SVF4N65F

SVF4N65F/M/MJ/D 说明书 4A、650V N沟道增强型场效应管 描述 N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体管 SVF4N65F/M/MJ/D 采用士兰微电子的 F-Cell TM 平面高压 VDMOS 工艺技术制造。先进的 工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很 高的雪崩击穿耐量。 该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源，DC-DC 电源转换器，高 压 H 桥 PWM 马达驱动。 特点  4A，650V，RDS(on)（典型值）=2.3@VGS=10V  低栅极电荷量  低反向传输电容  开关速度快  提升了 dv/dt 能力 产品规格分类 产 品 名 称 封装形式 打印名称 环保等级 包装 SVF4N65F TO-220F-3L SVF4N65F 无铅 料管 SVF4N65MJ TO-251J-3L SVF4N65MJ 无卤 料管 SVF4N65M TO-251D-3L SVF4N65M 无卤 料管 TO-252-2L SVF4N65D 无卤 编带 SVF4N65DTR 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 版本号：3.6 共 11 页 第1页 SVF4N65F/M/MJ/D 说明书 极限参数(除非特殊说明，TC=25C) 参 数 名称 参数范围 符号 SVF4N65F 单位 SVF4N65MJ SVF4N65M/D 漏源电压 VDS 650 V 栅源电压 VGS ±30 V TC=25C 漏极电流 TC=100C 漏极脉冲电流 耗散功率（TC=25C） -大于 25C 每摄氏度减少 单脉冲雪崩能量（注 1） 4.0 ID A 2.5 IDM 16 PD A 30 79 77 W 0.24 0.63 0.62 W/C EAS 215 mJ 工作结温范围 TJ -55～+150 C 贮存温度范围 Tstg -55～+150 C 热阻特性 参 数 名 称 参数范围 符号 单位 SVF4N65F SVF4N65MJ SVF4N65M/D 芯片对管壳热阻 RθJC 4.17 1.58 1.62 C/W 芯片对环境的热阻 RθJA 62.5 62.0 62.0 C/W 电气参数(除非特殊说明，TC=25C) 参 数 名 称 漏源击穿电压 符 号 测 试 条 件 最小值 典型值 最大值 单位 BVDSS VGS=0V，ID=250µA 650 -- -- V IDSS VDS=650V，VGS=0V -- -- 1.0 µA IGSS VGS=±30V，VDS=0V -- -- ±100 nA 栅极开启电压 VGS(th) VGS= VDS，ID=250µA 2.0 -- 4.0 V 导通电阻 RDS(on) VGS=10V， ID=2.0A -- 2.3 2.7  输入电容 Ciss -- 430 -- -- 55 -- -- 4.1 -- -- 9.93 -- -- 25.6 -- -- 27.6 -- -- 25.6 -- -- 12.5 -- -- 2.74 -- -- 6.31 -- 漏源漏电流 栅源漏电流 输出电容 Coss 反向传输电容 Crss 开启延迟时间 td(on) 开启上升时间 tr 关断延迟时间 td(off) 关断下降时间 tf 栅极电荷量 栅极-源极电荷量 栅极-漏极电荷量 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn Qg Qgs Qgd VDS=25V，VGS=0V， f=1.0MHZ VDD=325V，VGS=10V，RG=25Ω， ID=4A (注 2，3) VDD=520V，VGS=10V，ID=4A， (注 2，3) pF ns nC 版本号：3.6 共 11 页 第2页 SVF4N65F/M/MJ/D 说明书 源-漏二极管特性参数 参 数 名 称 符 号 测试条件 最小值 典型值 最大值 单位 源极电流 IS MOS 管中源极、漏极构成的反 -- -- 4.0 源极脉冲电流 ISM 偏 P-N 结 -- -- 16 源-漏二极管压降 VSD IS=4.0A，VGS=0V -- -- 1.4 V 反向恢复时间 Trr IS=4.0A，VGS=0V， -- 450 -- ns 反向恢复电荷 Qrr dIF/dt=100A/µs (注 2) -- 1.87 -- µC A 注： 1. L=30mH，IAS=3.6A，VDD=100V，RG=25，开始温度 TJ=25C； 2. 脉冲测试： 脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%； 3. 基本上不受工作温度的影响。 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 版本号：3.6 共 11 页 第3页 SVF4N65F/M/MJ/D 说明书 典型特性曲线 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 版本号：3.6 共 11 页 第4页 SVF4N65F/M/MJ/D 说明书 典型特性曲线（续） 图8. 导通电阻vs.温度特性 漏源导通电阻（标准化） – RDS(ON) 漏源击穿电压（标准化）– BVDSS 图7. 击穿电压vs.温度特性 1.2 1.1 1.0 0.9 注： 1. VGS=0V 2. ID=250µA 0.8 -100 -50 0 50 100 150 3.0 2.5 2.0 1.5 1.0 注： 1. VGS=10V 2. ID=2.0A 0.5 0.0 -100 200 -50 结温 – TJ(°C) 图9-1. 最大安全工作区域(SVF4N65F) 图9-2. 最大安全工作区域(SVF4N65MJ) 101 100µs 漏极电流 - ID(A) 漏极电流 - ID(A) 200 此区域工作受限于RDS(ON) 101 1ms 10ms 100 DC 10-1 101 10ms 100 DC 10-1 注：TC=25°C 注：TC=25°C 100 100µs 1ms 10-2 102 103 100 101 漏源电压 - VDS(V) 102 103 漏源电压 - VDS(V) 图 10. 最大漏极电流vs. 壳温 图9-3. 最大安全工作区域(SVF4N65M/D) 4.5 2 10 4.0 此区域工作受限于RDS(ON) 101 1ms 10ms 100 DC 10-1 2.5 2.0 1.5 0.5 注：TC=25°C 101 102 漏源电压 - VDS(V) 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 3.0 1.0 -2 100 3.5 100µs 漏极电流 - ID(A) 漏极电流 - ID(A) 150 100 102 此区域工作受限于RDS(ON) 10 50 结温 – TJ(°C) 102 10-2 0 103 0 25 50 75 100 125 150 壳温 – TC(°C) 版本号：3.6 共 11 页 第5页 SVF4N65F/M/MJ/D 说明书 典型测试电路 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 版本号：3.6 共 11 页 第6页 SVF4N65F/M/MJ/D 说明书 封装外形图 TO-251D-3L 单位：毫米 TO-220F-3L 单位：毫米 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 版本号：3.6 共 11 页 第7页 SVF4N65F/M/MJ/D 说明书 封装外形图（续） TO-252-2L TO-251J-3L 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 单位:mm 单位：毫米 版本号：3.6 共 11 页 第8页 SVF4N65F/M/MJ/D 说明书 声明： 士兰保留说明书的更改权，恕不另行通知！客户在下单前应获取最新版本资料，并验证相关信息是否完整和最  新。 任何半导体产品特定条件下都有一定的失效或发生故障的可能，买方有责任在使用 Silan 产品进行系统设计和整  机制造时遵守安全标准并采取安全措施，以避免潜在失败风险可能造成人身伤害或财产损失情况的发生！ 产品提升永无止境，我公司将竭诚为客户提供更优秀的产品！  产品名称： SVF4N65F/M/MJ/D 文档类型： 说明书 版 权： 杭州士兰微电子股份有限公司 公司主页： http: //www.silan.com.cn 版 本： 3.6 修改记录： 1. 版 删除 TO-220-3L 和 TO-262-3L 封装 本： 3.5 修改记录： 1. 版 更新 TO-262-3L 封装外形图 本： 3.4 修改记录： 1. 参数和曲线按照 SVF4N65CA 更新 2. 删除 TO-220F-3L（2）封装外形图 3. 更新 TO-251J-3L 封装外形图 版 本： 3.3 修改记录： 1. 修改电气参数 2. 删除 TO-251-3L 版 本： 3.2 修改记录： 1. 修改 TO-262-3L 的环保等级 2. 更新 TO-251J-3L 封装外形图（1.1 版本） ，TO-251D-3L 封装外形图（1.5 版本） 版 本： 3.1 修改记录： 1. 修改产品规格分类 2. 修改 TO-262-3L 封装外形图 版 本： 3.0 修改记录： 1. 修改产品规格分类 2. 修改 TO-220-3L 封装信息 版 本： 2.9 修改记录： 版 1. 修改电气参数，Gfs 2. 修改产品规格分类 本： 2.8 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 版本号：3.6 共 11 页 第9页 文档类型：说明书 修改记录： 1. 修改 TO-220F-3L 封装信息 2. 修改 TO-252-2L 封装信息 3. 修改 TO-220-3L 封装信息 4. 修改电气参数 版 本： 2.7 修改记录： 1. 版 修改热阻特性 本： 2.6 修改记录： 1. 版 修改产品规格分类 本： 2.5 修改记录： 1. 版 增加 Ciss 上下限值 本： 2.4 修改记录： 1. 版 修改产品规格分类 本： 2.3 修改记录： 1. 版 修改 TO-251J-3L 尺寸图 本： 2.2 修改记录： 1. 版 修改产品规格分类 本： 2.1 修改记录： 1. 修改关键特性参数及曲线 2. 增加 TO-251-3L 封装 版 本： 2.0 修改记录： 1. 版 修改 MOS 管符号的示意图 本： 1.9 修改记录： 1. 版 更新 TO-251D-3L 尺寸图 本： 1.8 修改记录： 1. 版 修改封装外形图 本： 1.7 修改记录： 1. 版 修改产品规格分类 本： 1.6 修改记录： 1. 修改封装外形图 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 版本号：2.7 共 11 页 第 10 页 文档类型：说明书 版 本： 1.5 修改记录： 1. 版 增加 SVF4N65MJ 的无卤信息 本： 1.4 修改记录： 1. 版 增加 TO-262-3L 封装 本： 1.3 修改记录： 1. 修改 RDS(on)典型值 2. 删除 TO-251-3L 封装，增加 TO-251J-3L 封装 版 本： 1.2 修改记录： 1. 版 修改 Trr 和 Qrr 的值 本： 1.1 修改记录： 1. 版 增加 TO-252-2L 和 TO-251D-3L 封装 本： 1.0 修改记录： 1. 原版 杭州士兰微电子股份有限公司 http: //www.silan.com.cn 版本号：1.5 共 11 页 第 11 页