SGF32

注文コード No. N 7 1 9 5 A SGF32 No. N 7 1 9 5 A 62003 半導体ニューズ NO.N7195 とさしかえてください。 SGF32 特長 N チャネル GaAsMES 電界効果トランジスタ C ∼ Ku バンド局部発振・増幅回路 ・低位相雑音。 ・高信頼性保護膜採用。 ・面実装・自動挿入対応 MCPH4 樹脂モールドパッケージ。 unit V V mA mW ℃ ℃ max − 10 70 − 2.5 unit µA mA V mS 絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃ ドレイン・ソース電圧 VDS ゲート・ソース電圧 VGS ドレイン電流 ID 許容損失 PD（ガラエポ基板：145 × 80 × 1.6mm 銅箔面積 0.96mm2 実装時） 接合部温度 保存周囲温度 Tj Tstg 6 −5 100 400 150 − 55 ∼＋ 150 min typ 50 − 1.4 44 電気的特性 Electrical Characteristics / Ta=25℃ ゲート・ソースもれ電流 IGSO 飽和ドレイン電流 IDSS ゲート・ソースしゃ断電圧 VGS(off) 順伝達アドミタンス yfs VGS= − 5V VDS=3V, VGS=0 VDS=3V, ID=100µA VDS=3V, ID=10mA 30 − 0.5 外形図 1316 (unit : mm) (Bottom view) (Side view) 0.25 0.3 3 4 0.15 2.1 本書記載の製品は、極めて高度の信頼性を 要する用途 （生命維持装置、 航空機のコント ロールシステム等、多大な人的・物的損害 を及ぼす恐れのある用途） に対応する仕様に はなっておりません。そのような場合には、 あらかじめ三洋電機販売窓口までご相談下 さい。 本書記載の規格値(最大定格、動作条件範囲 等) を瞬時たりとも越えて使用し、その結果 発生した機器の欠陥について、弊社は責任 を負いません。 1.6 0.25 1.3 2.0 0.07 2 1 (Top view) 4 (Side view) 3 1 : Gate 2 : Source 3 : Drain 4 : Source SANYO：MCPH4 〒370-0596 群馬県邑楽郡大泉町坂田一丁目1番1号 62003 TS IM TA-100636 一部変 / 13003 TS IM ◎佐藤 TA-3555 No.7195-1/5 0.85 1 2 SGF32 S パラメータ SGF32 FREQUENCY MHz 3000.0000 4000.0000 5000.0000 6000.0000 7000.0000 8000.0000 9000.0000 10000.0000 11000.0000 12000.0000 13000.0000 14000.0000 15000.0000 16000.0000 S11 MAG .612 .531 .497 .476 .464 .469 .498 .548 .605 .655 .693 .723 .755 .809 ANG −117.7 −146.4 −171.5 164.8 141.9 119.6 99.1 81.5 66.7 53.2 39.9 26.0 11.3 −4.1 MAG 3.054 2.620 2.318 2.061 1.846 1.672 1.536 1.428 1.337 1.255 1.175 1.095 1.011 .903 S21 ANG 86.5 68.9 52.4 36.4 21.1 6.4 −7.8 −22.0 −36.4 −51.1 −66.3 −82.1 −98.9 −118.1 MAG .086 .096 .106 .117 .131 .148 .168 .190 .214 .237 .257 .273 .286 .296 S12 ANG 42.1 43.1 40.1 36.5 32.4 27.4 21.1 13.3 4.0 −6.6 −18.5 −31.4 −45.1 −59.9 VDS=3V IDS=30mA S22 MAG ANG .535 −36.4 .497 −45.6 .480 −55.2 .473 −64.1 .469 −71.9 .458 −79.2 .431 −87.4 .381 −97.8 .316 −112.2 .248 −132.5 .192 −160.8 .160 161.9 .161 116.2 .235 69.2 SGF32 FREQUENCY MHz 3000.0000 4000.0000 5000.0000 6000.0000 7000.0000 8000.0000 9000.0000 10000.0000 11000.0000 12000.0000 13000.0000 14000.0000 15000.0000 16000.0000 GUmax dB 13.20 11.04 9.67 8.50 7.45 6.57 5.86 5.33 4.96 4.68 4.40 4.11 3.88 3.97 GAmax dB 12.91 11.25 9.98 8.93 8.14 7.67 7.72 S21^2 dB 9.70 8.37 7.30 6.28 5.32 4.47 3.73 3.09 2.52 1.97 1.40 .79 .10 −.89 S12^2 dB −21.34 −20.40 −19.53 −18.63 −17.66 −16.60 −15.50 −14.41 −13.40 −12.52 −11.80 −11.27 −10.89 −10.57 K .91 1.06 1.13 1.17 1.18 1.16 1.10 1.03 .96 .90 .87 .87 .87 .83 Delay ns .050 .047 .045 .044 .042 .040 .039 .039 .040 .041 .043 .044 .047 .057 Mason’U s dB 19.408 19.124 18.251 16.720 14.878 13.311 12.201 11.499 10.999 10.362 9.332 8.038 6.809 5.818 VDS=3V IDS=30mA G1 G2 dB 2.04 1.44 1.23 1.12 1.05 1.08 1.24 1.55 1.98 2.43 2.84 3.21 3.67 4.61 dB 1.46 1.23 1.14 1.10 1.08 1.02 .89 .68 .46 .28 .16 .11 .11 .25 No.7195-2/5 SGF32 Sパラメータ VDS=3V IDS=30mA, START 3 GHz STOP 16 GHz S11 50 25 9.0G Hz S21 90° 100 150 200 250 15.0GHz 25 50 100 150 250 150° G 6.0 Hz 3.0GHz 120° 12.0GHz 60° 30° 10 6.0G 0 10 Hz ±180° 12 .0G 9.0GHz 5 15.0 GHz --10 H 0G 3. z --250 --200 --150 --100 R max=1 --50 IT03929 Hz --150° --30° --25 --120° --90° S22 --60°R max=5 IT03930 S12 90° 120° 60° 50 25 100 150 10 200 250 150° 30° 6.0GHz 15 Hz .0G 9.0GH z ±180° 0.5 12.0 GH z 0 10 25 50 100 150 250 --150° 9.0 Hz GH --30° --25 z 3.0 z GH Hz 12.0G 15 --10 .0G --250 --200 --150 --100 R max=1 3.0 GH z 6.0G Hz --120° --90° --60° R max=0.5 IT03931 --50 IT03932 No.7195-3/5 SGF32 SGF32 の発振評価治具で測定した発振特性 発振評価治具の等価回路図 (バイアス推奨条件：VD=5V, ID=35mA) VD 1000pF 10Ω Dielectric Resonator G Z0, θB 51Ω D GaAsMESFET S OUTPUT 10Ω REF 20.0 dBm PEAK LOG 10 dB / ATTEN 30 dB MKR-TRK 10.678 GHz 10.5 dBm VD=5V ID=35.0mA Phase noise [dBC/Hz] 0 --10 --20 --30 --40 --50 --60 --70 --80 --90 --100 --110 --120 --130 [hp] 3048A Carrier : 10.678GHz VD=5V ID=35.0mA at@ 1kHz --64.0 dBc / Hz MARKER 10.678 GHz 10.50 dBm WA SB SC FS CORR RES BW 10 kHz VBW 10 kHz SPAN 1.000 MHz SWP 30 ms IT04381 --140 --150 100 2 3 5 7 1k 2 3 5 710k 2 3 57 k 100 IT04382 [f] [dBc / Hz] VS f [Hz] No.7195-4/5 SGF32 DUT で測定した増幅特性 18 入出力特性 f=11GHz VDS=3V ID=30mA GLP=5.1dB P1dB=15.9dBm )= dB 5.1 15 出力電力, Pout(dBm) GL ( P 4.1 10 5 0 --5 0 5 10 15 IT04383 入力電力, Pin(dBm) 本書記載の製品は、定められた条件下において、記載部品単体の性能・特性・機能などを規定するものであ り、お客様の製品（機器）での性能・特性・機能などを保証するものではありません。部品単体の評価では 予測できない症状・事態を確認するためにも、お客様の製品で必要とされる評価・試験を必ず行って下さい。 弊社は、高品質・高信頼性の製品を供給することに努めております。しかし、半導体製品はある確率で故障 が生じてしまいます。この故障が原因となり、人命にかかわる事故、発煙・発火事故、他の物品に損害を与 えてしまう事故などを引き起こす可能性があります。機器設計時には、このような事故を起こさないような、 保護回路・誤動作防止回路等の安全設計、冗長設計・機構設計等の安全対策を行って下さい。 本書記載の製品が、外国為替及び外国貿易法に定める規制貨物（役務を含む）に該当する場合、輸出する 際に同法に基づく輸出許可が必要です。 弊社の承諾なしに、本書の一部または全部を、転載または複製することを禁止します。 本書に記載された内容は、製品改善および技術改良等により将来予告なしに変更することがあります。した がって、ご使用の際には、「納入仕様書」でご確認下さい。 この資料の情報（掲載回路および回路定数を含む）は一例を示すもので、量産セットとしての設計を保証す るものではありません。また、この資料は正確かつ信頼すべきものであると確信しておりますが、その使用 にあたって第３者の工業所有権その他の権利の実施に対する保証を行うものではありません。 PS No.7195-5/5