2N4923

2N4921, 2N4922, 2N4923 2N4923 is a Preferred Device Medium−Power Plastic NPN Silicon Transistors These high−performance plastic devices are designed for driver circuits, switching, and amplifier applications. Features http://onsemi.com • Low Saturation Voltage − VCE(sat) = 0.6 Vdc (Max) @ IC = 1.0 A • Excellent Power Dissipation Due to Thermopad Construction − • • • • PD = 30 W @ TC = 25_C Excellent Safe Operating Area Gain Specified to IC = 1.0 A Complement to PNP 2N4918, 2N4919, 2N4920 Pb−Free Packages are Available* 1.0 AMPERE GENERAL PURPOSE POWER TRANSISTORS 40−80 VOLTS, 30 WATTS MAXIMUM RATINGS ÎÎÎÎ Î Î ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ Î ÎÎ Î Î Î ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î ÎÎ ÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ Î ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ Î Î Î ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ Î Î Î ÎÎ Î ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î Î ÎÎ ÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Collector−Emitter Voltage 2N4921 2N4922 2N4923 2N4921 2N4922 2N4923 VCEO 40 60 80 40 60 80 Vdc Collector−Emitter Voltage VCB Vdc Emitter Base Voltage VEB IC IB 5.0 1.0 3.0 1.0 Vdc Adc Adc Collector Current − Continuous (Note 1) Base Current − Continuous Total Power Dissipation @ TC = 25_C Derate above 25_C Operating and Storage Junction Temperature Range PD 30 0.24 W mW/_C _C TJ, Tstg –65 to +150 Rating Symbol Value Unit TO−225 CASE 77 STYLE 1 3 21 MARKING DIAGRAM 1 YWW 2 N492xG THERMAL CHARACTERISTICS (Note 2) Characteristic Thermal Resistance, Junction−to−Case Symbol qJC Max Unit 4.16 _C/W Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur. Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits are exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur and reliability may be affected. 1. The 1.0 A maximum IC value is based upon JEDEC current gain requirements. The 3.0 A maximum value is based upon actual current handling capability of the device (see Figures 5 and 6). 2. Recommend use of thermal compound for lowest thermal resistance. *Indicates JEDEC Registered Data. Y = Year WW = Work Week 2N492x = Device Code x = 1, 2, or 3 G = Pb−Free Package ORDERING INFORMATION Device 2N4921 2N4921G 2N4922 2N4922G 2N4923 2N4923G Package TO−225 TO−225 (Pb−Free) TO−225 TO−225 (Pb−Free) TO−225 TO−225 (Pb−Free) Shipping 500 Units / Box 500 Units / Box 500 Units / Box 500 Units / Box 500 Units / Box 500 Units / Box *For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D. © Semiconductor Components Industries, LLC, 2006 Preferred devices are recommended choices for future use and best overall value. 1 January, 2006 − Rev. 11 Publication Order Number: 2N4921/D ÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ Î Î ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ Î Î ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ Î Î ÎÎÎÎ Î Î Î ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ Î Î ÎÎÎÎ Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎ Î Î ÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ Î Î ÎÎÎÎ Î Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ Î ÎÎ ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ Î Î Î ÎÎÎÎ Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎ Î Î ÎÎ Î Î ÎÎ Î ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ Î Î Î Î ÎÎÎÎ Î Î Î ÎÎÎÎ Î Î Î Î ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎ Î Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎ Î Î ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ Î ÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ 3. Pulse Test: PW ≈ 300 ms, Duty Cycle ≈ 2.0%. *Indicates JEDEC Registered Data. SMALL−SIGNAL CHARACTERISTICS ON CHARACTERISTICS OFF CHARACTERISTICS ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25_C unless otherwise noted) Small−Signal Current Gain (IC = 250 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 1.0 kHz) Output Capacitance (VCB = 10 Vdc, IE = 0, f = 100 kHz) Current−Gain − Bandwidth Product (IC = 250 mAdc, VCE = 10 Vdc, f = 1.0 MHz) Base−Emitter On Voltage (Note 3) (IC = 1.0 Adc, VCE = 1.0 Vdc) Base−Emitter Saturation Voltage (Note 3) (IC = 1.0 Adc, IB = 0.1 Adc) Collector−Emitter Saturation Voltage (Note 3) (IC = 1.0 Adc, IB = 0.1 Adc) DC Current Gain (Note 3) (IC = 50 mAdc, VCE = 1.0 Vdc) (IC = 500 mAdc, VCE = 1.0 Vdc) (IC = 1.0 Adc, VCE = 1.0 Vdc) Emitter Cutoff Current (VEB = 5.0 Vdc, IC = 0) Collector Cutoff Current (VCB = Rated VCB, IE = 0) Collector Cutoff Current (VCE = Rated VCEO, VEB(off) = 1.5 Vdc) (VCE = Rated VCEO, VEB(off) = 1.5 Vdc, TC = 125_C Collector Cutoff Current (VCE = 20 Vdc, IB = 0) (VCE = 30 Vdc, IB = 0) (VCE = 40 Vdc, IB = 0) Collector−Emitter Sustaining Voltage (Note 3) (IC = 0.1 Adc, IB = 0) Characteristic 2N4921, 2N4922, 2N4923 http://onsemi.com 2N4921 2N4922 2N4923 2N4921 2N4922 2N4923 VCEO(sus) Symbol VCE(sat) VBE(sat) VBE(on) ICBO ICEO IEBO ICEX Cob hFE hfe fT Min 3.0 25 40 30 10 40 60 80 − − − − − − − − − − − Max 100 − 150 − 1.3 1.3 0.6 1.0 0.1 0.1 0.5 0.5 0.5 0.5 − − − − − mAdc mAdc mAdc mAdc MHz Unit Vdc Vdc Vdc Vdc pF − − 2 2N4921, 2N4922, 2N4923 40 PD, POWER DISSIPATION (WATTS) 30 20 10 0 25 50 75 100 TC, CASE TEMPERATURE (°C) 125 150 Figure 1. Power Derating Safe Area Curves are indicated by Figure 5. All limits are applicable and must be observed. APPROX +11 V Vin VBE(off) TURN−ON PULSE t1 VCC Vin RC RB Cjd