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型号厂商描述数据手册替代料参考价格
HSL10N06HUASHUO SEMICONDUCTOR获取价格
HSL0004HUASHUO SEMICONDUCTOR类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):3A;功率(Pd):1.5W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):112mΩ@10V,2A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA;获取价格
HSL6008HUASHUO SEMICONDUCTOR类型:N沟道;漏源电压(Vdss):60V;连续漏极电流(Id):2.8A;功率(Pd):1.5W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):100mΩ@10V,2.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA;获取价格
HSH250N10HUASHUO SEMICONDUCTOR类型:N沟道;漏源电压(Vdss):100V;连续漏极电流(Id):250A;功率(Pd):411W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.9mΩ@10V,40A;阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA;栅极电荷(Qg@Vgs):195nC@10V;输入电容(Ciss@Vds):10.15nF@50V;反向传输电容(Crss@Vds):55pF@50V;工作温度:-55℃~+150℃@(Tj);获取价格
AO3416HUASHUO SEMICONDUCTOR类型:N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):6.5A;功率(Pd):1.4W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):22mΩ@4.5V,6.5A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.1V@250uA;获取价格
HSS2305AHUASHUO SEMICONDUCTOR类型:P沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):4.9A;功率(Pd):1.31W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):45mΩ@4.5V,4.9A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1V@250uA;获取价格
HSW8810HUASHUO SEMICONDUCTOR类型:2个N沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):6A;功率(Pd):1.25W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):20mΩ@4.5V,4A;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.2V@250μA;获取价格
HSP18N20HUASHUO SEMICONDUCTOR漏源电压(Vdss):200V;连续漏极电流(Id)(25°C 时):18A;栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA;漏源导通电阻:170mΩ @ 9A,10V;最大功率耗散(Ta=25°C):83W;类型:N沟道;获取价格
HSSN3139HUASHUO SEMICONDUCTOR类型:P沟道;漏源电压(Vdss):20V;连续漏极电流(Id):500mA;功率(Pd):350mW;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):630mΩ@4.5V,500mA;阈值电压(Vgs(th)@Id):1.1V@250uA;获取价格
HSU4016HUASHUO SEMICONDUCTOR类型:N沟道;漏源电压(Vdss):40V;连续漏极电流(Id):75A;功率(Pd):52.1W;导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):6.5mΩ@10V,15A;阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA;获取价格
HSBG2103HUASHUO SEMICONDUCTORMOSFETs DFN3_1X0.6MM P-沟道 VDS=20V ID=650mA获取价格
AO3415HUASHUO SEMICONDUCTORMOSFETs P-沟道 20V 4.3A 80mΩ@1.8V SOT23L获取价格
HSS3402AHUASHUO SEMICONDUCTORHSS3402A获取价格
HSS3401AHUASHUO SEMICONDUCTORHSS3401A获取价格
HSS3414AHUASHUO SEMICONDUCTORHSS3414A获取价格
HSS4002HUASHUO SEMICONDUCTORHSS4002获取价格
HSBA3014HUASHUO SEMICONDUCTORHSBA3014获取价格
HSBA6066HUASHUO SEMICONDUCTORHSBA6066获取价格
HSL6107HUASHUO SEMICONDUCTORP沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):2.3A 功率(Pd):1.5W获取价格
HSM0228HUASHUO SEMICONDUCTOR2个N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):4A 功率(Pd):1.5W获取价格