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NY7502

NY7502

  • 厂商:

    NEWYEA(厦门新页)

  • 封装:

    DEVB_NY7501

  • 描述:

    5W双线圈无线充电发射芯片,符合WPC1.2 标准,含主芯片1颗、管理芯片1颗

  • 数据手册
  • 价格&库存
NY7502 数据手册
NY7501 无线充电发射方案 EVM 新页科技 NY 系列无线功率发射器评估模块是一款高性能,为无线电源 解决方案的设计易于使用的开发模块。该 NY7501 评估模块(EVM)提供 了一个符合 QI 标准的、拥有无线充电发射系统所有功能的无线充电器 开发模块。单线圈发射器可帮助设计人员加速其终端应用的开发。该 EVM 支持 WPC1.1 协议(支持升级到 WPC1.2)。 目录 1 应用........................................................ 2 2 NY7501EVM_1601 电气性能规格................................. 2 3 连接器和测试点说明.......................................... 2 3.1 输入/输出连接说明................................... 2 3.2 测试点说明.......................................... 2 4 原理图和材料清单............................................ 3 5 测试设置.................................................... 5 5.1 设备................................................ 5 5.2 设备安装............................................ 5 6NY7501EVM_1601 装配图和布局................................. 6 7 参考........................................................ 7 1 应用 该 NY7501EVM_1601 评估模块演示了 NT 的发送器部分无线电源系统。这个解决方案 是一个 5V 单线圈的无线充电发射机。 该 EVM 要求能够在 5 V 单电源高达 2A 的操作, 电源插座,LED 指示器,并在发射线圈单个印刷电路板(PCB) 。开放式设计可以方 便地访问到电路的关键点原理图。 该 EVM 具有以下特点: •WPC 1.1 异物检测(FOD)和 WPC 1.0 寄生金属物体检测(PMOD) •动态功率限制™(DPL)允许从 5 V 电源有限电流能力的操作(例如,USB 端口) •5 V 输入 •发射器线圈安装垫提供正确的接收器接口 •LED 指示功率传输或电源故障状态 2 NY7501EVM_1601 电气性能规格,如表 1: NY7501EVM_1601 DEMO 板 电气性能说明 测试项目 测试条件 最小 正常 最大 单位 4.5 5 5.5 V 2 A 输入特性 输入电压 Vin 输入电压 输入电流 Iin 输入电流 VIN=5V,Iout=max 1.5 空载电流 VIN=5V,Iout=0 160 mA 待机电流 VIN=5V 26 mA 输出电压 Vin=5V, 0≤Iout≤1A 输出纹波 Vin=5V, 0≤Iout≤1A 输出电流 4.5V≤Vin≤5.5V 输出特性(BQ51013B) 输出电压 Vout 输出电流 4.5 5 5.5 V 200 mV 0 1 A 110 205 KHZ 系统特性 工作频率 Fs 工作频率 最大效率 最大效率 满载效率 满载效率 Vin=5V, Iout=1A 表1 3 连接器和测试点说明 3.1 输入/输出连接说明: 3.1.1 3.1.2 3.1.3 3.1.4 3.1.5 3.2 3.2.1 3.2.2 3.2.3 3.2.4 3.2.5 J1-Micro USB,输入电源接口; J2-Vin,Vin=5V±500mV Iin=1.5-2(A); J3-GND,输入功率返回到地 J3; CN1-单片机烧写口; TP5、TP6 发射线圈连接口。 测试点说明: TP1-VCC,正极输入功率,5V±500 mV; TP2-GND,电源回路到负极 GND; TP3-I_OUT,解调滤波输出信号; TP7-GATEHIR,驱动输出信号; TP8-GATEHIL,驱动输出信号; 75.00% % 72% % 3.2.6 TP9-GATELOR,驱动输出信号; 3.2.7 TP10-GATELOL,驱动输出信号; 3.2.8 TP11-Isense, 电流采集; 3.2.9 TP12-VODL, 桥臂节点; 3.2.10 TP13-VODR, 桥臂节点; 3.2.11 TP15、TP16、TP17、TP18-GND; 3.2.12 TP19-MCU_vfilter0,解调滤波输出信号; 3.2.13 TP20-MCU_SCL,串行总线时钟信号; 3.2.14 TP21-MCU_SDA,串行总线数据信号; 3.2.15 TP22-VC0, 调制信号输入; 3.2.16 TP25-LED1,状态指示,通常为红色; 3.2.17 TP26-LED2,状态指示,通常为绿色; 3.2.18 TP27-BUZZ; 3.2.19 TP28-RST,复位信号; 3.2.20 TP29-NTC,连接外部温度传感器信号; 3.2.21 TP32-浮点测试点; 3.2.22 TP33-浮点测试点; 3.2.23 TP34-GND; 3.2.24 TP35-浮点测试点; 3.2.25 TP36-浮点测试点; 3.2.26 TP37-GND; 3.2.27 TP38-浮点测试点; 3.2.28 TP39-浮点测试点; 3.2.29 TP40-GND。 4 原理图和材料清单 本部分包括原理图和为 EVM 物料清单。 图 2 示出了用于此的 EVM 的原理图。 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 R14 22K 0 0 5V U3B 0 6.8K V_OUT_1 4 0 1 4 3 2 TP37 TP9 TP36 TP10 TP35 TP11 TP34 GATELOL 0 LED3 GRN GND5 D- E6 R25 1K TP33 TP18 2 3 ID GND 5 0 TP32 TP17 R56 1 4 GND6 U4 TL431/CY L 0 VCC TP16 0 5V C40 22uF R57 C38 22uF C27 22uF D7 C32 100nF GND TP15 BZT52C5V1 1 E1 E2 E5 2 TP1 GND1 GND2 5V VBUS TP31 Isens e 1 2k J1 D+ MB95F564K TP38 TP8 GATELOR PO WER R36 300 MCU_SDA MCU_SCL C35 100nF TP3 0 DBG 100nF VODL 5V 0 R41 680K R64 MCU_v f ilter0 TP14 NTC V_B Is out V_B GATEHIL R27 56K 1% GND4 0 C31 20 19 18 17 16 15 14 13 12 11 TP39 TP7 GATEHIR D3 1N5819 2 R6 3K LM358 GND3 R37 5.1K X0/PF0 P12/EC0/DBG X1/PF1 P07/INT07 VSS P06/INT06 X1A/PG2 P05/INT05 X0A/PG1 P04/INT04 VCC P03/INT03 C P02/INT02 RST/PF2 P01/AN01 TO10/P62 P00/AN00 TO11/P63 P64/EC1 TP40 TP30 - C26 1uF E4 1 2 3 0 4 5 6 5V 7 8 RST C29 BEEP 9 100nF C28 1uF V_OUT_1 10 T_EN 1 + 7 6 R30 U2 TP25 TP29 Isout R40 30K - E3 TP26 2 5V 5 2 2 TP27 BEEP RST TP28 3 0 5V R35 5.1K R34 1K 0 C12 0.1uF 5V R33 1K 1 8 7 6 5 0 0 R28 1K 1% R66 100K/NTC C34 100nF TP6 VC0 R38 5.1K CON5_SIP MARK1 MARK2 1 2 3 4 10K 0 LED2 BLUE 5V LED1 RED VODR VODL 8 7 6 5 D12 D11 D22 D21 S1 G1 S2 G2 R32 8 C25 4.7nF U3A + 0 1 1 5V TP5 0 LM358 RST DBG T_EN C37 1nF C13 0.1uF C17 4.7nF 1 2 CN1 2 5V 2 3 0 5V 5V TP24 C21 100nF C24 4.7nF 1 2 3 4 5 C36 1nF C23 100nF Is ense VODR NTC R31 10K 0 VODL R19 0.02 R26 33K 0 R39 10K NTC C10 0.1uF VC0 5V Isout 0 C22 100nF TP4 TP23 1 Is ense D2 1N5819 C19 100nF 0 TP22 5V R24 100K 5V C20 5.6nF 2 1.5K GATEHIR 2 0 TP13 C9 0.1uF 5V R22 68K TP12 U6 AO4800 VODR 5V C18 10nF 蜂 鸣器 Q13 MMBT3904 0 4 1 5V GATELOR D4 EESD05CC02 1 2 R23 VC0 D6 1N5819 R21 33K 0 R15 47R 0 C30 220nF C16 4.7nF 0 VODL GATELOL R11 47R R17 47R C15 100nF R62 5.1K GATELOR R16 10K 1 C8 220nF GATEHIL R10 47R GATELOL R13 2.2M NY 7501 30 29 28 27 26 25 24 23 22 21 rbias bstref l1 gatehil1 v odl gatelol1 gnd3 v c c4 gatelor0 v odr0 gatehir0 CON2 D1 1N5819 BEEP1 AC BUZZER 2 R12 10K C14 4.7nF D5 1N5819 0 1 2 3 4 C11 100nF 0 pingin0 pingip0 v f iltero v demods o v demods in v demoddo1 v demodin1 v demodip1 idemoddin idemoddo2 C5 22uF R52 1K E1 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 R7 470K 1% 40 39 38 37 36 35 34 33 32 31 R8 10K R9 10K 0 R5 270K 1% ping0 clk80k SCL SDA vc c_iic gnd5 gnd4 vcc 5 vc m_buf ros c U1 GND C4 100nF BEEP idemoddon2 idemoddip2 vcc 1 gnd1 Vs ense Isense vcc 2 gnd2 vcc 3 bstrefro R4 1M U5 AO4800 GATEHIR 0 2 1 1 MCU_SDA C7 100nF MCU_SCL MCU_SDA TP21 CON2 J3 0 GATEHIL M CU_vfilter0 MCU_SCL VCC D12 D11 D22 D21 R3 2K S1 G1 S2 G2 C2C3 1uF 1uF 8 C6 22uF R2 5.1K R50 100R 5V 2 1 0 R1 5.1K E1 5V 5V MCU_v f ilter0 TP20 5V J2 C1 100nF TP19 0 0 0 TP2 T it le 0 S iz e Do c B D at e um ent Nu m ber v Sh Thurs day , Marc h 03, 2016 图2 Re : eet of 1 1 表 3 包含该 EVM 物料清单。 NY7501EVM_1601_ BOM 序号 名称 规格属性 4.7nF,± 制 单 数 位 量 个 5 C14,C16,C17,C24,C25 个 1 C20 个 1 C18 个 14 C1,C4,C7,C11,C15,C19,C21,C22,C23,C29,C31,C32,C34,C35 个 4 C9,C10,C12,C13 个 2 C8,C30 个 4 C2,C3,C26,C28 个 4 C5,C6,C27,C38 个 2 R56,R57 个 1 R19 个 4 R10,R11,R15,R17 个 1 R50 个 1 R36 位号 商 1 贴片电容 2 贴片电容 3 贴片电容 4 贴片电容 5 贴片电容 6 贴片电容 7 贴片电容 8 贴片电容 9 贴片电阻 10 贴片电阻 11 贴片电阻 12 贴片电阻 13 贴片电阻 14 贴片电阻 1K,±1%,0603,1/10W 个 5 R25,R28,R33,R34,R52 15 贴片电阻 1.5K,±5%,0603,1/10W 个 1 R23 16 贴片电阻 2K,±5%,0603,1/10W 个 2 R3,R64 17 贴片电阻 3K,±5%,0603,1/10W 个 1 R6 18 贴片电阻 5.1K,±5%,0603,1/10W 个 6 R1,R2,R35,R37,R38,R62 19 贴片电阻 6.8K,±5%,0603,1/10W 个 1 R30 20 贴片电阻 10K,±5%,0603,1/10W 个 7 R8,R9,R12,R16,R31,R32,R39 21 贴片电阻 22K,±5%,0603,1/10W 个 1 R14 22 贴片电阻 30K,±5%,0603,1/10W 个 1 R40 23 贴片电阻 33K,±5%,0603,1/10W 个 2 R21,R26 24 贴片电阻 56K,±1%,0603,1/10W 个 1 R27 25 贴片电阻 68K,±5%,0603,1/10W 个 1 R22 26 贴片电阻 100K,±5%,0603,1/10W 个 1 R24 27 贴片电阻 270K,±1%,0603,1/10W 个 1 R5 28 贴片电阻 470K,±1%,0603,1/10W 个 1 R7 29 贴片电阻 680K,±5%,0603,1/10W 个 1 R41 30 贴片电阻 1M,±5%,0603,1/10W 个 1 R4 31 贴片电阻 2.2M,±5%,0603,1/10W 个 1 R13 32 热敏电阻 NTC-100K,0603 个 1 R66 发光二极 贴片正发光 LED,0603 个 1 LED2 33 管 10%,50V,0603,X7R 5.6nF,± 10%,50V,0603,X7R 10nF,± 10%,50V,0603,X7R 100nF,± 10%,50V,0603,X7R 100nF,± 5%,50V,1206,NP0 220nF,± 10%,25V,0603,X7R 1uF,± 10%,25V,0603,X5R 22uF,± 20%,10V,0805,X5R 0 OHM,±5%,1206,1/4W 0.02 OHM,±1%,1206, 1/4W 47 OHM,±5%,0603, 1/10W 100 OHM,±5%,0603, 1/10W 300 OHM,±5%,0603, 1/10W 封装, 高亮蓝色, 5V,50mA 造 34 35 36 37 38 发光二极 贴片正发光 LED,0603 管 封装,红色,5V,50mA 发光二极 贴片正发光 LED,0603 个 1 LED1 个 1 LED3 个 5 D1,D2,D3,D5,D6 个 1 D4 个 1 D7 个 1 U4 个 2 U5,U6 个 1 U1 个 1 U2 个 1 U3 35 毫欧, 出线长度 40mm, 个 1 L1 个 1 J1 8.5*8.5*3mm 个 1 BEEP1 MMBT3904 ,SOT23,NPN 管 个 1 Q13 块 1 管 封装,翠绿色,5V,50mA 肖特基二 1N5819,SOD_323 封装, 极管 静电二极 管 稳压二极 管 39 稳压芯片 40 MOS 管 41 芯片 42 芯片 43 运放 40V,1A ESD5B5VL,SOD_523,5V BZT52C5V6S,SOD-323 , 5.6V CJ431,SOT23 AO4800,SOP8 封装/或 GPMD3130A NY7501,QFN-40 封装 MB95F564K,单片机, 封装 TSOP20 LM358,TSSOP8 封装,双 通道运放 A11,电感量 6.3uH,内阻 44 线圈 浸锡长度 3mm Micro usb 5s B Type 破 45 MICRO-USB 板式 1.17 ,SMT 四脚 全贴,过电流 1.8A 46 47 48 蜂鸣器 贴片三极 管 PCB NY7501EVM_1601,FR4,2 Layers,板厚 1.6mm 表3 5 测试设置 5.1 设备 5.1.1 接收器:使用低功耗,兼容 QI 标准的接收器; 5.1.2 电压源:输入电压源必须提供的 5V 稳压直流电压,电流极限必须被设置为 2 A; 5.1.3 负载:可以设置电阻负载为 10KΩ、10Ω、5Ω,或电流 负载可以设置为 0 mA、500 mA、1A ,电压为 5 V; 5.1.4 示波器:使用适当的探头双通道示波器观察 NT7501EVM 各种信号; 5.1.5 通信套件:USB 接口套件; 5.2 设备安装 以下各节介绍了设置设备的步骤: 5.2.1 NY7501EVM_1601 输入电源:在接通电源之前,设置输入电源电压 5.0 V 和 电流限制到 2.0 A。输入电源正极引线连接到 J2。电源回路引线连接到 J3 GND; 5.2.2 使用示波器电流探头,连接电流探头来测量监测电源正极引线输入电流; 5.2.3 连接负载; 5.2.4 测试单元。 6NY7501EVM_1601 装配图和布局 图 4 至图 6 示出了 NY7501EVM PCB 的设计。 圈接地 - 线圈下的接地层面积建议,以减少噪声耦合进接收器。该 EVM 接地平面是 比线圈足迹稍大并在一个点接地回电路面积。 注意:透明塑料罩的厚度(2.4 mm)为用于发射机的 z 间隙厚度。 图 4,顶层部件示意图 图 5,顶层布线图 图 6,底层布线图 7 参考 有关 NY7501EVM_1601 低功耗、无线、电源评测从套件的更多信息 请访问 Newyea 官网。 (http://www.xmnewyea.com)
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