士兰微电子
SVF7N65CF/D/MJ/K/T 说明书
7A、650V N沟道增强型场效应管
描述
2
SVF7N65CF/D/MJ/K/T N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体管
采用士兰微电子 F-CellTM 平面高压 VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺
1
1
及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的
2
3
3
雪崩击穿耐量。
TO-262-3L
1.栅极 2.漏极 3.源极
该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源,DC-DC 电源转换器,高压
H 桥 PWM 马达驱动。
12
特点
1
3
TO-220-3L
7A,650V,RDS(on)(典型值)=1.1@VGS=10V
低栅极电荷量
低反向传输电容
开关速度快
提升了 dv/dt 能力
1
23
1
23
3
TO-252-2L
TO-251J-3L
12
TO-220F-3L
3
TO-220-3L
产品规格分类
产 品 名 称
封装形式
打印名称
环保等级
包装
TO-220F-3L
SVF7N65CF
无卤
料管
SVF7N65CDTR
TO-252-2L
SVF7N65C
无卤
编带
SVF7N65CMJ
TO-251J-3L
SVF7N65C
无卤
料管
SVF7N65CK
TO-262-3L
SVF7N65CK
无卤
料管
SVF7N65CT
TO-220-3L
SVF7N65CT
无卤
料管
SVF7N65CF
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士兰微电子
极限参数(除非特殊说明,TC=25C)
参数范围
参
数
符 号
SVF7N6
SVF7N6
SVF7N6
SVF7N6
SVF7N6
5CF
5CD
5CMJ
5CK
5CT
单位
漏源电压
VDS
650
V
栅源电压
VGS
±30
V
TC = 25C
漏极电流
TC = 100C
漏极脉冲电流
7.0
ID
IDM
耗散功率(TC=25C)
- 大于 25C 每摄氏度减少
单脉冲雪崩能量(注 1)
A
4.4
PD
28.0
A
46
89
90
120
145
W
0.37
0.71
0.72
0.96
1.16
W/C
EAS
435
mJ
工作结温范围
TJ
-55~+150
C
贮存温度范围
Tstg
-55~+150
C
热阻特性
参数范围
参
数
符
号
SVF7N6
SVF7N6
SVF7N6
SVF7N65
SVF7N6
5CF
5CD
5CMJ
CK
5CT
单位
芯片对管壳热阻
RθJC
2.7
1.4
1.39
1.04
0.86
C/W
芯片对环境的热阻
RθJA
62.5
62.0
62.0
62.5
62.5
C/W
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士兰微电子
电性参数(除非特殊说明,TC=25C)
参
数
漏源击穿电压
符 号
测试条件
最小值
典型值
最大值
单位
BVDSS
VGS=0V, ID=250µA
650
--
--
V
漏源漏电流
IDSS
VDS=650V,VGS=0V
--
--
1.0
µA
栅源漏电流
IGSS
VGS=±30V,VDS=0V
--
--
±100
nA
栅极开启电压
VGS(th)
VGS= VDS,ID=250µA
2.0
--
4.0
V
导通电阻
RDS(on)
VGS=10V,ID=3.5A
--
1.1
1.4
输入电容
Ciss
--
789
--
输出电容
Coss
--
98
--
反向传输电容
Crss
--
9.0
--
开启延迟时间
td(on)
--
15
--
--
32
--
--
51
--
--
33
--
--
21
--
--
4.5
--
--
10
--
开启上升时间
tr
关断延迟时间
td(off)
关断下降时间
tf
栅极电荷量
Qg
栅极-源极电荷量
Qgs
栅极-漏极电荷量
Qgd
VDS=25V,VGS=0V, f=1.0MHz
VDD=325V, RG=25Ω,ID=7.0A
(注 2,3)
VDS=520V,ID=7.0A,VGS=10V
(注 2,3)
pF
ns
nC
源-漏二极管特性参数
参
数
符号
测试条件
最小值
典型值
最大值
单位
源极电流
IS
MOS 管中源极、漏极构成的反偏 P-N
--
--
7.0
源极脉冲电流
ISM
结
--
--
28.0
源-漏二极管压降
VSD
IS=7.0A,VGS=0V
--
--
1.4
V
反向恢复时间
Trr
IS=7.0A,VGS=0V,
--
499
--
ns
反向恢复电荷
Qrr
dIF/dt=100A/µs(注 2)
--
3.0
--
µC
A
注:
1.
L=30mH,IAS=5.0A,VDD=100V,RG=25Ω,开始温度 TJ=25C;
2.
脉冲测试: 脉冲宽度≤300μs,占空比≤2%;
3.
基本上不受工作温度的影响。
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士兰微电子
典型特性曲线
图 1. 输出特性
图2. 传输特性
100
-55°C
25°C
150°C
VGS=4.5V
VGS=5V
VGS=5.5V
VGS=6V
VGS=7V
VGS=8V
VGS=10V
VGS=15V
10
漏极电流– ID(A)
漏极电流 – ID(A)
100
1
10
1
1
注:
1.250µS脉冲测试
2.VDS=50V
注:
1.250µS脉冲测试t
2.VDS=50V
0.1
0.1
10
0.1
100
0
1
2
漏源电压 – VDS(V)
反向漏极电流 – IDR(A)
漏源导通电阻 – RDS(ON)(Ω)
100
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
6
7
8
9 10
注:
1.250µS 脉冲测试
2.VGS=0V
-55°C
25°C
150°C
VGS=10V
VGS=20V
1.5
5
图 4. 体二极管压降 vs. 源极电流、温度
1.6
10
1
注: TJ=25°C
0
2
4
8
0.1
0.2
10
0.4
图5. 电容特性
Ciss=Cgs+Cgd(Cds=shorted)
Coss=Cds+Cgd
Crss=Cgd
栅源电压– VGS(V)
Ciss
Coss
Crss
600
注:
1. VGS=0V
2. f=1MHz
400
8
6
4
2
200
注:ID=7A
1
10
漏源电压 – VDS(V)
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1.2
VDS=520V
VDS=325V
VDS=130V
10
1200
0
0.1
1.0
12
1400
800
0.8
图6. 电荷量特性
1600
1000
0.6
漏源电压– VSD(V)
漏极电流– ID(A)
电容(pF)
4
栅源电压– VGS(V)
图3. 导通电阻 vs. 漏极电流、栅极电压
0.8
3
100
0
0
5
10
15
20
25
总栅极电荷 – Qg(nC)
版本号:2.6
共 12 页 第 4 页
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士兰微电子
典型特性曲线(续)
图8. 导通电阻vs.温度特性
漏源导通电阻– RDS(ON)(标准化)
漏源击穿电压 – BVDSS(标准化)
图7. 击穿电压vs.温度特性
1.2
1.1
1.0
0.9
注:
1. VGS=0V
2. ID=250µA
0.8
-100
-50
0
50
100
150
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
注:
1. VGS=10V
2. ID=3.5A
0.5
0.0
-100
200
结温 – TJ(°C)
-50
0
50
100
150
结温 – TJ(°C)
图9-2. 最大安全工作区域(SVF7N65CD)
图9-1. 最大安全工作区域(SVF7N65CF)
102
102
100µs
100µs
101
1ms
漏极电流 - ID(A)
漏极电流 - ID(A)
101
10ms
10
0
DC
此区域工作受限于RDS(ON)
10-1
10-2
100
注:
1.TC=25°C
2.Tj=150°C
3.RDS(ON)[max]=1.4Ω
10
1
10
2
1ms
10ms
0
10
DC
此区域工作受限于RDS(ON)
10-1
注:
1.TC=25°C
2.Tj=150°C
3.RDS(ON)[max]=1.4Ω
10-2
100
3
10
101
102
103
漏源电压 - VDS(V)
漏源电压 - VDS(V)
图9-4. 最大安全工作区域(SVF7N65CK)
图9-3. 最大安全工作区域(SVF7N65CMJ)
102
102
100µs
100µs
101
1ms
漏极电流 - ID(A)
漏极电流 - ID(A)
101
10ms
10
200
0
DC
此区域工作受限于RDS(ON)
10-1
注:
1.TC=25°C
2.Tj=150°C
3.RDS(ON)[max]=1.4Ω
10-2
100
101
102
漏源电压 - VDS(V)
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103
1ms
10ms
0
10
DC
此区域工作受限于RDS(ON)
10-1
10-2
100
注:
1.TC=25°C
2.Tj=150°C
3.RDS(ON)[max]=1.4Ω
101
102
103
漏源电压 - VDS(V)
版本号:2.6
共 12 页 第 5 页
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士兰微电子
典型特性曲线(续)
图9-5. 最大安全工作区域(SVF7N65CT)
图 10. 最大漏极电流vs. 壳温
102
8
7
100µs
6
1ms
漏极电流 - ID(A)
漏极电流 - ID(A)
101
10ms
DC
100
此区域工作受限于
RDS(ON)
10-1
101
102
漏源电压 - VDS(V)
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4
3
2
1
注:TC=25°C
10-2
100
5
103
0
25
50
75
100
125
150
壳温 – TC(°C)
版本号:2.6
共 12 页 第 6 页
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士兰微电子
典型测试电路
栅极电荷量测试电路及波形图
与待测器件
参数一致
VGS
Qg
10V
50KΩ
VDS
200nF
12V
300nF
Qgs
Qgd
VGS
待测器件
3mA
电荷量
开关时间测试电路及波形图
RL
VDS
VDS
90%
VGS
VDD
RG
待测器件
10%
VGS
10V
td(on)
tr
ton
td(off)
tf
toff
EAS测试电路及波形图
EAS =
L
VDS
BVDSS
1
2
2 LIAS BVDSS - VDD
BVDSS
ID
IAS
RG
待测器件
10V
ID(t)
VDD
VDS(t)
VDD
tp
tp
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Time
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士兰微电子
封装外形图
TO-220F-3L
单位:毫米
1
4.42
4.70
5.02
2.30
2.54
2.80
2.50
2.76
3.10
0.70
0.80
0.90
0.35
0.50
0.65
15.25
15.87
16.25
15.30
15.75
16.30
9.30
9.80
10.30
9.73
10.16
10.36
1
1.47
2.54BCS
6.40
6.68
7.00
12.48
12.98
13.48
/
/
3.50
3.00
3.18
3.40
3.05
3.30
3.55
3
TO-252-2L
单位:毫米
MIN
NOM
MAX
A
SYMBOL
2.10
2.30
2.50
A1
0
---
0.127
b
0.66
0.76
0.89
b3
5.10
5.33
5.46
c
0.45
---
0.65
c2
0.45
---
0.65
D
E
5.80
6.30
6.10
6.60
6.40
6.90
e
Eject pin(note1)
2.30TYP
H
9.60
10.10
10.60
L
1.40
1.50
1.70
L1
2.90REF
0.60
0.80
1.00
L4
L4
NOTE1:There are two conditions for this position:has an eject pin or has no eject pin.
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士兰微电子
封装外形图(续)
TO-251J-3L
单位:毫米
SYMBOL
MIN
NOM
MAX
A
2.18
2.30
2.39
4
A1
0.89
1.00
1.14
b
0.56
---
0.89
b4
4.95
5.33
5.46
b5
---
---
1.05
c
0.46
---
0.61
D
5.97
6.10
6.27
E
6.35
6.60
6.73
e
2.29 BCS
L
8.89
9.30
9.65
L1
0.95
---
1.50
L2
0.89
---
1.27
TO-262-3L
单位:毫米
A
E
MIN
NOM
MAX
A
SYMBOL
4.30
4.50
4.70
D
L2
c2
A1
2.20
---
2.92
b
0.71
0.80
0.97
b2
1.20
---
1.50
c
0.34
---
0.76
c2
1.22
1.30
1.35
D
8.38
---
9.30
E
9.80
10.16
10.54
Ll
e
L
b2
2.54 BSC
L
12.80
L1
2.80
3.30
4.06
L2
1.12
---
1.42
---
14.10
A1
b
c
e
e
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士兰微电子
SVF7N65CF/D/MJ/K/T 说明书
封装外形图(续)
TO-220-3L
单位:毫米
4.30
1.00
1.80
0.60
1.00
4.50
1.30
2.40
0.80
4.70
1.50
2.80
1.00
1.60
0.30
15.10
15.70
0.70
16.10
8.10
9.60
9.20
9.90
10.40
10.00
2.54BSC
6.10
6.50
12.60
13.08
3.40
2.60
3.70
7.00
13.60
3.95
3.90
3.20
声明:
士兰保留说明书的更改权,恕不另行通知!客户在下单前应获取最新版本资料,并验证相关信息是否完整和最
新。
任何半导体产品特定条件下都有一定的失效或发生故障的可能,买方有责任在使用 Silan 产品进行系统设计和整
机制造时遵守安全标准并采取安全措施,以避免潜在失败风险可能造成人身伤害或财产损失情况的发生!
产品提升永无止境,我公司将竭诚为客户提供更优秀的产品!
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文档类型:
说明书
版
权:
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版
本:
2.6
修改记录:
1.
版
删除 TO-220FQ-3L 封装
本:
2.5
修改记录:
1.
版
更新 TO-263-2L 封装外形图
本:
2.4
修改记录:
1.
更新 TO-262-3L 封装外形图
2.
增加 TO-220-3L 带缺口的立体图
版
本:
2.3
修改记录:
1.
删除 TO-262L-3L 封装外形图
2.
更新 TO-220FQ-3L 立体图
版
本:
2.2
修改记录:
1.
版
更新 TO-262-3L 封装外形图
本:
2.1
修改记录:
1.
版
修改典型特性曲线的符号
本:
2.0
修改记录:
1.
版
更新 TO-251J-3L 封装外形图
本:
1.9
修改记录:
1.
版
增加 TO-262L-3L 封装
本:
1.8
修改记录:
1.
增加 TO-220-3L 封装
2.
修改 TO-262-3L 封装
3.
修改 TO-263-2L 封装
版
本:
1.7
修改记录:
1.
版
修改典型特性曲线
本:
1.6
修改记录:
1.
版
修改 TO-252-2L 封装
本:
1.5
修改记录:
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士兰微电子
1.
增加 TO-220FQ-3L 封装
2.
修改 TO-220F-3L 封装
版
本:
文档类型:说明书
1.4
修改记录:
1.
版
增加 TO-263-2L 封装
本:
1.3
修改记录:
1.
版
增加 TO-262-3L 封装
本:
1.2
修改记录:
1.
版
修改热阻特性
本:
1.1
修改记录:
1.
版
增加 TO-251J-3L 封装
本:
1.0
修改记录:
1.
正式发布版本
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