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序号器件名产品描述数据手册生厂商
1800B2R4BT500XT1K2.4 pF ±0.1pF 500V 陶瓷电容器 C0G,NP0 1111(2828 公制)下载American Technical Ceramics Corp
283172CFIXED IND 1.7UH 1.55A 73 MOHM下载Murata Manufacturing Co., Ltd.
38205S类型:双N沟道(共漏);漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):6A;功率(Pd):2W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):20mΩ@10V,5...下载JSMICRO SEMICONDUCTOR
48070.0类型:N沟道;漏源电压(Vdss):80V;连续漏极电流(Id):88A;功率(Pd):-;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):11mΩ@10V,40A;阈值...下载Goford Semiconductor Co.,Ltd.
582452148177.4V 夹子 7.8A Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 DO-214AA下载Wurth Electronics Inc.
682452015124.4V 夹子 24.6A Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 DO-214AA下载Wurth Electronics Inc.
782452118129.2V 夹子 20.6A Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 DO-214AA下载Wurth Electronics Inc.
8824520302486V 夹子 100A Ipp TVS - 二极管 表面贴装型 DO-214AA下载Wurth Electronics Inc.
98550S-TA下载Rubycon Corporation
108550SS-TA晶体管类型:PNP;集射极击穿电压(Vceo):25V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):1W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和...下载Rubycon Corporation
118050SS晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):25V;集电极电流(Ic):1.5A;功率(Pd):1W;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发射极饱和...下载Rubycon Corporation
128050S晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):25V;集电极电流(Ic):500mA;功率(Pd):625mW;集电极截止电流(Icbo):100nA;集电极-发...下载Rubycon Corporation
13890744429002CS25 µF 薄膜电容器 1200V(1.2kV) 聚丙烯(PP),金属化 径向 - 4 引线下载Wurth Electronics Inc.
14890744427001CS1 µF 薄膜电容器 1200V(1.2kV) 聚丙烯(PP),金属化 径向下载Wurth Electronics Inc.
15890734428008CS30 µF 薄膜电容器 1100V(1.1kV) 聚丙烯(PP),金属化 径向 - 4 引线下载Wurth Electronics Inc.
16890724429010CS75 µF 薄膜电容器 900V 聚丙烯(PP),金属化 径向 - 4 引线下载Wurth Electronics Inc.
17890414026011CS2.2 µF 薄膜电容器 310V 630V 聚丙烯(PP),金属化 径向下载Wurth Electronics Inc.
18890414026009CS1.5 µF 薄膜电容器 310V 630V 聚丙烯(PP),金属化 径向下载Wurth Electronics Inc.
198853422110014700 pF ±10% 200V 陶瓷电容器 X7R 1812(4532 公制)下载Wurth Electronics Inc.
2088501220400410000 pF ±10% 25V 陶瓷电容器 X7R 0201(0603 公制)下载Wurth Electronics Inc.