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LM324

LM324

  • 厂商:

    PJ(平晶)

  • 封装:

    DIP14_18.8X6.6MM_TM

  • 描述:

    运放 4Channel 3~32V IB=45nA

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LM324 数据手册
LM324 四运放集成电路 概述 DIP-14 本电路为高性能、具有四个独立的运算放大器,内含相位补偿 电路,适用于收录机和音调系统作音调均衡网络,也用于其他 场合。采用 14 引线双列直插式塑料封装 DIP14,功耗 14 720mW,以及贴片 SOP14封装,功耗 400mW。 1 特点 SOP-14 ⚫ 无需外接相位补偿电路 ⚫ 电源电压范围宽: 单电源时,VCC=3~32V, 双电源时,VCC=± 1.5V~16V 14 ⚫ 输入失调电流低: ±5nA(典型) ⚫ 输入失调电流低: 130mV 1 ⚫ 可与 TTL 及 CMOS 兼容 原理 LM324由四个完全相同的运算放大器组成,单元电路如图所 示,其工作原理简要说明如下:输入信号加到T1、T4基极,经 差分放大后;T8、T9于复合放大构成中间级;输出级由 T10~T13组成。其中T12为保护管,当输出电流过大时,R上 压降增大使T12饱和导通, T12集电极电位下降,接近 1/2Vcc,使得推挽管T10、T11和T13截止,从而起到保护作 用。电容C为相位补偿电容。 引脚功能 引脚序号 符号 功能 引脚序号 符号 功能 1 OUT1 输出 1 8 OUT3 输出 3 2 IN1- 反相输入 1 9 IN3- 反相输入 3 3 IN1+ 正相输入 1 10 IN3+ 正相输入 3 4 VCC 电源 11 GND 地 5 IN2+ 正相输入 2 12 IN4+ 正相输入 4 6 IN2- 反相输入 2 13 IN4- 反相输入 4 7 OUT2 输出 2 14 OUT4 输出 4 www.pingjingsemi.com Revision:1.0 Mar-2022 1/7 LM324 四运放集成电路 功能框图 Vcc T10 VININPUT VIN+ T12 R T4 T1 T5 T11 T3 T2 T8 T7 T6 T9 T13 Vo 极性参数(绝对最大值,若无其他规定,TA=25℃) 参数名称 符号 数值 单位 VCC 32 V 输入差分电压 VI(DIFF) 32 V 最大输入电压 VIN -0.3~32 V 电源电压 功耗 DIP14 SOP14 PD 720 400 mW 工作环境温度 Tamb 0~70 °C 贮存温度 TSTG -55~125 °C www.pingjingsemi.com Revision:1.0 Mar-2022 2/7 LM324 四运放集成电路 电性参数 VCC=5V, TA=25℃, 若无其他特殊规定。 参数 符号 测试条件 最小 规范值 典型 最大 -- ±2 ±5 mV 单位 输入失调电压 VIO 输入失调电流 lIO IIN(+)/IIN(-) -- ±5 ±50 nA 输入偏置电流 IIB IIN(+)/IIN(-) -- 45 250 nA VICR 0 -- VCC-1.5 V CMRR 65 80 -- dB 25 100 -- V/mV 输入共模电压范围 共模抑制比 电压增益 AVD 输出电压范围 VO 0 -- VCC-1.5 V PSRR 65 100 -- dB f=1kHz~20kHz -- 120 -- dB VIN(+) =1V, VIN(-)= 0V 20 35 -- VIN(+) =0V, VIN(-)= 1V 10 13 -- RL=∞, VCC=5V -- 0.6 2 RL=∞, VCC=30V -- 1.5 3 电源纹波抑制比 通道分离 输出拉电流 输出灌电流 电源电流 www.pingjingsemi.com Revision:1.0 Mar-2022 CS lO ICC RL≥15KΩ, VCC=15V mA mA 3/7 LM324 四运放集成电路 典型测试原理图 R2 - R1 +1.4V R R1 Vf1 R C Vcc - Vcc + NULL - + R2 R1 Vcc Vee 输入失调电流 Iio 测试图 +1.4V R2 R2 R1 Vcc + C Vee - Vcc + NULL - R1 Vf3 C R Vcc + +1.4V R1 - Vf2 Iio=(Vf2-Vf1)/R(1+R2/R1) R2 R + NULL - + R2 Vio=Vf1/(1+R2/R1) 输入失调电压 Vio 测试图 R1 Vcc +1.4V R1 R2 R2 Vee Vcc + NULL - Vf4 C Vee IBA=(Vf4-Vf3)/2R(1+R2/R1) 输入偏置电流 IBA 测试图 R2 R2 R1 - R1 Ec1 Ec2 Vcc + NULL - + R2 R1 Vcc Vee Vf5, Vf6 C Vee CMR=20log(Ec1-Ec2) (1+R2/R1)/(Vf5-Vf6 共模抑制比 CMR 及共模输入电压范围 VICM 测试图 www.pingjingsemi.com Revision:1.0 Mar-2022 R1 - Vcc Vcc + R2 RL + NULL Ek1 Ek2 Vee Vf7, Vf8 C Gv=(Ek1-Ek2) (1+R2/R1)/(Vf8-Vf7) 电压增益 Gv 测试图 4/7 LM324 四运放集成电路 R2 R1 Vcc1 Vcc2 - R1 R2 R1 Vf9, Vf10 + NULL - + R2 - Vcc R1 C Vee R2 Vee PSRR(+)=20log(Vcc1-Vcc2) (1+R2/R1)/(Vf9-Vf10) + Vcc Vee1 Vcc + NULL - Vee2 Vf11, Vf12 C Vee PSRR(-)=20log(Vee1-Vee2) (1+R2/R1)/(Vf11-Vf12 电源纹波抑制比 PSRR 测试图 Vcc - A + +1V Vo + Vcc A Vo +1V A Vcc 消耗电流 Icc 及输出电流 Io 测试图 R2 a C Vin b Vcc/2 R1 A Vcc/2 + Vcc RL A R2 b a Vcc/2 R1 Vcc/2 Vcc + B B RL Vo SW:A Cs(A)=20log(R2*VOA)/(R1*VOB) SW:B Cs(B)=20log(R2*VOB)/(R1*VOA) 通道分离度 Cs 测试图 www.pingjingsemi.com Revision:1.0 Mar-2022 5/7 LM324 四运放集成电路 封装数据 DIP-14 变量名 毫米 英寸 最小 最大 最小 最大 A 18.16 18.80 0.715 0.770 B 6.10 6.60 0.240 0.260 C 3.69 4.69 0.145 0.185 D 0.38 0.53 0.015 0.021 F 1.02 1.78 0.040 0.070 G 2.54BSC 0.100BSC H 1.32 2.41 0.052 0.095 J 0.20 0.38 0.008 0.015 K 2.92 3.43 0.115 0.135 L 7.37 7.87 0.290 0.310 M 0° 10° 0° 10° N 0.038 1.01 0.015 0.039 www.pingjingsemi.com Revision:1.0 Mar-2022 6/7 LM324 四运放集成电路 封装数据 SOP14 变量名 毫米 英寸 最小 最大 最小 最大 A 8.55 8.75 0.337 0.344 B 3.80 4.00 0.150 0.157 C 1.35 1.75 0.054 0.068 D 0.35 0.49 0.014 0.019 F 0.40 1.25 0.016 0.049 G 1.27 BSC 0.050BSC J 0.19 0.25 0.008 0.009 K 0.10 0.25 0.004 0.009 M 0° 7° 0° 7° P 5.80 6.20 0.228 0.244 R 0.25 0.50 0.010 0.019 www.pingjingsemi.com Revision:1.0 Mar-2022 7/7
LM324 价格&库存

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