KOM2125-Z

2007-04-12 2-Chip Silicon PIN Photodiode 2-fach-Silizium-PIN-Fotodiode Version 1.0 KOM 2125 Features: Besondere Merkmale: • Especially suitable for applications from 400 nm to 1100 nm • Short switching time (typ. 25 ns) • Suitable for SMT • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit (typ. 25 ns) • SMT-fähig Applications Anwendungen • • • • Industrial electronics For control and drive circuits Edge control Path and angle scanning • • • • Industrieelektronik Messen / Steuern / Regeln Kantenerkennung Weg- bzw. Winkelabtastungen Ordering Information Bestellinformation Type: Photocurrent Ordering Code Typ: Fotostrom Bestellnummer Ev = 1000 lx, Std. Light A, VR = 5 V; Diode A IP [µA] KOM 2125 2007-04-12 40 (≥ 30) (Diode A) 100 (≥ 75) (Diode B) Q65110A2703 1 Version 1.0 KOM 2125 Maximum Ratings (TA = 25 °C) Grenzwerte Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Operating and storage temperature range Betriebs- und Lagertemperatur Top; Tstg -40 ... 80 °C Reverse voltage Sperrspannung VR 60 V Total power dissipation Verlustleistung Ptot 150 mW Characteristics (TA = 25 °C) Kennwerte Parameter Symbol Values Bezeichnung Symbol Photocurrent Fotostrom (Ev = 1000 lx, Std. Light A, VR = 5 V; Diode A) IP 40 (≥ 30) µA Photocurrent Fotostrom (VR = 5 V, λ = 870 nm, Ee = 1 mW/cm2 , Diode B) IP 100 (≥ 75) μA Wavelength of max. sensitivity Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit λS max 850 nm Spectral range of sensitivity Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit λ10% 400 ... 1100 nm Radiant sensitive area Bestrahlungsempfindliche Fläche (Diode A) A 4.00 mm2 Radiant sensitive area Bestrahlungsempfindliche Fläche (Diode B) A 10.00 mm2 Dimensions of radiant sensitive area Abmessung der bestrahlungsempfindlichen Fläche (Diode A) LxW 2x2 mm x mm Dimensions of radiant sensitive area Abmessung der bestrahlungsempfindlichen Fläche (Diode B) LxW 2x5 mm x mm 2007-04-12 2 Werte Unit Einheit Version 1.0 KOM 2125 Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Half angle Halbwinkel ϕ ± 60 Dark current Dunkelstrom (VR = 10 V; Diode A) IR 5 (≤ 30) nA Dark current Dunkelstrom (VR = 10 V; Diode B) IR 10 (≤ 30) nA Spectral sensitivity of the chip Spektrale Fotoempfindlichkeit des Chips (λ = 870 nm) Sλ typ 0.62 A/W Quantum yield of the chip Quantenausbeute des Chips (λ = 870 nm) η 0.88 Electro ns /Photon Open-circuit voltage Leerlaufspannung (Ev = 1000 lx, Std. Light A) VO 350 (≥ 300) mV Short-circuit current Kurzschlussstrom (Ev = 1000 lx, Std. Light A; Diode A) ISC 38 µA Short-circuit current Kurzschlussstrom (Ev = 1000 lx, Std. Light A; Diode B) ISC 95 µA Rise and fall time Anstiegs- und Abfallzeit tr, tf 0.018 µs Rise and fall time Schaltzeit (VR = 5 V, RL = 50 Ω, λ = 850 nm; Diode B) tr, tf 0.025 µs Forward voltage Durchlassspannung (IF = 100 mA, E = 0) VF 1 V Capacitance Kapazität (VR = 0 V, f = 1MHz, E = 0; Diode A) C0 40 pF Capacitance Kapazität (VR = 0 V, f = 1MHz, E = 0; Diode B) C0 100 pF 2007-04-12 3 ° Version 1.0 KOM 2125 Parameter Symbol Values Unit Bezeichnung Symbol Werte Einheit Temperature coefficient of VO Temperaturkoeffizient von VO TCV -2.6 mV / K Temperature coefficient of ISC Temperaturkoeffizient von ISC (Std. Light A) TCI 0.18 %/K Noise equivalent power Rauschäquivalente Strahlungsleistung (λ = 870 nm, VR = 10 V; Diode A) NEP 0.065 pW / Hz½ Noise equivalent power Rauschäquivalente Strahlungsleistung (λ = 870 nm, VR = 10 V; Diode B) NEP 0.091 pW / Hz½ Detection limit Nachweisgrenze (λ = 870 nm, VR = 10 V; Diode A) D* 3.1e12 cm x Hz½ / W Detection limit Nachweisgrenze (λ = 870 nm, VR = 10 V; Diode B) D* 3.5e12 cm x Hz½ / W Photocurrent / Open-Circuit Voltage Fotostrom / Leerlaufspannung IP (VR = 5 V) / VO = f(EV) Relative Spectral Sensitivity Relative spektrale Empfindlichkeit Srel = f(λ) 2007-04-12 4 Version 1.0 KOM 2125 Total Power Dissipation Verlustleistung Ptot = f(TA) Dark Current Dunkelstrom IR = f(VR), E = 0, normalized to 10 V / 25 °C Capacitance Kapazität C = f(VR), f = 1 MHz, E = 0 Dark Current Dunkelstrom IR = f(TA), VR = 10 V, E = 0, normalized to TA = 25 °C 2007-04-12 5 Version 1.0 KOM 2125 Directional Characteristics Winkeldiagramm Srel = f(ϕ) 40 30 20 10 ϕ 0 OHF01402 1.0 50 0.8 60 0.6 70 0.4 80 0.2 0 90 100 1.0 0.8 0.6 0.4 0 20 40 60 80 Package Outline Maßzeichnung 2 A 3 B 1 8.5 (0.335) Cathode 8.2 (0.323) 6.7 (0.264) 6.2 (0.244) Chip position 0...0.1 (0...0.004) 0.3 (0.012) 4.3 (0.169) 5.0 (0.197) 1.4 (0.055) ±0.2 (0.008) 4.5 (0.177) Photosensitive area A = 2 (0.079) x 2 (0.079) B = 5 (0.197) x 2 (0.079) 0.9 (0.035) 0.7 (0.028) 5.2 (0.205) Active area 1.2 (0.047) 1.1 (0.043) GEOY6860 Dimensions in mm (inch). / Maße in mm (inch). 2007-04-12 6 100 120 Version 1.0 KOM 2125 Package SMT DIL, Epoxy Gehäuse SMT DIL, Harz Method of Taping Gurtung Dimensions in mm (inch). / Maße in mm (inch). 2007-04-12 7 Version 1.0 KOM 2125 Reflow Soldering Profile Reflow-Lötprofil Preconditioning: JEDEC Level 4 acc. to JEDEC J-STD-020D.01 OHLA0688 300 ˚C T Maximum Solder Profile 250 ˚C 245 ˚C +0 -10 ˚C 240 ˚C ˚C 235 ˚C +5 -0 ˚C 217 ˚C 10 s min 200 30 s max Ramp Down 6 K/s (max) 150 100 s max 120 s max 100 Ramp Up 3 K/s (max) 50 25 ˚C 0 0 50 100 150 200 250 t 2007-04-12 8 s 300 Version 1.0 KOM 2125 Disclaimer Disclaimer Attention please! The information describes the type of component and shall not be considered as assured characteristics. Terms of delivery and rights to change design reserved. Due to technical requirements components may contain dangerous substances. For information on the types in question please contact our Sales Organization. If printed or downloaded, please find the latest version in the Internet. Packing Please use the recycling operators known to you. We can also help you – get in touch with your nearest sales office. By agreement we will take packing material back, if it is sorted. You must bear the costs of transport. For packing material that is returned to us unsorted or which we are not obliged to accept, we shall have to invoice you for any costs incurred. Components used in life-support devices or systems must be expressly authorized for such purpose! Critical components* may only be used in life-support devices** or systems with the express written approval of OSRAM OS. Bitte beachten! Lieferbedingungen und Änderungen im Design vorbehalten. Aufgrund technischer Anforderungen können die Bauteile Gefahrstoffe enthalten. Für weitere Informationen zu gewünschten Bauteilen, wenden Sie sich bitte an unseren Vertrieb. Falls Sie dieses Datenblatt ausgedruckt oder heruntergeladen haben, finden Sie die aktuellste Version im Internet. Verpackung Benutzen Sie bitte die Ihnen bekannten Recyclingwege. Wenn diese nicht bekannt sein sollten, wenden Sie sich bitte an das nächstgelegene Vertriebsbüro. Wir nehmen das Verpackungsmaterial zurück, falls dies vereinbart wurde und das Material sortiert ist. Sie tragen die Transportkosten. Für Verpackungsmaterial, das unsortiert an uns zurückgeschickt wird oder das wir nicht annehmen müssen, stellen wir Ihnen die anfallenden Kosten in Rechnung. Bauteile, die in lebenserhaltenden Apparaten und Systemen eingesetzt werden, müssen für diese Zwecke ausdrücklich zugelassen sein! Kritische Bauteile* dürfen in lebenserhaltenden Apparaten und Systemen** nur dann eingesetzt werden, wenn ein schriftliches Einverständnis von OSRAM OS vorliegt. *) A critical component is a component used in a life-support device or system whose failure can reasonably be expected to cause the failure of that life-support device or system, or to affect its safety or the effectiveness of that device or system. **) Life support devices or systems are intended (a) to be implanted in the human body, or (b) to support and/or maintain and sustain human life. If they fail, it is reasonable to assume that the health and the life of the user may be endangered. *) Ein kritisches Bauteil ist ein Bauteil, das in lebenserhaltenden Apparaten oder Systemen eingesetzt wird und dessen Defekt voraussichtlich zu einer Fehlfunktion dieses lebenserhaltenden Apparates oder Systems führen wird oder die Sicherheit oder Effektivität dieses Apparates oder Systems beeinträchtigt. **) Lebenserhaltende Apparate oder Systeme sind für (a) die Implantierung in den menschlichen Körper oder (b) für die Lebenserhaltung bestimmt. Falls Sie versagen, kann davon ausgegangen werden, dass die Gesundheit und das Leben des Patienten in Gefahr ist. 2007-04-12 9 Version 1.0 KOM 2125 Published by OSRAM Opto Semiconductors GmbH Leibnizstraße 4, D-93055 Regensburg www.osram-os.com © All Rights Reserved. 2007-04-12 10