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BTA08F

BTA08F

  • 厂商:

    YFW(佑风微)

  • 封装:

    TO-220-3

  • 描述:

    可控硅类型:三端双向可控硅;通态RMS电流(It(rms)):8A;浪涌电流(Itsm@f):80A@20ms;门极平均耗散功率(PG(AV)):1W;门极触发电流(Igt):50mA;

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  • 价格&库存
BTA08F 数据手册
BTA08F TO-220F 8A三象限双向可控硅 BTA08F-600/800 产品特征: NPNPN 五层结构的硅双向器件; P型对通扩散隔离; 台而玻璃纯化工艺; 背而多层金属电极; 工作结温高;换向能力强; 高电压变化率dV/dt; 大电流变化率dI/dt; 符合Rohs规范….. 应 用: 加热控制器;调光/调速控制器;洗衣机;搅拌机; 果汁机;面包机;吸尘器 等家用电器等等... T1:主端子 T2:主端子 G:触发极 主要参数: 符号 参数 数值 单位 IT(RMS) 通态有效值电流 8 A VDRM/VRRM 断态重复峰值电压 600/800 V VTM 导通压降 1.55 V 极限参数(TCASE=25℃): 符号 参数 条件 数值 单位 VDRM/VRRM 断态重复峰值电压 Tj=25℃ 600/800 V IT(RMS) 通态均方根电流 TO-220F(TC≤100℃),Fig,1,2 8 A ITSM 通态不重复浪涌电流 全正弦波, Tj(init)=25℃,tp=20ms;Fig3,5 80 A It 2 I t值 正弦波脉冲,tp=10ms 36 AS dIT/dt 通态电流临界上升率 IG=2*IGT,tr≤10ns, F=120Hz,Tj=125℃ IGM 门极峰值电流 tP=20us,Tj=125℃ 4 A PG(AV) 门极平均功率 Tj=125℃ 1 W TSTG 存储温度 -40~+150 Tj 工作结温 -40~+125 www.yfwdiode.com 2 2 50 Ⅰ-Ⅱ-Ⅲ A/us ℃ 1/4 GuangDong YFW Electronics Co, Ltd. BTA08F TO-220F 产品电性能 数值 符号 参数 测试条件 VD=12V, RL=30Ω, Tj=25℃, Fig.6 单位 IGT 门极触发电流 VGT 门极触发电压 VGD 门极不触发电压 VD=VDRM,Tj=125℃,RL=3.3KΩ IH 维持电流 IT=100mA,Fig. 6 IL 擎住电流 Ⅰ-Ⅱ-Ⅲ TW SW CW ≤5 ≤10 ≤35 Ⅰ-Ⅱ-Ⅲ IG=1.2IGT, Fig. 6 mA ≤1.3 V ≥0.2 V ≤10 ≤15 ≤35 mA Ⅰ-Ⅲ ≤10 ≤25 ≤50 mA Ⅱ ≤15 ≤30 ≤60 mA ≥20 ≥40 ≥400 V/us dVD/dt 断态电压临界上升率 VD=67%VDRM,门极开路 Tj=125℃ VTM 通态压降 ITM=11A,tp=380us,Fig.4 IDRM / IRRM 断态重复峰值电流 V ≤1.55 VD=VDRM/VRRM,Tj=25℃ ≤5 ≤5 ≤5 uA VD=VDRM/VRRM,Tj=125℃ ≤1 ≤1 ≤1 mA 热阻参数: 符号 参数 数值 单位 Rth(j-c) 结到管壳的热阻(AC) TO-220F(Ins) 2.5 ℃/W Rth(j-a) 结到环境的热阻 TO-220F(Ins) 60 ℃/W 产品标识: BT A 08 -600 C W 三象限可控硅 T:IGT1-3≤5mA, 双向可控硅 S:IGT1-3≤10mA, C:IGT1-3≤35mA, A:TO-220F绝缘封装 断态重复峰值电压 600:≥600V 800: ≥800V IT(RMS)=8A www.yfwdiode.com 2/4 GuangDong YFW Electronics Co, Ltd. BTA08F TO-220F 参数特性曲线图: FIG.1 最大功耗与均方根电流关系曲线图 P(W) 10 FIG.2:均方根电流与壳温关系曲线图 9 IT(RMS)(A) 8 8 7 6 6 5 4 4 3 2 2 0 1 IT(RMS)(A) 0 90 2 4 6 8 FIG.3: 峰值浪涌电流与周期数量关系图 ITSM(A) TC(℃) 0 -50 0 50 100 150 FIG.4: 输出特性图(最大值图) ITM(A) 100 80 Tj=125ºC 70 60 50 10 40 30 Tj=25ºC 20 10 Number of cycles 1 10 100 1000 1 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 FIG.6: 门极触发电流、维持电流、擎住 T =125ºC 电流与结温关系曲线图 j FIG.5: 非重复峰值浪涌电流与正弦波脉宽 关系曲线 1000 VTM(V) ITSM(A) 2.5 IGT,IH,IL(Tj)/IGT,IH,IL(Tj=25ºC) 2.0 IGT 100 1.5 1.0 IH&IL 10 0.5 o tp(ms) 0.01 www.yfwdiode.com 0.1 1 10 0.0 -40 3/4 Tj( C) -20 0 20 40 60 80 100 120 140 GuangDong YFW Electronics Co, Ltd. BTA08F TO-220F 封装外形: TO-220F(Ins) www.yfwdiode.com 4/4 GuangDong YFW Electronics Co, Ltd.
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