H928S

汕头华汕电子器件有限公司 PNP SILICON TRANSISTOR 对应国外型号 KSA928A H928S █ 主要用途 作音频放大。 █ 外形图及引脚排列 █ 极限值（Ta=25℃） T stg —— 贮存 温度… …… ……… …… ……… …… - 55 ~150 ℃ Tj——结温……………………………………………150℃ P C ——集电极耗散功率…………………………………750 mW V CBO ——集电极—基极电压……………………………… -30 V V CEO — — 集 电极—发射 极电压…… …………… ………… -30V V EB O — — 发 射极— 基极 电压… …… ……… …… ……… … -5 V IC——集电极电流………………………………………-2A TO-92 1―发射极，E 2―集电极，C 3―基 极，B █ 电参数（Ta=25℃） 参数符号 符 号 说 明 最小值 典型值 最大值 单位 测 试 条 件 BVCBO BVCEO BVEBO ICBO IEBO HFE VCE(sat) VBE(on) fT Cob 集电极—基极击穿电压 集电极—发射极击穿电压 发射极—基极击穿电压 集电极—基极截止电流 发射极—基极截止电流 直流电流增益 集电极—发射极饱和电压 基极—发射极导通电压 特征频率 共基极输出电容 -30 -30 -5 -100 -100 320 -2 -1 120 48 V V V nA nA V V MHz pF 100 IC=-100μA，IE=0 IC=-10mA，IB=0 IE=-1mA，IC=0 VCB=-30V, IE=0 VEB=-5V, IC=0 VCE=-2V, IC=-500mA IC=-1.5A, IB=-30mA VCE=-2V, IC=-500mA VCE=-2V, IC=-500mA VCB=-10V,IE=0 f=1MHz █ 分档及其标志 O 100—200 Y 160—320