检测FET的电流,其 电压低于 250mV和LD端的电压时,Gate输出为低。 地。 驱动输出,用于驱动外部功率MOSFET栅极。 芯片的PWM调光输入引脚,当它接地时,Gate输出为低; 当它接VDD 时,芯片正常工作。 内部 电源 引脚 , 用 时, 应 需在 VDD和 GND之 间接一 低ESR电容(≥0.1μF)。 线性调光 引 脚,当其 电 压低于 250mV(典型 情 况)时,用 来设置电 流采样阈值。 此脚用 来设置振荡 器的频率。 在RT和地之 间接一电阻 ,芯片工作 在横 频模式; 在RT和Gate之间 接一电阻, 芯片工作 在恒定关断时间模式。 功能描述 电路内部结构框图 WS 2/7 Steady, keep you advance Steady, WS2910 订购信息 封装 8-pin SOP8, Pb-free 芯片表面标识 WS2910SP 采购器件名称 WS2910SP 推荐工作条件 符号 VIN RT TA 参数 供电电压 RT端所接电阻值 工作温度 值 10-450 226(1000) -20 to 85 单位 V Kohm ℃ 极限参数 符号 VIN VDD CS, LD, PWMD, GATE, RT TJ TSTG 固有损耗 工作结温 储藏温度 8-Lead SOIC -40 to +150 -65° to +150 630 ℃ ℃ mW 参数 DC供电电压 内部电源 各引脚到地 值 -0.5-470 12 -0.3~(VDD+0.3) 单位 V V V 注:上表所述仅为极限条件,超过上表中规定的极限参数会导致器件永久损坏。不推荐将该器件工作在极限条件及其以上, 工作在极限条件及其以上,可能会影响器件的可靠性。 3/7 Steady, keep you advance Steady, WS2910 电气特性参数(若无特殊说明,TA=25℃,VIN=12V) 符号 输入 VINDC IINSD DC 供电电压范围 关断模式电流 1 DC 输入电压 PWMD 接地 10 0.64 450 1 V mA 参数 测试条件 Min Typ Max 单位 内部电源 Vin=10V, e 接500pF 电容 Gat VDD 内部电源电压 到地,Rosc=226Kohm, PWMD 接VDD Vin=10-450V,Gate 接500pF ΔVDD, line VDD 线性调整率 电容到地,Rosc=226Kohm, PWMD 接VDD IDD=0-1.0mA,Gate 接500pF ΔVDD, load VDD 负载调整率 电容到地,Rosc=226Kohm, PWMD 接VDD UVLO ΔUVLO IIN,MAX VDD 欠压锁定阈值 VDD 欠压锁定迟滞 芯片进入UVLO之前,调 整器所能提供的电流 VDD 上升 VDD 下降 Vin=10V 6.45 500 5 6.67 590 6.95 660 V mV mA 0 100 mV 0 1 mV 7.25 7.5 7.75 V PWM 调光 VEN REN PWMD 输入电压阈值 PWMD端下拉电阻 Vin=10V Vpwmd=5V 0.8 80 1.82 120 2.5 160 V kΩ 电流采样比较器 VCS,TH VOFFSET TBLANK TDELAY OCP阈值电压 LD 比较器的失调电压 前沿消隐 OCP 输出延时 -40
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