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创作活动
序号器件名产品描述数据手册生厂商
1HD1H15AN沟道,100V,15A,105mΩ@10V下载HL
2HD830类型:N沟道;漏源电压(Vdss):550V;连续漏极电流(Id):5A;功率(Pd):3.13W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.5Ω@10V,2....下载HL
3HSS2N15类型:N沟道;漏源电压(Vdss):150V;连续漏极电流(Id):1.8A;功率(Pd):1.3W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):240mΩ@10V,...下载HUASHUO SEMICONDUCTOR
4HSS2302A漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id)(25°C 时):3.6A;栅源极阈值电压:1.2V @ 250uA;漏源导通电阻:50mΩ @ 3A,4.5V;...下载HUASHUO SEMICONDUCTOR
5HSS2300A类型:N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):6A;功率(Pd):1W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):26mΩ@4.5V,4A;阈值...下载HUASHUO SEMICONDUCTOR
6HSS2306A漏源电压(Vdss):30V;连续漏极电流(Id)(25°C 时):4.6A;栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA;漏源导通电阻:33mΩ @ 4A,10V;最...下载HUASHUO SEMICONDUCTOR
7HSS2307类型:P沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):6A;功率(Pd):1.4W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):25mΩ@4.5V,6A;下载HUASHUO SEMICONDUCTOR
8HT62083ARWZ具有额定50V/500mA驱动能力的晶体阵列器下载HTCSEMI
9HSW6811类型:2个P沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):2A;功率(Pd):1W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):130mΩ@4.5V,2A...下载HUASHUO SEMICONDUCTOR
10H11AA4SR2M输入电压类型:AC,DC;输出通道数:1;正向电压:1.17V;反向电压:-;输出电流:50mA;接收端电压:100V;集射极饱和电压(Vce(sat)@Ic,IF...下载Murata Manufacturing Co., Ltd.
11HCPL2730下载Murata Manufacturing Co., Ltd.
12HC-VH-8A9W-G参考系列:VH;间距:3.96mm;插针结构:1x8P;排数:1;每排PIN数:8;行距:-;公母:公型插针;安装方式:弯插;额定电流:7A;工作温度范围:-25℃...下载Huacan Tianlu Electronics
13HG1118M-1515/TR输出类型:-;下载Guangdong Huaguan Semiconductor Co., Ltd.
14HG1118M-50AD/TR输出类型:-;下载Guangdong Huaguan Semiconductor Co., Ltd.
15HT83063AREZ1.5A 峰值升压/降压/反向开关稳压器下载HTCSEMI
16HT1584AREZ输入电压:25V;输出电流(最大值):3A;开关频率:1.5MHz;下载HTCSEMI
17HP4555D8-42高耐压带OVP满足IEC62368-1标准,真关断可调截止,超高精度下载HYPWR
18HR7P169BFGSFCPU内核:RISC;CPU最大主频:20MHz;工作电压范围:2.5V~5.5V;内部振荡器:有;外部时钟频率范围:32kHz~20MHz;程序 FLASH容量:...下载Eastsoft
19HT32F52341CPU内核:ARM Cortex-M0;CPU最大主频:48MHz;程序存储容量:64KB;程序存储器类型:FLASH;RAM总容量:8KB;GPIO端口数量:38...下载Holmate Technology Corp. (Holtek)
20HT396R-3.96-11P连接器类型:板端/插座-开口;间距:3.96mm;排数:1;每排PIN数:11;安装方式:弯针;额定电流:15A;额定电压:250V;线规 - AWG:-;线规 -...下载KEFA electronics