FHD9540B

P 沟道增强型场效应晶体管 P-CHANNEL MOSFET FHU9540B/FHD9540B 主要参数 MAIN CHARACTERISTICS ID VDSS Rdson-typ（ @Vgs=-10V） Rdson-typ（ @Vgs=-4.5V） Qg-typ 产品特性 FEATURES 低栅极电荷 低 Crss (典型值 190pF) 开关速度快 100%经过雪崩测试 高抗 dv/dt 能力 RoHS 产品 -35 A -100 V 32mΩ 36mΩ 66nC Low gate charge Low Crss (typical 190pF ) Fast switching 100% avalanche tested Improved dv/dt capability RoHS product 用途 APPLICATIONS 负载开关 便携式设备电源管理和电 池供电系统 Load switch Portable equipment power management and battery power supply system 封装形式 Package 等效电路 Equivalent Circuit D D TO-252 FHD series G S D TO-251 FHU series S G 绝对最大额定值 ABSOLUTE RATINGS (Tc=25℃) 项目 Parameter 数值 Value 符号 Symbol FHU9540B 最高漏极－源极直流电压 Drain-Source Voltage 连续漏极电流* Drain Current -continuous * 最大脉冲漏极电流（注 1） Drain Current – pulse（note 1） 最高栅源电压 Gate-Source Voltage 单脉冲雪崩能量（注 2） Single Pulsed Avalanche Energy（note 2） 雪崩电流（注 1） Avalanche Current（note 1） 重复雪崩能量（注 1） Repetitive Avalanche Current（note 1） 二极管反向恢复最大电压变化速率（注 3） Peak Diode Recovery dv/dt（note 3） 单位 Unit FHD9540B VDS -100 V ID（TC=25℃） ID（TC=100℃) -35 -25 A A IDM -140 A VGS ±20 V EAS 480 mJ IAR -17 A EAR 16 mJ dv/dt 5.0 V/ns 105 0.71 W W/℃ -55～+150 ℃ 300 ℃ PD （TC=25℃） 耗散功率 -Derate above 25℃ Power Dissipation 最高结温及存储温度 TJ，TSTG Operating and Storage Temperature Range 引线最高焊接温度 TL Maximum Lead Temperature for Soldering Purposes *漏极电流由最高结温限制 *Drain current limited by maximum junction temperature Q8 1 Ver-1.1LC 电特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS 项目 Parameter 符号 Symbol 测试条件 Tests conditions 最小 Min 典型 Typ 最大 Max 单位 Units ID=-250μA, VGS=0V -100 - - V ID=-250μA, referenced to 25℃ - -0.1 - V/℃ VDS=-100V,VGS=0V, TC=25℃ - - -1 μA VDS=-80V, TC=125℃ - -10 μA VDS=0V, VGS =±20V - - ±100 nA -1.3 -1.95 -2.5 V VGS =-10V , ID=-15A - 32 38 VGS =-4.5V , ID=-10A - 36 45 VDS = -5V, ID=-12A（note 4） - 28 - S 1.5 - Ω 3100 - 360 - 190 - 15 - ns 17 - ns 31 - ns 53 - ns 66 - nC 17 - nC 23 - nC - -35 A - -140 A -0.82 -1.3 V 52 - ns 96 - nC 关态特性 Off –Characteristics 漏－源击穿电压 Drain-Source Voltage 击穿电压温度特性 Breakdown Voltage Temperature Coefficient 零栅压下漏极漏电流 Zero Gate Voltage Drain Current 栅极体漏电流 Gate-body leakage current BVDSS ΔBVDSS/Δ TJ IDSS IGSS（F/R） - 通态特性 On-Characteristics 阈值电压 Gate Threshold Voltage 静态导通电阻 Static Drain-Source On-Resistance 正向跨导 Forward Transconductance VGS(th) VDS = VGS , ID=-250μA RDS(ON) gfs mΩ 动态特性 Dynamic Characteristics f=1.0MHz, 栅电阻 Rg VDS OPEN Gate Resistance 输入电容 Ciss Input capacitance VDS=-25V, 输出电容 Coss VGS =0V, Output capacitance f=1.0MHz 反向传输电容 Crss Reverse transfer capacitance 开关特性 Switching Characteristics 延迟时间 td(on) Turn-On delay time VDS=-50V, 上升时间 tr ID=-35A, Turn-On rise time RG=4.7Ω 延迟时间 td(off) VGS =-10V Turn-Off delay time （note 4，5） 下降时间 tf Turn-Off Fall time 栅极电荷总量 Qg VDS =-580V , Total Gate Charge ID=-35A , 栅－源电荷 Qgs V GS =-10V Gate-Source charge （note 4，5） 栅－漏电荷 Qgd Gate-Drain charge 漏－源二极管特性及最大额定值 Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings 正向最大连续电流 Maximum Continuous Drain IS -Source Diode Forward Current 正向最大脉冲电流 Maximum Pulsed ISM Drain-Source Diode Forward Current 正向压降 VSD VGS=0V, IS=-35A Drain-Source Diode Forward Voltage 反向恢复时间 trr Reverse recovery time VGS=0V, IS=-35A ,dIF/dt=-500A/μs (note 4) 反向恢复电荷 Qrr Reverse recovery charge Q8 2 pF Ver-1.1LC 热特性 THERMAL CHARACTERISTIC 项目 Parameter 结到管壳的热阻 Thermal Resistance, Junction to Case 结到环境的热阻 Thermal Resistance, Junction to Ambient 符号 Symbol 最大值 Max 单位 Unit Rth(j-c) 1.45 ℃/W Rth(j-A) 110 ℃/W 注释： 1：脉冲宽度由最高结温限制 2：L=1mH, IAS=-17A,VDD=-48V, RG=25 Ω,起始结温 TJ=25℃ 3：ISD ≤-35A,di/dt ≤300A/μs,VDD≤BVDSS,起始结温 TJ=25℃ 4：脉冲测试：脉冲宽度 ≤300μs,占空比≤2％ 5：基本与工作温度无关 Notes: 1：Pulse width limited by maximum junction temperature 2：L=1mH, IAS=-17A,VDD=-48V, RG=25 Ω,Starting TJ=25℃ 3：ISD ≤-35A,di/dt ≤300A/μs,VDD≤BVDSS, Starting TJ=25℃ 4：Pulse Test：Pulse Width ≤300μs,Duty Cycle≤2％ 5：Essentially independent of operating temperatur Q8 3 Ver-1.1LC Q8 4 Ver-1.1LC Q8 5 Ver-1.1LC Q8 6 Ver-1.1LC Q8 7 Ver-1.1LC Q8 8 Ver-1.1LC Q8 9 Ver-1.1LC