UMW 7N65F

R UMW 7N65 7A、650V N沟道增强型场效应管 描述 7N65 N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体管采用士兰微电子 F-CellTM 平面高压 VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高 的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源，DC-DC 电源转换器，高压 H 桥 PWM 马达驱动。 特点 ∗ 7A，650V，RDS(on)(典型值)=1.1Ω@VGS=10V ∗ 低栅极电荷量 ∗ 低反向传输电容 ∗ 开关速度快 ∗ 提升了 dv/dt 能力 2 TO-262-3L 1 3 1.栅极 2.漏极 3.源极 1 2 1 3 TO-263-2L 23 TO-220F-3L www.umw-ic.com TO-220-3L 共8页 第1页 友台半导体有限公司 R UMW 7N65 极限参数(除非特殊说明，TC=25°C) 参数范围 参 数 符号 UM 7N65T 7N65F 7N65K 7N65S 单位 漏源电压 VDS 650 V 栅源电压 VGS ±30 V TC = 25°C 漏极电流 7.0 ID TC = 100°C 漏极脉冲电流 28.0 IDM 耗散功率（TC=25°C） PD - 大于 25°C 每摄氏度减少 单脉冲雪崩能量（注 1） A 4.0 A 145 46 138 140 W 1.16 0.37 1.10 1.12 W/°C EAS 435 mJ 工作结温范围 TJ -55～+150 °C 贮存温度范围 Tstg -55～+150 °C 热阻特性 参数范围 参 数 符 号 7N65T 7N65F 7N65K 7N65S 单位 芯片对管壳热阻 RθJC 0.86 2.7 0.91 0.89 °C/W 芯片对环境的热阻 RθJA 62.5 120 62.5 62.5 °C/W 电性参数(除非特殊说明，TC=25°C) 参 数 符 号 漏源击穿电压 BVDSS 漏源漏电流 栅源漏电流 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 VGS=0V， ID=250µA 650 -- -- V IDSS VDS=650V，VGS=0V -- -- 1.0 µA -- -- ±100 nA 2.0 -- 4.0 V -- 1.1 1.4 Ω -- 903.3 -- -- 97.7 -- -- 3.1 -- -- 29.00 -- -- 48.00 -- -- 39.00 -- -- 33.00 -- -- 15.50 -- -- 5.40 -- -- 4.50 -- IGSS VGS=±30V，VDS=0V 栅极开启电压 VGS(th) VGS= VDS，ID=250µA 导通电阻 RDS(on) VGS=10V，ID=3.5 输入电容 Ciss 输出电容 Coss 反向传输电容 Crss 开启延迟时间 td(on) 开启上升时间 tr 关断延迟时间 td(off) 关断下降时间 tf 栅极电荷量 Qg 栅极-源极电荷量 Qgs 栅极-漏极电荷量 Qgd www.umw-ic.com VDS=25V，VGS=0V， f=1.0MHz VDD=325V， RG=25Ω，ID=7.0A (注 2，3) VDS=520V，ID=7.0A，VGS=10V (注 2，3) 共8页 第2页 pF ns nC 友台半导体有限公司 R UMW 7N65 源-漏二极管特性参数 参 数 符号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 源极电流 IS MOS 管中源极、漏极构成的反 -- -- 7.0 源极脉冲电流 ISM 偏 P-N 结 -- -- 28.0 源-漏二极管压降 VSD IS=7.0A，VGS=0V -- -- 1.4 V 反向恢复时间 Trr IS=7.0A，VGS=0V， -- 532.77 -- ns 反向恢复电荷 Qrr dIF/dt=100A/µs（注 2） -- 3.57 -- µC A 注： 1. L=30mH，IAS=5.0A，VDD=100V，RG=25Ω，开始温度 TJ=25°C； 2. 脉冲测试： 脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%； 3. 基本上不受工作温度的影响。 典型特性曲线 图1.输出特性 10 图2.传输特性 100 变量 VGS=4.5V VGS=5V VGS=5.5V VGS=6V VGS=7V -55°C 25°C 150°C 漏极电流 – ID(A) 漏极电流 – ID(A) 100 VGS=8V VGS=10V VGS=15V 1 1 10 1 注： 1.250µS脉冲测试 2.VDS=50V 注： 1.250µS 脉冲测试 2.TC=25°C 0.1 0.1 10 0.1 100 0 1 2 漏源电压 – VDS(V) 图3. 导通电阻vs.漏极电流和栅极电压 6 7 8 9 10 图4. 体二极管正向压降vs.源极电流、温度 VGS=10V VGS=20V 1.3 1.2 1.1 1.0 0.9 0.8 0 5 10 反向漏极电流 – IDR(A) 漏源导通电阻 – RDSON)(Ω) 1.4 4 栅源电压– VGS(V) 1.6 1.5 3 -55°C 25°C 150°C 1 注： 1.250µS脉冲测试 2.VGS=0V 注：TJ=25°C 2 4 6 8 10 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 源漏电压 – VSD(V) 漏极电流 – ID(A) www.umw-ic.com 0.1 0.2 共8页 第3页 友台半导体有限公司 R UMW 7N65 典型特性曲线（续） 图5. 电容特性 图6. 电荷量特性 12 2000 Ciss=Cgs+Cgd(Cds=shorted) Coss=Cds+Cgd Crss=Cgd 1600 电容(pF) 1400 1200 1000 Ciss Coss Crss 800 600 注： 1. VGS=0V 2. f=1MHz 400 VDS=520V VDS=325V VDS=130V 10 栅源电压– VGS(V) 1800 8 6 4 2 200 注：ID=7.0A 0 0.1 1 10 0 100 0 4 漏源电压 – VDS(V) 图7. 击穿电压vs.温度特性 图8. 导通电阻vs.温度特性 3.0 漏源导通电阻– RDS(ON)（标准化） 漏源击穿电压 – BVDSS（标准化） 16 12 总栅极电荷 – Qg(nC) 1.2 1.1 1.0 0.9 注： 1. VGS=0V 2. ID=250µA 0.8 -100 -50 0 50 100 150 2.5 2.0 1.5 1.0 0.0 -100 200 注： 1. VGS=10V 2. ID=3.5A 0.5 结温 – TJ(°C) -50 0 50 100 150 200 结温 – TJ(°C) 图9-2. 最大安全工作区域( 7N65F ) 图9-1. 最大安全工作区域( 7N65T) 102 102 100µs 100µs 101 101 1ms 漏极电流 - ID(A) 漏极电流 - ID(A) 8 10ms DC 100 此区域工作受限于RDS(ON) 10-1 10-2 100 注： 1.TC=25°C 2.Tj=150°C 3.单个脉冲 10 1 10 2 10 3 100 DC 此区域工作受限于RDS(ON) 10-1 10-2 100 注： 1.TC=25°C 2.Tj=150°C 3.单个脉冲 101 102 103 漏源电压 - VDS(V) 漏源电压 - VDS(V) www.umw-ic.com 1ms 10ms 共8页 第4页 友台半导体有限公司 R UMW 7N65 典型特性曲线（续） 图9-4. 最大安全工作区域( 7N65S) 图9-3. 最大安全工作区域( 7N65K) 102 102 100µs 100µs 101 1ms 漏极电流 - ID(A) 漏极电流 - ID(A) 101 10ms DC 100 此区域工作受限于RDS(ON) 10-1 注： 1.TC=25°C 2.Tj=150°C 3.单个脉冲 10-2 100 101 102 103 1ms 10ms DC 100 此区域工作受限于RDS(ON) 10-1 10-2 100 注： 1.TC=25°C 2.Tj=150°C 3.单个脉冲 101 102 103 漏源电压 - VDS(V) 漏源电压 - VDS(V) 图 10. 最大漏极电流vs. 壳温 10 漏极电流 - ID(A) 8 6 4 2 0 25 50 75 100 125 150 壳温 – TC(°C) www.umw-ic.com 共8页 第5页 友台半导体有限公司 R UMW 7N65 典型测试电路 栅极电荷量测试电路及波形图 与待测器件 参数一致 VGS Qg 10V 50KΩ VDS 200nF 12V 300nF Qgs Qgd VGS 待测器件 3mA 电荷量 开关时间测试电路及波形图 RL VDS VDS 90% VGS VDD RG 待测器件 10% VGS 10V td(on) tr ton td(off) tf toff EAS测试电路及波形图 EAS = L VDS BVDSS 1 2 2 LIAS BVDSS - VDD BVDSS ID IAS RG 待测器件 10V ID(t) VDD VDS(t) VDD tp tp www.umw-ic.com 共8页 第6页 Time 友台半导体有限公司 R UMW 7N65 封装外形图 TO-220-3L 单位：mm 4.5±0.2 10.0±0.3 3.7±0.2 3.95MAX 15.1~16.1 6.10~7.00 1.2±0.2 1.30±0.30 13.1±0.5 1.80~2.80 0.80±0.20 0.5±0.2 2.54TYP TO-220F-3L 4.72±0.30 10.03±0.30 Φ3.20±0.20 2.55±0.25 15.80±0.50 15.75±0.50 6.70±0.30 3.30±0.25 单位：mm 2.80±0.30 9.80±0.50 1.47MAX 0.80±0.15 0.50±0.15 2.54 TYPE www.umw-ic.com 共8页 第7页 友台半导体有限公司 R UMW 7N65 封装外形图（续） TO-262-3L 单位：mm 4.4~4.7 9.15±0.10 1.22~1.32 3.3±0.20 13.25~14.00 2.0REF 1.17~1.40 10.16±0.2 2.69±0.10 13.20±0.30 1.23~1.36 0.77~0.89 0.34~0.47 2.54TYP 5.08TYP 单位： mm TO-263-2L 10.15±0.30 4.57±0.10 1.5±0.20 5.28±0.20 1.27±0.10 0～0.15 0.81±0.10 0.30～0.55 2.54±0.20 15.25±0.25 8.70±0.20 1.27±0.10 2.54TYP 4.98～5.18 www.umw-ic.com 共8页 第8页 友台半导体有限公司