74HC08M/TR

74HC08 74HC08 4路2输入与门 1、概 述 74HC08 是高速 CMOS 电路，管脚兼容低功耗肖特基 TTL（LSTTL）系列。74HC08 遵循 JEDEC 标准no.7A。74HC08 实现了2输入与门功能。其主要特点如下： ● 兼容JEDEC标准no.8-1A ● ESD保护 HBM EIA/JESD22-A114-A exceeds 2000V MM EIA/JESD22-A115-A exceeds 200V ● 温度范围：-40℃～+85℃ ● 封装形式：DIP14/SOP14/TSSOP14 产品订购信息 产品名称 封装 打印名称 包装 包装数量 74HC08N DIP14 74HC08 管装 1000 只/盒 74HC08M/TR SOP14 74HC08 编带 2500 只/盘 TSSOP14 74HC08 编带 2000 只/盘 74HC08MT/TR 2、功能框图及引脚说明 2.1、功能框图 图 1、功能框图 http://www.hgsemi.com.cn 图 2、单个逻辑门框图 1 2019 DEC 74HC08 2.2、引脚排列图 图 3、引脚排列图 2.3、引脚说明 引脚 1 2 3 4 5 6 7 符 号 1A 1B 1Y 2A 2B 2Y GND 功 能 数据输入 数据输入 数据输出 数据输入 数据输入 输入输出 地（0V） 引脚 8 9 10 11 12 13 14 符 号 3Y 3A 3B 4Y 4A 4B Vcc 功 能 数据输出 数据输入 数据输入 数据输出 数据输入 数据输入 电源电压 2.4、真值表 输入 输出 nA L L H H nB L H L H nY L L L H 3、电特性 3.1、 极限参数（除非另有规定，Tamb=25℃，GND=0V） 参 数 名 称 电源电压 符 号 VCC 输入钳位电流 IIK 输出钳位电流 输出电流 VCC 或 GND 电流 贮存温度 IOK IO ICC，IGND TSTG 焊接温度 TL 条 件 最小 典型 最大 — VO＜-0.5V 或 VO＞ VCC+0.5V VO= -0.5V～VCC+0.5V — — — DIP 10 秒 SOP -0.5 — +7 单 位 V — — ±20 mA — — — -65 — — — — — — 245 250 ±20 ±25 ±50 +150 — — mA mA mA ℃ ℃ 3.2、推荐使用条件 http://www.hgsemi.com.cn 2 2019 DEC 74HC08 参 数名 称 符 号 电源电压 输入电压 输出电压 VCC VI VO 输入上升、下降时间 tr,tf 工作温度 Tamb 条件 VCC=2.0V VCC=4.5V VCC=6.0V 最小 典型 最大 单 位 2.0 0 0 -40 5.0 6.0 +25 6.0 VCC VCC 1000 500 400 +85 V V V ns ns ns ℃ 3.3、电气特性 3.3.1 直流参数 1（ 除非另有规定，Tamb = 25℃,GND = 0V） 参 数 名 称 符号 测 试 条 件 VCC=2.0V VIH VCC=4.5V 输入高电平电压 VCC=6.0V VCC=2.0V VIL VCC=4.5V 输入低电平电压 VCC=6.0V VCC=2.0V , IO=-20uA 输出高电平电压 VOH 输出低电平电压 VOL 输入漏电流 静态电流 ILI ICC http://www.hgsemi.com.cn 最小 1.5 3.15 4.2 － － － 1.9 典型 1.2 2.4 3.2 0.8 2.1 2.8 最大 － － － 0.5 1.35 1.8 单位 V V V V V V 2.0 － V VCC=4.5V , IO =-20uA 4.4 4.5 － V VCC=6.0V , IO =-20uA 5.9 6.0 － V VCC=4.5V , IO =-4.0mA 3.98 4.32 － V VCC=6.0V , IO =-5.2mA VCC=2.0V , IO =20uA VCC=4.5V , IO =20uA VCC=6.0V , IO =20uA Vi=VIH 或 VIL VCC=4.5V , IO =4.0mA VCC=6.0V , IO =5.2mA Vi=VCC 或 GND, VCC=6.0V Vi=VCC 或 GND, VCC=6.0V, IO=0 uA 5.48 5.81 0 0 0 0.15 0.16 － － － 0.1 0.1 0.1 0.26 0.26 ±0.1 2.0 V V V V V V uA uA Vi=VIH 或 VIL 3 － － － － － － － 2019 DEC 74HC08 3.3.2、直流参数 2 (除非另有规定，Tamb = -40～+85 °C, GND=0) 参 数 名 称 符号 输入高电平电压 VIH 输入低电平电压 VIL 输出高电平电压 VOH 输出低电平电压 VOL 输入漏电流 静态电流 ILI ICC 测 试 条 件 VCC=2.0V VCC=4.5V VCC=6.0V VCC=2.0V VCC=4.5V VCC=6.0V VCC=2.0V , IO =-20uA Vi=VIH 或 VIL 最小 1.5 3.15 4.2 － － － 1.9 典型 － － － － － － 最大 － － － 0.5 1.35 1.8 － － 单位 V V V V V V V VCC=4.5V , IO =-20uA 4.4 － － V VCC=6.0V , IO =-20uA 5.9 － － V VCC=4.5V , IO =-4.0mA 3.84 － － V VCC=6.0V , IO =-5.2mA 5.34 － V － － － － － － － － － － － － － － － 0.1 0.1 0.1 0.33 0.33 ±1.0 20 VCC=2.0V , IO =20uA VCC=4.5V , IO =20uA VCC=6.0V , IO =20uA Vi=VIH 或 VIL VCC=4.5V , IO =4.0mA VCC=6.0V , IO =5.2mA Vi=VCC 或 GND, VCC=6.0V Vi=VCC 或 GND, VCC=6.0V, IO=0 uA V V V V V uA uA 3.3.3 交流参数 1 参数名称 (除非另有规定，Tamb= 25℃,GND=0，tr = tf =6.0ns，CL=50pF；见图4，图5) 符号 测试条件 最小 典型 最大 单位 VCC= 2.0V 25 90 ns － nA,，nB 到 nY tPHL/tPLH VCC= 4.5V 9 18 ns － 的传输延时 VCC= 6.0V 7 15 ns － VCC= 2.0V 19 75 ns － tTHL/tTLH VCC= 4.5V 7 15 ns 输出转换时间 － VCC= 6.0V 6 13 ns － 3.3.4 交流参数 2 (除非另有规定，Tamb= -40～+85 °C,GND=0,tr = tf =6.0ns,CL=50pF；见图4，图5) 参数名称 符号 测试条件 最小 典型 最大 单位 VCC= 2.0V 115 ns － － nA,，nB 到 nY tPHL/tPLH VCC= 4.5V 23 ns － － 的传输延时 VCC= 6.0V 20 ns － － VCC= 2.0V 95 ns － － tTHL/tTLH VCC= 4.5V 19 ns 输出转换时间 － － VCC= 6.0V 16 ns － － http://www.hgsemi.com.cn 4 2019 DEC 74HC08 4、测试线路 4. 1.、交流波形图 AiP74HC08: VM = 50%; VI = GND 到 VCC 图4、 输入 (nA, nB) 到输出 (nY)的延时波形图 4. 2.、交流测试图 图5、交流测试图 注： RT：终端电阻须与信号发生器的输出阻抗匹配 CL：负载电容须包括夹具有探针电容 http://www.hgsemi.com.cn 5 2019 DEC 74HC08 重要声明： 华冠半导体保留未经通知更改所提供的产品和服务。客户在订货前应获取最新的 相关信息，并核实这些信息是否最新且完整的。 客户在使用华冠半导体产品进行系统设计和整机制造时有责任遵守安全标准并 采取安全措施，以避免潜在风险可能导致人身伤害或财产损失情况的发生。 华冠半导体产品未获得生命支持、军事、航空航天等领域应用之许可，华冠半导 体将不承担产品在这些领域应用造成的后果。 华冠半导体的文档资料，仅在没有对内容进行任何篡改且带有相关授权的情况下 才允许进行复制。华冠半导体对篡改过的文件不承担任何责任或义务。 http://www.hgsemi.com.cn 6 2019 DEC