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序号器件名产品描述数据手册生厂商
1S2226000081060频率:26MHz;频率公差:±10ppm;负载电容:8pF;下载JGHC
2S2240000101050JY频率:40MHz;频率公差:±10ppm;负载电容:10pF;下载JGHC
3SX3V27.000B20100F30TNN频率:27MHz;频率稳定度:±50ppm;工作电压:3.3V;输出模式:CMOS;下载Shenzhen SCTF Electronics Co. Ltd
4S3B13.560000F2010F30频率:13.56MHz;频率公差:±10ppm;频率稳定度:±30ppm;负载电容:20pF;下载Shenzhen SCTF Electronics Co. Ltd
5S3B16.000000F1210F30频率:16MHz;频率公差:±10ppm;频率稳定度:±30ppm;负载电容:12pF;下载Shenzhen SCTF Electronics Co. Ltd
6S3B16.000000F2010F30频率:16MHz;频率公差:±10ppm;频率稳定度:±30ppm;负载电容:20pF;下载Shenzhen SCTF Electronics Co. Ltd
7SX32Y040000BC1T001频率:-;负载电容:-;下载TKD Science and Technology Co.,LTD.
8SX3B50.000F1010F30频率:50MHz;频率公差:±10ppm;负载电容:10pF;下载Shenzhen SCTF Electronics Co. Ltd
9SWD078R08E8T漏源电压(Vdss):80V;连续漏极电流(Id):95A;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):8.6mΩ;下载SEMIPOWER TECHNOLOGY CO.,LTD.
10STD120N4LF6-VB下载VBsemi Electronics Co. Ltd
11STD10PF06符合VTH:3.0标准 STD10PF06下载Tech Public Electronics Co.,Ltd.
12SWD6N70DA漏源电压(Vdss):700V;连续漏极电流(Id):6A;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.7Ω;下载SEMIPOWER TECHNOLOGY CO.,LTD.
13SWB056R68E7T漏源电压(Vdss):68V;连续漏极电流(Id):120A;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.8mΩ;下载SEMIPOWER TECHNOLOGY CO.,LTD.
14SWB046R68E8T漏源电压(Vdss):68V;连续漏极电流(Id):145A;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4.6mΩ;下载SEMIPOWER TECHNOLOGY CO.,LTD.
15SWB075R08E7T漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):150A;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4mΩ;下载SEMIPOWER TECHNOLOGY CO.,LTD.
16SLA3R8L7571840锂离子电容 插件,P=7.5mm 750F -10~+30% 3.8V下载Ymin
17SDH2R7L7061850超级电容器 插件,P=7.5mm 70F -10~+30% 2.7V下载Ymin
18SDH2R7L2050813超级电容器 插件,P=3.5mm 2F -10~+30% 2.7V下载Ymin
19SDH2R7L1061030超级电容器 插件,P=5mm 10F -10~+30% 2.7V下载Ymin
20SDH2R7L1561325超级电容器 插件,P=5mm 15F -10~+30% 2.7V下载Ymin