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NE555M/TR

NE555M/TR

  • 厂商:

    HGSEMI(华冠)

  • 封装:

    SOP8_150MIL

  • 描述:

    高精度定时脉冲的双极性集成电路 SOP8

  • 数据手册
  • 价格&库存
NE555M/TR 数据手册
NE555 ■ 产品简介 NE555 是一款能产生高精度定时脉冲的双极性集成电路。内部包括阈值比较器、触发比较器、RS 触发 器、输出电路等四部分电路构成。它可通过外接少量的阻容器件,组成定时触发电路、脉宽调制电路、音 频振荡器等等电路。广泛应用于玩具、信号交通、自动化控制等等领域。 ■ 产品特点 ● 定时精度好 ● 最大工作频率可达 500KHZ 以上 ● 输出驱动能力强 ● 可与 TTL 电路兼容 ● 温度稳定性好 ● 封装形式:SOP8、DIP8 ● 定时时间可从微秒级到小时级(可通过外接电阻电容精确控制) ■ 产品订购信息 产品名称 封装 打印名称 包装 包装数量 NE555N DIP8 NE555 管装 2000 只/盒 NE555M/TR SOP8 NE555 编带 2500 只/盘 ■ 产品用途 ● 音频脉冲发生器、分频器 ● 脉宽调制,脉冲相位调制 ● 设备定时,交通灯控制、门禁控制 ● 工业控制 ■ 封装形式和管脚功能定义 管脚序号 管脚定义 管脚功能描述 1 GND 电源地 2 Trig 触发 3 Output 输出 4 Reset 复位 5 Cont 控制电压 6 Thres 阈值 7 Disch 放电 8 VCC 电源正 http://www.hgsemi.com.cn 1 DIP8/SOP8 2019 MAR NE555 ■ 极限参数 参数 符号 极限值 单位 电源电压 VCC 18 V 输入电压 VI (thre, trig, cont, reset) VCC V 输出电流 Io ±220 mA 耗散功率 400 mW 工作温度 PD TA -20~70 ℃ 储存温度 TS -65~150 ℃ 焊接温度 TW 260,10s ℃ 注:极限参数是指无论在任何条件下都不能超过的极限值。如果超过此极限值,将有可能造成产品劣化等物理性损伤; 同时在接近极限参数下,不能保证芯片可以正常工作。 ■ 原理框图 ■ 推荐电学参数 项目 符号 参数值 单位 电源电压 VCC 4.5~15 V 最大输入电压 Vth, Vtrig, Vcont, Vreset VCC V 输出电流 Io ±200 mA http://www.hgsemi.com.cn 2 2019 MAR NE555 ■ 电学特性 (TA=25℃,除非特别指定) 项目 工作电压 工作电流 符号 条件 最小值 典型值 最大值 单位 4.5 - 15 V VCC =5V, RL =∝,VO=VOL - 3 6 mA VCC =5V, RL =∝,VO=VOH - 1.5 5 mA VCC =15V, RL =∝, VO=VOL - 8 15 mA VCC =15V, RL =∝,VO=VOH - 6 13 mA VCC =15V - 10.0 11 V VCC =5V - 3.3 4 V VCC =15V - 10.0 11.2 V VCC =5V - 3.3 4.2 V VCC =15V, VTH =0V - - 250 nA VCC =15V - 5.0 5.6 V VCC =5V - 1.6 2.2 V - - 2 uA VCC ICC 控制端电压 VCL 阈值电压端电压 VTH 阈值电压电流 ITH *note1 触发端电压 VTRIG 触发端电流 ITRIG VCC =15V, VTRIG =0V, 复位端高电压 VRESETH VCC =5V 1.5 - VCC V 复位端低电压 VRESETL VCC =5V GND - 0.5 V VRESET =0.4V,VCC =15V - 0.13 0.4 mA VRESET =0V,VCC =15V - O.3 1.5 mA VCC =15V, IL =-5mA - 0.02 0.25 VCC =15V, IL =-50mA - 0.04 0.75 VCC =15V, IL =-100mA - 2.0 2.5 VCC =15V, IL =-200mA - 2.8 - VCC =5V, IL =-5mA - 0.08 0.35 0.15 0.4 复位端电流 输出低电压 IRESET VOL VCC =5V, IL =-8mA 输出高电压 VOH V VCC =15V, IL =-100mA 12.75 13.3 - VCC =15V, IL =-200mA - 12.2 - VCC =5V, IL =-100mA 2.75 3.3 - - - 100 nA VCC=15V,Idis=15mA - 140 480 mV VCC=5V,Idis=4.5mA - 100 200 mV V Idis (off) VO=VOH, Vdis = 10V 放电管饱和电压 Vdis(sat) VO=VOL 输出上升沿时间 tR CL=15pF, - 80 300 ns 输出下降沿时间 tF * Ts note2 CL=15pF - 50 300 ns RA=2kΩ至 VCC=15V,初始误差 - 1 - % Tv 100kΩ 随电源电压漂移(4.5V~15V) - 0.1 - %/V Tt * Ts note2 C=0.1uF VCC=15V,随温度漂移(0~60℃) - 150 - ppm℃ RA、RB=1kΩ VCC=15V,初始误差 - 1 - % Tv 至 100kΩ 随电源电压漂移(4.5V~15V) - 0.1 - %/V Tt C=0.1uF VCC=15V,随温度漂移(0~60℃) - 150 - ppm℃ 放电管关闭漏电流 定时误差 (单稳态) 定时误差 (非稳态) Notes:1.在 Vcc=15V 下,Ra+Rb 的最大值为 10MΩ;在 Vcc=5V 下,Ra+Rb 的最大值为 3.4MΩ。 2.定时误差定义为测量值与随机样本平均值之间的差。 同时,定时误差受外接电容、电阻的误差影响。 http://www.hgsemi.com.cn 3 2019 MAR NE555 ■ 典型应用线路 1、单稳态: 在单稳态模式下,当输入电平达到 1/3 Vcc 时,电路触发输出高电平,并保持 t=1.1*RA*C 时间后, 输出变为低电平。在 t 时间内,无论输入电平是什么状态,输出状态不受影响。电路及波形见图 3 和图 4。 图 4 单稳态波形图 图 3 单稳态电路 2、非稳态: 在非稳态模式下,电路会自动触发,输出为方波的多谐振荡器。其输出方波频率和占空比,可通过 RA、 RB、C 大小进行调节。其触发模式、充电和放电时间以及频率与电源电压无关。电路及波形见图 5 和图 6。 输出高电平脉宽 th=0.693*(RA+RB)*C;低电平脉宽 tl=0.693*RB*C; T=th+tl=0.693(RA+2RB)C; 频率 f=1/T=1.44/(RA*C+2RB*C); 占空比 D=tl/T=RB/(RA+2RB)。 图 6 非稳态波形图 图 5 非稳态电路 http://www.hgsemi.com.cn 4 2019 MAR NE555 3、脉宽调制: 当定时器以单稳态模式连接,并由连续脉冲串施加到引脚 2 触发时,输出脉冲宽度可由施加到引脚 5 的信号进行调制。见图 7、图 8。 图7 图 8 脉宽调制电路波形图 脉宽调制电路 4、脉冲位置调制: 当定时器以图 9 方式连接,输出脉冲位置可由施加到引脚 5 的信号进行调制。见图 9、图 10。 图 10 脉冲位置调制电路波形图 图 9 脉冲位置调制电路 http://www.hgsemi.com.cn 5 2019 MAR NE555 封装外形图 SOP8 Q B C C1 A D A1 a 0.25 b UNIT:mm DIM. A A1 B C C1 D MIN 4.520 0.100 4.800 5.800 3.800 0.400 TYP 4.570 4.920 6.100 3.900 - MAX 4.620 0.250 5.100 6.250 4.000 0.950 DIM. a b Q MIN 0.400 1.260 0° MAX 6.680 9.500 9.000 7.82 3.550 DIM. a b c d L L1 TYP 0.420 1.270 - MAX 0.440 1.280 8° DIP8 D1 L1 L E B d D A c a http://www.hgsemi.com.cn UNIT:mm DIM. A B D D1 E b 6 MIN 6.100 9.000 8.400 7.42 3.100 TYP 6.300 9.200 8.700 7.62 3.300 MIN 1.504 0.437 2.530 0.500 3.000 TYP 1.524 0.889 0.457 2.540 3.200 MAX 1.544 0.477 2.550 0.700 3.600 2019 MAR NE555 重要声明: 华冠半导体保留未经通知更改所提供的产品和服务。客户在订货前应获取最新的 相关信息,并核实这些信息是否最新且完整的。 客户在使用华冠半导体产品进行系统设计和整机制造时有责任遵守安全标准并 采取安全措施,以避免潜在风险可能导致人身伤害或财产损失情况的发生。 华冠半导体产品未获得生命支持、军事、航空航天等领域应用之许可,华冠半导 体将不承担产品在这些领域应用造成的后果。 华冠半导体的文档资料,仅在没有对内容进行任何篡改且带有相关授权的情况下 才允许进行复制。华冠半导体对篡改过的文件不承担任何责任或义务。 http://www.hgsemi.com.cn 7 2019 MAR
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