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序号器件名产品描述数据手册生厂商
1NX7002BKR类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):270mA;功率(Pd):310mW;1.67W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.8...下载Rubycon Corporation
2NTR4101PT1H类型:P沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):1.8A;功率(Pd):420mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):85mΩ@1.6A,...下载Murata Manufacturing Co., Ltd.
3NTRV4101PT1G类型:P沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):1.8A;功率(Pd):420mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):85mΩ@1.6A,...下载Murata Manufacturing Co., Ltd.
4NTGS5120PT1G类型:P沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):1.8A;功率(Pd):600mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):111mΩ@10V,...下载Murata Manufacturing Co., Ltd.
5NP8205MR下载Shanghai Natlinear Electronics Co.,Ltd.
6NCV2901DR2G比较器组数:4;电源电压:3V ~ 36V, ±1.5V ~ 18V;各通道供电电流:2.5mA;输出类型:CMOS, Open-Collector, TTL;传播...下载Murata Manufacturing Co., Ltd.
7NCS4333DR2G放大器组数:-;下载Murata Manufacturing Co., Ltd.
8NSV1SS400T1G二极管配置:独立式;功率:200mW;直流反向耐压(Vr):100V;平均整流电流(Io):200mA;正向压降(Vf):1.2V@100mA;反向电流(Ir):1...下载Murata Manufacturing Co., Ltd.
9NSVBCP56-10T3G晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):80V;集电极电流(Ic):1A;功率(Pd):1.5W;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):63@150mA,2...下载Murata Manufacturing Co., Ltd.
10NSI45025AZT1G下载Murata Manufacturing Co., Ltd.
11NJV4031NT1G晶体管类型:NPN;集射极击穿电压(Vceo):40V;集电极电流(Ic):3A;功率(Pd):2W;直流电流增益(hFE@Ic,Vce):200@1A,1V;下载Murata Manufacturing Co., Ltd.
12NSI45035JZT1G下载Murata Manufacturing Co., Ltd.
13NSI45030AZT1G45 V, 30 mA 10%, 1.4 W下载Murata Manufacturing Co., Ltd.
14NCV47701PDAJR2G输出类型:可调;输出极性:正;最大输入电压:40V;输出电压:5V~20V;输出电流:350mA;电源纹波抑制比(PSRR):70dB@(100Hz);下载Murata Manufacturing Co., Ltd.
15NCV47710PDAJR2G下载Murata Manufacturing Co., Ltd.
16NCV4263-2CPD50R2G下载Murata Manufacturing Co., Ltd.
17NCP1015ST65T3G下载Murata Manufacturing Co., Ltd.
18NCV8164AML150TCG输出类型:固定;输出极性:正;最大输入电压:5.5V;输出电压:1.5V;输出电流:300mA;电源纹波抑制比(PSRR):83dB;下载Murata Manufacturing Co., Ltd.
19NCP81161MNTBG驱动配置:半桥;负载类型:MOSFET;电源电压:4.5V~13.2V;峰值灌电流:-;下载Murata Manufacturing Co., Ltd.
20NCP81166MNTBG下载Murata Manufacturing Co., Ltd.